【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是关于一种半导体封装体以及冷却其的方法，特别是关于一种具有封装盖的半导体封装体以及冷却其的方法。
技术介绍
1、一种半导体封装体可包括安装在封装基板上的一个或多个半导体裸晶(例如，半导体芯片)。半导体裸晶的运行可能会产生热，从而导致封装体寿命以及运行效率下降。因此，半导体封装体可包括用以将由半导体裸晶的运行产生的热移除以及/或进行散热的机构。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体封装体，包括封装基板、中介层模块以及封装盖，中介层模块在封装基板上，封装盖在中介层模块上，封装盖包括均温板基部(vacuum chamberbase)，均温板基部包括板部以及角部(angled portion)，角部从板部的两端以一角度延伸。
2、本公开实施例提供一种半导体装置，包括系统板、集成电路(integratedcircuit,ic)装置以及半导体封装体，集成电路装置安装在系统板上，半导体封装体安装在系统板上邻近于集成电路装置之处，半导体封装体包括封装基板、中介层模块以及封装盖，中介层模块在封装基板上，封装盖在中介层模块上，且包括均温板基部，均温板基部包括板部以及角部，角部从板部的两端以一角度延伸，其中角部位于集成电路装置之上。
3、本公开实施例提供一种冷却具有封装盖的半导体封装体的方法，包括将半导体封装体置于浸没式冷却腔室中；将半导体封装体浸没在浸没式冷却腔室中的浸没式冷却剂中，使得封装盖的均温板基部的板部以及角部浸没在浸没式冷却剂中；以及将热从均温
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1.一种半导体封装体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，该封装盖更包括一增强表面，该增强表面包括在该均温板基部上的一不平坦上表面。
3.如权利要求2所述的半导体封装体，其特征在于，该增强表面包括一增强层，该增强层包括多个空腔。
4.如权利要求2所述的半导体封装体，其特征在于，该增强表面的一厚度小于或等于该均温板基部的一厚度的0.05倍。
5.如权利要求2所述的半导体封装体，其特征在于，该增强表面包括铜网或铜粉末之一者。
6.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，该均温板基部的一壁的一厚度大于或等于该均温板基部的一厚度的0.25倍。
7.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，该板部的两端包括该板部的一第一端以及与板部该第一端相对的该板部的一第二端，以及
8.如权利要求7所述的半导体封装体，其特征在于，该板部在该第一端以及该第二端之间的一长度大于该中介层模块的一长度。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括：
10.一种冷却具有封装盖
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，该封装盖更包括一增强表面，该增强表面包括在该均温板基部上的一不平坦上表面。
3.如权利要求2所述的半导体封装体，其特征在于，该增强表面包括一增强层，该增强层包括多个空腔。
4.如权利要求2所述的半导体封装体，其特征在于，该增强表面的一厚度小于或等于该均温板基部的一厚度的0.05倍。
5.如权利要求2所述的半导体封装体，其特征在于，该增强表面包括铜网或铜粉末之一者。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林柏尧，林昱圣，言玮，赖昱志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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