System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有屏蔽电子器件层的图像传感器制造技术_技高网

具有屏蔽电子器件层的图像传感器制造技术

技术编号:41748624 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-21 21:34
一种成像系统(500),包括图像传感器(510),所述图像传感器包括:M个辐射检测器(100)的堆栈,每个所述辐射检测器包括(A)辐射吸收层(110)和(B)被配置为处理在所述辐射吸收层(110)中产生的电信号的电子器件层(120),M为大于1的整数;以及分别用于所述M个辐射检测器(100)的M个电子器件层(120)的M个准直器区域(515),其中存在用于所述图像传感器(510)的参考直线(519),使得对于所述M个电子器件层(120)中的每个电子器件层(120),与所述每个电子器件层(120)相交且平行于所述参考直线(519)的每条直线(519)与对应的准直器区域(515)相交,并且其中对于所述M个辐射吸收层(110)中的每个辐射吸收层(110),与所述每个辐射吸收层(110)相交且平行于所述参考直线(519)的每条直线(519)不与所述M个准直器区域(515)的任何准直器区域相交。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

0、
技术介绍

1、辐射探测器是测量辐射特性的装置。该特性的示例可以包括辐射的强度、相位和偏振的空间分布。由辐射检测器测量的辐射可以是已经透过物体的辐射。辐射检测器测量的辐射可以是电磁辐射,例如红外光、可见光、紫外光、x射线或γ射线。辐射可以是其他类型的,例如α射线和β射线。成像系统可以包括一个或多个图像传感器,每个图像传感器可以具有一个或多个辐射检测器。


技术实现思路

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技术实现思路

1、本文公开了一种成像系统,所述成像系统包括图像传感器,所述图像传感器包括:m个辐射检测器的堆栈,每个所述辐射检测器包括(a)辐射吸收层和(b)被配置为处理在所述辐射吸收层中产生的电信号的电子器件层,m为大于1的整数;以及分别用于所述m个辐射检测器的m个电子器件层的m个准直器区域,其中存在用于所述图像传感器的参考直线,使得对于所述m个电子器件层中的每个电子器件层,与所述每个电子器件层相交且平行于所述参考直线的每条直线与对应的准直器区域相交,并且其中对于所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层,与所述每个辐射吸收层相交且平行于所述参考直线的每条直线不与所述m个准直器区域的任何准直器区域相交。

2、在一方面,所述m个准直器区域分别位于所述m个电子器件层上。

3、在一方面,所述成像系统还包括辐射源,其中所述m个准直器区域中的每个准直器区域相对于所述辐射源完全遮蔽对应的电子器件层。

4、在一方面,所述m个准直器区域中的每个准直器区域具有板的形状,所述板的厚度与所述对应的电子器件层的厚度相同。

5、在一方面,所述m个辐射吸收层和所述m个电子器件层以交替方式布置。

6、在一方面,所述m个准直器区域包含钨。

7、在一方面,对于所述m个辐射检测器中的每个辐射检测器,所述每个辐射检测器的所述辐射吸收层被配置为响应于入射x射线光子产生电信号,并且其中所述每个辐射检测器的所述电子器件层被配置为处理产生的电信号。

8、在一方面,所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层包括布置在多个传感元件列中的多个传感元件,其中对于所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层的每个传感元件列,所述成像系统被配置为将所述每个传感元件列中的电压超过预定阈值电压的传感元件的最终电压相加,并且其中平行于所述参考直线的一直线与所述每个传感元件列的所有传感元件都相交。

9、在一方面,对所述每个传感元件列中的最终电压超过所述每个传感元件列中的第二传感元件的最终电压至少预定电压容差值的第一传感元件不进行所述最终电压的所述相加,其中所述第一传感元件与所述第二传感元件相邻,并且其中所述第二传感元件位于所述第一传感元件与所述m个准直器区域之间。

10、在一方面,对所述每个传感元件列中的最终电压超过相邻传感元件列中的第二传感元件的最终电压至少预定电压容差值的第一传感元件不进行所述最终电压的所述相加,其中垂直于所述参考直线的一直线与所述第一传感元件和所述第二传感元件都相交。

11、在一方面,所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层包括布置在多个传感元件列中的多个传感元件,其中所述图像传感器的所述传感元件列布置在相邻传感元件列的多个传感元件列组中,其中对于所述图像传感器的每个传感元件列组,所述成像系统被配置为将所述每个传感元件列组中的电压超过预定阈值电压的传感元件的最终电压相加,其中所述每个传感元件列组包括n个传感元件列,n为大于1的整数,并且其中对于所述每个传感元件列组中的每个传感元件列,平行于所述参考直线的一直线与所述每个传感元件列中的所有传感元件都相交。

12、本文公开了一种方法,所述方法包括:利用成像系统的图像传感器接收入射辐射,所述图像传感器包括:m个辐射检测器的堆栈,每个所述辐射检测器包括(a)辐射吸收层和(b)被配置为处理在所述辐射吸收层中产生的电信号的电子器件层,m为大于1的整数;以及分别用于所述m个辐射检测器的m个电子器件层的m个准直器区域,其中存在用于所述图像传感器的参考直线,使得对于所述m个电子器件层中的每个电子器件层,与所述每个电子器件层相交且平行于所述参考直线的每条直线与对应的准直器区域相交,并且其中对于所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层,与所述每个辐射吸收层相交且平行于所述参考直线的每条直线不与所述m个准直器区域的任何准直器区域相交。

13、在一方面,所述m个准直器区域分别位于所述m个电子器件层上和其中。

14、在一方面,所述m个准直器区域中的每个准直器区域相对于同一辐射源完全遮蔽对应的电子器件层。

15、在一方面,所述m个准直器区域中的每个准直器区域具有板的形状,所述板的厚度与所述对应的电子器件层的厚度相同。

16、在一方面,所述m个辐射吸收层和所述m个电子器件层以交替方式布置。

17、在一方面,所述m个准直器区域包括钨。

18、在一方面,对于所述m个辐射检测器中的每个辐射检测器,所述每个辐射检测器的所述辐射吸收层被配置为响应于入射x射线光子产生电信号,并且其中所述每个辐射检测器的所述电子器件层被配置为处理产生的电信号。

19、在一个方面,所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层包括布置在多个传感元件列中的多个传感元件,其中所述方法还包括:对于所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层的每个传感元件列,利用所述成像系统将所述每个传感元件列中的电压超过预定阈值电压的传感元件的最终电压相加,并且其中平行于所述参考直线的一直线与所述每个传感元件列的所有传感元件都相交。

20、在一方面,对所述每个传感元件列中的最终电压超过所述每个传感元件列中的第二传感元件的最终电压至少预定电压容差值的第一传感元件不进行所述最终电压的所述相加,其中所述第一传感元件与所述第二传感元件相邻,并且其中所述第二传感元件位于所述第一传感元件与所述m个准直器区域之间。

21、在一方面,对所述每个传感元件列中的最终电压超过相邻传感元件列中的第二传感元件的最终电压至少预定电压容差值的第一传感元件不进行所述最终电压的所述相加,其中垂直于所述参考直线的一直线与所述第一传感元件和所述第二传感元件都相交。

22、在一方面,所述m个辐射吸收层中的每个辐射吸收层包括布置在多个传感元件列中的多个传感元件,其中所述图像传感器的所述传感元件列布置在相邻传感元件列的多个传感元件列组中,其中所述方法还包括:对于所述图像传感器的每个传感元件列组,利用所述成像系统将所述每个传感元件列组中的电压超过预定阈值电压的传感元件的最终电压相加,其中所述每个传感元件列组包括n个传感元件列,n为大于1的整数,并且其中对于所述每个传感元件列组中的每个传感元件列,平行于所述参考直线的一直线与所述每个传感元件列中的所有传感元件都相交。

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【技术保护点】

1.一种成像系统,包括图像传感器,所述图像传感器包括:

2.根据权利要求1所述的成像系统,其中,所述M个准直器区域分别位于所述M个电子器件层上并与所述M个电子器件层直接物理接触。

3.根据权利要求1所述的成像系统,还包括辐射源,

4.根据权利要求1所述的成像系统,

5.根据权利要求1所述的成像系统,

6.根据权利要求1所述的成像系统,其中,所述M个准直器区域包含钨。

7.根据权利要求1所述的成像系统,

8.根据权利要求1所述的成像系统,

9.根据权利要求8所述的成像系统,

10.根据权利要求8所述的成像系统,

11.根据权利要求1所述的成像系统,

12.一种方法,包括:

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述M个准直器区域分别位于所述M个电子器件层上并与所述M个电子器件层直接物理接触。

14.根据权利要求12所述的方法,

15.根据权利要求12所述的方法,

16.根据权利要求12所述的方法,>

17.根据权利要求12所述的方法,其中,所述M个准直器区域包含钨。

18.根据权利要求12所述的方法,

19.根据权利要求12所述的方法,

20.根据权利要求19所述的方法,

21.根据权利要求19所述的方法,

22.根据权利要求12所述的方法,

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种成像系统,包括图像传感器,所述图像传感器包括:

2.根据权利要求1所述的成像系统,其中,所述m个准直器区域分别位于所述m个电子器件层上并与所述m个电子器件层直接物理接触。

3.根据权利要求1所述的成像系统,还包括辐射源,

4.根据权利要求1所述的成像系统,

5.根据权利要求1所述的成像系统,

6.根据权利要求1所述的成像系统,其中,所述m个准直器区域包含钨。

7.根据权利要求1所述的成像系统,

8.根据权利要求1所述的成像系统,

9.根据权利要求8所述的成像系统,

10.根据权利要求8所述的成像系统,

11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹培炎刘雨润
申请(专利权)人:深圳帧观德芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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