【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容涉及电子射频(rf)电路，并且更具体地涉及rf前端(rffe)的混合输入架构，该混合输入架构考虑不同的输入性能优先级以优化rffe的性能和成本。
技术介绍
1、通过rf系统(例如，rffe)对输入rf信号的处理可以经由耦接至放大器的开关、滤波器和匹配电路的组合来提供，这些部件的组合可以为输入rf信号的放大提供rf处理路径。在例如手持设备中使用的传统rffe架构中，对应于不同频带的不同输入rf信号可能需要不同的rf处理路径。当设计rffe模块时，可能需要电路设计者在支持不同频带的同时考虑rffe模块的成本与性能的折衷。
2、图1a示出了现有技术rffe(接收侧)架构(100a)，其通过提供用于处理所支持的频带中的所有所支持的频带的经组合的放大路径cap来降低成本。这样的频带可以包括多个(空中)频带(例如，ba，bb，……，bk)以及一个或更多个辅助频带(例如，aux1，aux2)。在天线ant处接收对应于频带(例如，ba，bb，……，bk)中的每一个的rf信号，并且该rf信号经由天线开关asw选择性地路由通过滤波器组fb中的相应滤波器(例如，a，b，……，k)。开关b_sel将所支持的频带(例如，ba，bb，……，bk，aux1，aux2，其耦接至开关b_sel的各个掷)中的一个选择性地耦接至经组合的放大路径cap(例如，耦接至开关b_sel的单个极)。例如，如图1a所示，开关b_sel可以将对应于所选择的频带ba的rf信号rfsel耦接至经组合的放大路径cap的输入匹配电路im。进而，经组合的放大路径cap
3、图1a的现有技术rffe架构(100a)通过减少处理所支持的频带(例如，ba，bb，……，bk，aux1，aux2)所需的部件的数目来降低对应rffe模块的成本。特别地，经组合的放大路径cap的使用允许经由单个输入匹配电路im和单个放大器ap来处理所支持的频带。部件数目的这种减少可以允许对应rffe模块的管芯面积的减小，以及因此(物理)尺寸的减小。另一方面，开关b_sel的插入损耗(固有)可能降低rffe架构(100a)关于所支持的频带中的所有所支持的频带的噪声系数(nf)性能。此外，使用相同的输入匹配im和放大器ap可能会降低在优化rffe架构(100a)关于所支持的频带(例如，ba，bb，……，bk，aux1，aux2)中的特定频带的性能(例如，匹配、增益、功率、线性度等)方面的灵活性。这种性能缺陷可以通过图1b的现有技术rffe架构(100b)来解决。
4、图1b的现有技术rffe架构(100b)通过为所支持的频带(例如，ba，bb，……，bk，aux1，aux2)中的每一个提供专用rf放大路径(例如，dapa，dapb，……，dapk，dap1，dap2)来提高对应rffe模块的性能。使用这样的专用放大路径(例如，dapa，dapb，……，dapk，dap1，dap2，其耦接至相同的输出匹配电路om)可以去除对图1a的rffe架构(100a)的开关b_sel的需求，并且因此可以提高rffe架构(100b)的噪声系数(nf)性能。此外，专用rf放大路径(例如，dapa，dapb，……，dapk，dap1，dap2)的专用输入匹配电路(例如，输入匹配电路组imb的ima，imb，……，imk，im1，im2)和专用放大器(例如，放大器组apb的apa，apb，……，apk，ap1，ap2)可以允许在优化rffe架构(100b)关于所支持的频带(例如，ba，bb，……，bk，aux1，aux2)中的特定频带的性能(例如，匹配、增益、功率、线性度等)方面的增加的灵活性。
5、由图1b的现有技术rffe架构(100b)提供的相比于图1a的现有技术rffe架构(100a)提高的性能可能与以下各项有关：专用rf放大路径(例如，dapa，dapb，……，dapk，dap1，dap2)中使用的部件的成本增加、以及对应rffe模块的管芯面积的增加以及因此(物理)尺寸和成本的增加。
6、基于以上内容，本领域技术人员将清楚，现有技术架构(100a，100b)在全局考虑时提供了在优化对应rffe模块的性能或成本之间的二元选择。根据本公开内容的教导为电路设计者和/或系统集成商提供了允许在优化由rffe模块支持的不同频带的每个单独rf处理路径的性能或成本之间的选择方面的灵活性的工具。因此，通过基于所支持的频带的对应输入rf信号的特定性能优先级来部署这样的工具，可以同时优化rffe模块的性能和成本。
技术实现思路
1、根据本公开内容的第一方面，提出了一种多输入多频带低噪声放大器(lna)，其包括：专用rf处理路径，该专用rf处理路径用于处理第一频带的输入rf信号，所述专用rf处理路径包括：专用共源共栅放大器，该专用共源共栅放大器包括专用输入晶体管和耦接至高侧节点的专用输出共源共栅晶体管；以及共享rf处理路径，该共享rf处理路径用于处理相应的第二频带和第三频带的至少两个输入rf信号，所述共享rf处理路径包括：输入频带选择开关；以及多输入共享共源共栅放大器，该多输入共享共源共栅放大器包括多个输入晶体管和耦接至多个输入晶体管的共享输出共源共栅晶体管，其中：共享输出共源共栅晶体管耦接至高侧节点，并且输入频带选择开关被配置成将至少两个输入rf信号中的每一个选择性地耦接至多个输入晶体管中的共享输入晶体管。
2、根据本公开内容的第二方面，提出了一种多输入多频带低噪声放大器(lna)，其包括：专用第一频带rf处理路径，该专用第一频带rf处理路径用于处理通过专用第一频带滤波器从天线接收的第一频带rf信号，所述专用第一频带rf处理路径包括：耦接至专用第一频带共源共栅放大器的专用第一频带输入匹配电路，所述专用第一频带共源共栅放大器包括：专用第一频带输入晶体管和耦接至高侧节点的专用第一频带输出共源共栅晶体管；以及共享rf处理路径，该共享rf处理路径用于处理通过专用第二频带滤波器从天线接收的第二频带rf信号和未从天线接收的第一辅助频带rf信号，所述共享rf处理路径包括：输入频带选择开关；多输入共享共源共栅放大器，该多输入共享共源共栅放大器包括多个输入晶体管和耦接至多个输入晶体管的共享输出共源共栅晶体管；以及耦接在输入频带选择开关与多个输入晶体管中的共享输入晶体管之间的共享输入匹配电路，其中：共享输出共源共栅晶体管耦接至高侧节点，并且输入频带选择开关被配置成将第二频带rf信号或第一辅助频带rf信号之一选择性地耦接至共享输入晶体管。
3、根据本公开内容的第三方面，提出了一种用于对rf前端(rffe)的接收侧的性能和成本进行优化的方法，该方法包括：为用于由rffe进行处理的多个频带中的每个频带分配性能优先级，该性能优先级包括从低到高的范围；基于所述分配，针对每个频带的相应的rf处理路径确立rf处理性能；基于所述确立，基于由工具包提供的电路块来实现相应的rf处理路径本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多输入多频带低噪声放大器(LNA)，包括：
2.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
3.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，还包括：
4.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
5.根据权利要求3所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
6.根据权利要求5所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
7.根据权利要求5所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
8.根据权利要求7所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
9.根据权利要求7所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
10.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
11.根据权利要求10所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
12.根据权利要求11所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
13.根据权利要求12所述的多输入多频
14.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
15.根据权利要求14所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
16.根据权利要求14所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
17.根据权利要求14所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
18.根据权利要求17所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
19.根据权利要求18所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
20.根据权利要求2所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
21.根据权利要求20所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
22.根据权利要求3所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
23.根据权利要求22所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
24.根据权利要求22所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
25.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
26.根据权利要求3所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
27.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
28.根据权利要求27所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
29.根据权利要求28所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
30.一种电子模块，包括根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)。
31.一种方法，包括：
32.一种多输入多频带低噪声放大器(LNA)，包括：
33.根据权利要求32所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，还包括：
34.根据权利要求33所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，还包括：
35.根据权利要求32所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，还包括：
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37.根据权利要求33所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
38.根据权利要求34所述的多输入多频带低噪声放大器(LNA)，其中：
39.一种用于对RF前端(RFFE)的接收侧的性能和成本进行优化的方法，所述方法包括：
40.根据权利要求39所述的方法，其中，所述工具包的所述电路块包括：
41.根据权利要求40所述的方法，其中：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种多输入多频带低噪声放大器(lna)，包括：
2.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
3.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，还包括：
4.根据权利要求1所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
5.根据权利要求3所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
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7.根据权利要求5所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
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18.根据权利要求17所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
19.根据权利要求18所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
20.根据权利要求2所述的多输入多频带低噪声放大器(lna)，其中：
21.根据权利要求20所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃姆雷·艾兰哲，迈尔斯·萨内，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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