System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其制备方法及应用技术_技高网

一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其制备方法及应用技术

技术编号:41748186 阅读:3 留言:0更新日期:2024-06-21 21:33
本发明专利技术公开了一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其制备方法及应用,该底部填充胶以总重量为100%计,包括:填充剂60~65%,环氧树脂16~23%,固化剂13~19%,促进剂0.2~0.4%,颜料0~0.3%;所述填充剂选择聚环氧丙烷接枝改性的二氧化硅;所述环氧树脂为端羧基丁腈液体橡胶改性的双酚型环氧树脂。本申请底部填充可抑制加热固化过程中的二氧化硅沉降现象。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体芯片底部填充胶,具体涉及一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其制备方法及应用


技术介绍

1、底部填充胶主要包括环氧树脂和无机填料,用来对bga和csp封装模式的芯片进行底部填充,经加热固化后形成填充层,以填满芯片底部空隙。底部填充胶中大多采用二氧化硅作为无机填料,然而二氧化硅表面对水有强亲和力,当二氧化硅与湿空气接触时,表面上的硅原子就会和水“反应”,以保持与氧的四面体配位,满足表面硅原子的化合价,水分子不可逆地吸附在其表面,导致其难以在有机相中润湿和分散。此外,在点胶过程中,由于高温加热,使填充胶的粘度骤降,分子间摩擦力随之降低,由于二氧化硅所受重力大于其与环氧树脂间的作用力,而发生沉降现象,表现为上层二氧化硅密度低,下层二氧化硅密度高,严重影响材料的物性及稳定性。可参见图1,示出了加热固化前后二氧化硅颗粒1在树脂基体2中的分布情况示意,该图示出了加热固化过程中二氧化硅颗粒1的沉降现象。


技术实现思路

1、本申请的目的之一是提供一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,以总重量为100%计,所述填充胶包括:填充剂60~65%,环氧树脂16~23%,固化剂13~19%,促进剂0.2~0.4%,颜料0~0.3%;所述填充剂选择聚环氧丙烷接枝改性的二氧化硅;所述环氧树脂为端羧基丁腈液体橡胶改性的双酚型环氧树脂。

2、在一些实施例中,本申请底部填充胶以总重量为100%计,包括:填充剂62.5~65%,环氧树脂16~20%,固化剂17~18.5%,促进剂0.2~0.4%,颜料0~0.3%;所述填充剂选择聚环氧丙烷接枝改性的二氧化硅;所述环氧树脂为端羧基丁腈液体橡胶改性的双酚型环氧树脂。

3、在一些实施例中,本申请底部填充胶以总重量为100%计,包括:填充剂60~62.5%,环氧树脂20~23%,固化剂16.5~17%,促进剂0.2~0.4%,颜料0~0.3%;所述填充剂选择聚环氧丙烷接枝改性的二氧化硅;所述环氧树脂为端羧基丁腈液体橡胶改性的双酚型环氧树脂。

4、在一些实施例中,填充剂选择日本雅都玛型号se203g-sej产品和/或浙江三时纪型号eqh1605-sed产品。

5、在一些实施例中,环氧树脂选择三菱化学型号yx7105产品和/或三菱化学型号产品yx7400。

6、在一些实施例中,固化剂选择胺类固化剂,例如3,3'-二甲基-4,4'-二氨基二环己基甲烷或4,4'-二氨基二环己基甲烷。

7、在一些实施例中,促进剂选择咪唑类促进剂,例如2-乙基-4甲基咪唑或n-甲基咪唑。

8、在一些实施例中,颜料选择炭黑。

9、本申请的目的之二是提供上述底部填充胶的制备方法,包括:

10、按配比取各原料混合并搅拌,得到胶状物;

11、利用三辊筒对胶状物进行分散处理;

12、再进行搅拌以及真空脱泡,即得底部填充胶产品。

13、本申请的目的之三是提供上述底部填充胶在用于对bga芯片或csp芯片进行底部填充中的应用。

14、与现有技术相比,本申请具有如下优点和有益效果:

15、本申请中填充剂选择聚环氧丙烷接枝改性的二氧化硅,该改性二氧化硅表面接枝有环氧基团,根据相似相容原理,该改性二氧化硅与环氧树脂的相容性更强,更易于分散于环氧树脂基材中;且也能增强与环氧树脂间的作用力,有利于减少沉降。

16、本申请中环氧树脂选择端羧基丁腈液体橡胶改性的双酚型环氧树脂,端羧基丁腈液体橡胶分子链两端为活性官能团羧基,在加热固化过程中,丁晴橡胶分子链上的羧基可与环氧树脂中环氧基反应,形成嵌段聚合物,且带有强极性的-cn基团,可进一步增强与改性二氧化硅间的作用力,从而避免加热固化过程中二氧化硅的沉降。

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【技术保护点】

1.一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

2.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

3.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

4.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

5.如权利要求4所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

6.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

7.权利要求6所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

8.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

9.权利要求1-8中任一项所述底部填充胶的制备方法,其特征在于,包括:

10.权利要求1-8中任一项所述的底部填充胶在用于对BGA芯片或CSP芯片进行底部填充中的应用。

【技术特征摘要】

1.一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

2.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

3.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

4.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

5.如权利要求4所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶,其特征在于:

6.权利要求1-3中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:伍得王圣权廖述杭苏峻兴
申请(专利权)人:武汉市三选科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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