发光二极管制造技术

技术编号:41752108 阅读:20 留言:0更新日期:2024-06-21 21:36
本技术属于半导体领域,尤其涉及一种发光二极管,包括:半导体叠层,其包括依序堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一电极,位于第一半导体层之上,包括第一焊盘和第一扩展条,第一扩展条由第一焊盘向发光二极管的中心区域延伸;第二电极,位于第二半导体层之上,包括第二焊盘和第二扩展条,第二扩展条由第二焊盘向发光二极管的中心区域延伸,其中,第二扩展条的末端与第一扩展条的末端相互环绕且非接触。本技术能促进电流的扩展,避免电流聚集,改善ESD爆点缺陷,从而提高发光二极管的抗静电能力和发光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体领域,尤其涉及一种发光二极管


技术介绍

1、发光二极管(light-emitting diode,led)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点,被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。

2、现有长尺寸发光二极管包括半导体叠层和电极,因长尺寸发光二极管具有较长的长边,通常需要从电极的焊盘引出一条扩展条,以提高电流的扩展。然而,该结构的电流扩展仍极为有限,电流易聚集于扩展条的末端区域,致使扩展条的末端区域出现esd爆点,使得发光二极管则易出现烧伤失效的异常,影响使用寿命。


技术实现思路

1、为了解决上述的技术问题,本技术提供一种发光二极管,以促进电流的扩展,避免电流聚集,改善esd爆点缺陷,从而提高发光二极管的抗静电能力和发光亮度,具体技术方案如下:

2、发光二极管,其特征在于,包括:

3、半导体叠层,其包括依序堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层;

4、第一电极,位于第一半导体层之上,包括第一焊盘和第一扩展条,第一扩展条由第一焊盘向发光二极管的中心区域延伸;

5、第二电极,位于第二半导体层之上,包括第二焊盘和第二扩展条,第二扩展条由第二焊盘向发光二极管的中心区域延伸,其中,第二扩展条的末端与第一扩展条的末端相互环绕且非接触。

6、在一些实施例中,所述发光二极管具有长边和短边,长边与短边的长度比例为3至5。

7、在一些实施例中,所述第一扩展条包括第一扩展部和第一折弯部,第二扩展条包括第二扩展部和第二折弯部,其中,第一折弯部与第二折弯部相互环绕且非接触。

8、在一些实施例中,所述第一扩展部的延长线与发光二极管的短边形成夹角θ1,第二扩展部的延长线与发光二极管的短边形成夹角θ2,其中,θ1和θ2的角度范围为60度~85度。

9、在一些实施例中,所述第一折弯部的长度不超过第一扩展条长度的三分之一,第二折弯部的长度不超过第二扩展条长度的三分之一。

10、在一些实施例中,所述第一折弯部、第二折弯部整体或部分包括折线、曲线、或两者组合, 以形成钩状结构。

11、在一些实施例中,所述第一折弯部与第一扩展部连接处的夹角为α1,所述第二折弯部与第二扩展部连接处的夹角为α2,其中,α1和α2的角度范围为95度~130度。

12、在一些实施例中,所述第一折弯部的宽度不小于第一扩展部的宽度,第二折弯部的宽度不小于第二扩展部的宽度。

13、在一些实施例中,所述第一折弯部与第二折弯部之间的最短距离不小于10μm。

14、在一些实施例中,所述第一扩展条与第二扩展条的长度相同。

15、在一些实施例中,所述第一扩展条、第二扩展条的宽度为1~5μm。

16、本技术改进了传统发光二极管中两电极的位置及结构,其中,第一电极包括第一焊盘和第一扩展条,第一扩展条由第一焊盘向发光二极管的中心区域延伸,第二电极包括第二焊盘和第二扩展条,第二扩展条由第二焊盘向发光二极管的中心区域延伸,使得第二扩展条的末端与第一扩展条的末端相互环绕且非接触,以此促进电流的扩展,避免电流聚集,改善esd爆点缺陷,从而提高发光二极管的抗静电能力和发光亮度。

17、本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

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【技术保护点】

1.发光二极管,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管具有长边和短边,长边与短边的长度比例为3至5。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一扩展条包括第一扩展部和第一折弯部,第二扩展条包括第二扩展部和第二折弯部,其中,第一折弯部与第二折弯部相互环绕且非接触。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一扩展部的延长线与发光二极管的短边形成夹角θ1,第二扩展部的延长线与发光二极管的短边形成夹角θ2,其中,θ1和θ2的角度范围为60度~85度。

5.根据权利要求3所述的发光二极管, 其特征在于,所述第一折弯部的长度不超过第一扩展条长度的三分之一,第二折弯部的长度不超过第二扩展条长度的三分之一。

6.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一折弯部、第二折弯部整体或部分包括折线、曲线、或两者组合, 以形成钩状结构。

7.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一折弯部与第一扩展部连接处的夹角为α1,所述第二折弯部与第二扩展部连接处的夹角为α2,其中,α1和α2的角度范围为95度~130度。

8.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一折弯部的宽度不小于第一扩展部的宽度,第二折弯部的宽度不小于第二扩展部的宽度。

9.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一折弯部与第二折弯部之间的最短距离不小于10μm。

10.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一扩展条与第二扩展条的长度相同。

11.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一扩展条、第二扩展条的宽度为1~5μm。

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【技术特征摘要】

1.发光二极管,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管具有长边和短边,长边与短边的长度比例为3至5。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一扩展条包括第一扩展部和第一折弯部,第二扩展条包括第二扩展部和第二折弯部,其中,第一折弯部与第二折弯部相互环绕且非接触。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一扩展部的延长线与发光二极管的短边形成夹角θ1,第二扩展部的延长线与发光二极管的短边形成夹角θ2,其中,θ1和θ2的角度范围为60度~85度。

5.根据权利要求3所述的发光二极管, 其特征在于,所述第一折弯部的长度不超过第一扩展条长度的三分之一,第二折弯部的长度不超过第二扩展条长度的三分之一。

6.根据权利要求3所述的发光二极管,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:桂亮亮周立汪琴汪玉林兓兓
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司
类型:新型
国别省市:

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