【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、正在开发互补场效应晶体管(cfet)以满足对增加集成电路中晶体管的密度的日益增长的需求。cfet包括底部晶体管和与底部晶体管重叠的顶部晶体管。多个cfet的底部晶体管和顶部晶体管可以互连以形成电路。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底中形成第一导电部件和第二导电部件；在所述衬底上方形成第一互补场效应晶体管(cfet)，形成所述第一互补场效应晶体管包括：形成包括第一栅极和第一源极/漏极区域的第一下部晶体管；以及形成包括第二栅极和第二源极/漏极区域的第一上部晶体管，所述第一上部晶体管与所述第一下部晶体管重叠；以及形成连接至所述第一导电部件和所述第二源极/漏极区域的导电通孔熔丝。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导电部件和第二导电部件，位于衬底中；第一互补场效应晶体管(cfet)，位于所述衬底上方，所述互补场效应晶体管包括：第一下部晶体管，包括第一栅极和第一源极/漏极区域；以及第一上部晶体管，包括第二栅极、第二源极/漏极区域和位于所述第二源极/漏极区域上的第一接触结构，所述第一上部晶体管与所述第一下部晶体管重叠；以及导电通孔熔丝，连接至所述第一接触结构和所述第一导电部件。
3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体结构，包括：互补场效应晶体管(cfet)，包括：第一掩埋导电部件和第二掩埋导电部件，位于衬底中；下部晶体管，包括：第一栅极堆叠件
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1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电通孔熔丝邻近所述第一下部晶体管。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电部件和所述第二导电部件是掩埋电源轨。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电部件是存储器单元阵列的位线。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述导电通孔熔丝比所述导电通孔长。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一下部晶体管不是有源电路的一部分，并且所述第一栅极、所述第一源极/漏极区域和所述第二导电部件都耦合至电源电压VDD。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电通孔熔丝配置为用作用于所述互补场效应晶体管的熔丝。
9.一种半导体结构，包括：
10.一种半导体结构，包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电通孔熔丝邻近所述第一下部晶体管。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电部件和所述第二导电部件是掩埋电源轨。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电部件是存储器单元阵列的位线。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求5所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张盟昇，黄家恩，杨忆欣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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