【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池，尤其涉及一种topcon电池、topcon电池的钝化方法及制备方法。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触太阳能电池（tunnel oxide passivated contact solarcell,topcon）是2013年在第28届欧洲 pvsec 光伏大会上德国 fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池。
2、典型的topcon电池的结构如图1所示，硅片，硅片的正面层叠设置有硼扩散层、钝化层、正面减反射层，正面电极，硅片的背面层叠设置有隧穿氧化层、（掺杂）多晶硅层、背面减反射层、背面电极。其电池背面的隧穿氧化层与（掺杂）多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。特别是n型topcon电池，相比于p型perc电池(passivated emitter rear cell，钝化反射极和背面电池结构) ，磷掺杂的n型晶体硅中硼含量较低，具有较好的钝化效果。
3、钝化效果越好，越有利于提升电池的开路电压voc，而全面积地收集载流子，降低寿命敏感度，有利于提升填充因子ff，阻挡少子通过同时使多子无障碍的轻松通过，减少复合，因此，钝化效果越好越有利于提升电池各方面的性能。基于此，如何在现有topcon电池结构上继续提升topcon电池的钝化效果，是本领域技术人员研究的热点。
技术实现思路
1、1. 要解决的问题
2、本专利技术的目的之一在于提供一种topcon电池的钝化方
3、同时，本专利技术还提供了所述方法制备得到topcon电池及其制备方法。
4、2. 技术方案
5、为了解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：
6、根据本专利技术的目，本专利技术第一方面提供了一种topcon电池的钝化方法，包括以下步骤：
7、提供镀氮化硅层后的硅片，对所述硅片进行光注入处理；
8、对光注入处理后的硅片进行印刷、烧结；
9、其中，采用激光进行所述的光注入处理。
10、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的topcon电池的钝化方法，所述光注入处理时，光强为300suns~1000suns。
11、优选地，所述光注入处理时，光强为500suns~1000suns。
12、进一步优选地，所述光注入处理时，光强为550suns~650suns。
13、如在此所述的，进行光注入处理时的“光强”大小，主要影响电池片经过光注入激活后的氢钝化效果，如果光强过小（比如低于300suns）会导致氢钝化的能力偏弱，对于电池片的性能提升不大或没有提升；如果光强过大（比如大于1000suns）会影响其对电池pn结的破坏，造成无法修复的损伤。
14、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的topcon电池的钝化方法，所述光注入处理时，环境温度小于400℃。
15、优选地，所述光注入处理时，环境温度为100~300℃。
16、进一步优选地，所述光注入处理时，环境温度为25~300℃。
17、如在此所述的，进行光注入处理时的“环境温度”当于对电池片进行预加热，因此“环境温度”的大小主要影响光注入的效果。基于此如果环境温度过小（比如低于100℃），则会则增加瞬间较大光强时会对电池片造成破坏，如果环境温度过大（比如大于400℃）在增加较大的光强，也会对电池片造成破坏；故环境温度和光强是相互辅助进行的。
18、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的topcon电池的钝化方法，所述光注入处理时，时间不超过2s。
19、优选地，所述光注入处理时，时间为0.1~1.5 s
20、进一步优选地，所述光注入处理时，时间为0.5~1.5 s。
21、根据本专利技术目的的第一方面的任一实施方案的topcon电池的钝化方法，所述烧结包括预烧结、烧结却三个阶段；其中，
22、所述预烧结条件为：温度800~900℃、时间10~90s；
23、所述烧结条件为：温度880~900℃、时间30~40s。
24、本专利技术第二方面提供一种topcon电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
25、s1：对硅片进行制绒处理；
26、s2：对硅片进行硼扩散处理；
27、s3：对硅片进行去bsg处理、碱抛处理；
28、s4：在硅片表面沉积隧穿氧化层、非晶硅层，并进行磷的原位掺杂；
29、s5：对硅片进行高温退火处理；
30、s6：对硅片进行去psg处理、清洗处理；
31、s7：在所述硅片的表面形成钝化层；
32、s8：在所述硅片的表面形成氮化硅层；
33、s9：对硅片进行光注入处理，所述光注入处理的条件如本专利技术第一方面的任一实施方案的光注入处理条件；
34、s10：印刷形成电极，并进行烧结。
35、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层）。
36、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层），所述硼扩散层的硼掺杂浓度为1.0e18~1.0e20 cm-3。
37、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层），所述硼扩散层的结深为0.1~2um。
38、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层），所述硼扩散层的方阻为100-500ω/sqr。
39、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层），所述硼扩散层的硼掺杂浓度为1.0e18~1.0e20 cm-3、结深为0.1~2um。
40、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层），所述硼扩散层的硼掺杂浓度为1.0e18~1.0e20 cm-3、方阻为100-500ω/sqr。
41、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的topcon电池的制备方法，步骤s2中，所述硼扩散处理后，形成硼扩散层（简写为p+层），所述硼扩散层的硼掺杂浓度为1.0e18~1.0e20 cm-3、结深为0.1~2um、方阻为100-500ω/sqr。
42、根据本专利技术目的的第二方面的任一实施方案的tbc太阳能电池的制备方法，所述硼扩散的温度为 600~1050℃。...
【技术保护点】
1. TOPCon电池的钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：
2. 根据权利要求 1所述的TOPCon电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，光强为300suns~1000suns。
3. 根据权利要求 1所述的TOPCon电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，光强范围为500suns~1000suns。
4.根据权利要求2所述的TOPCon电池钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，环境温度小于400℃。
5.根据权利要求2所述的TOPCon电池钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，环境温度为100~300℃。
6.根据权利要求1~5任一所述的TOPCon电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，时间不超过2s。
7. 根据权利要求 1~5任一所述的TOPCon电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，时间为0.1~1.5 s。
8. 根据权利要求 1~5任一所述的TOPCon电池的钝化方法，其特征在于，所述烧结包括预烧结、烧结；所述预烧结条件为：温度800~900℃、时
9. TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10. TOPCon电池，其特征在于，所述TOPCon电池根据权利要求1~8任一所述的方法进行钝化处理，或者根据权利要求8所述的方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1. topcon电池的钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：
2. 根据权利要求 1所述的topcon电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，光强为300suns~1000suns。
3. 根据权利要求 1所述的topcon电池的钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，光强范围为500suns~1000suns。
4.根据权利要求2所述的topcon电池钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，环境温度小于400℃。
5.根据权利要求2所述的topcon电池钝化方法，其特征在于，所述光注入处理时，环境温度为100~300℃。
6.根据权利要求1~5任一所述的topcon电池的钝...
【专利技术属性】
技术研发人员：范洵，付少剑，张明明，鲁涛，何帅，蒋锴，崔格格，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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