【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，特别涉及一种多芯片高密度互联结构及其制造方法。
技术介绍
1、倒装芯片球栅格阵列(flip chip ball grid array，fcbga)基板是针对人工智能(ai)、大数据、高性能计算(hpc)、智能汽车和数据中心等新兴需求应用的中央处理器(cpu)、图形处理器(gpu)、现场可编程门阵列(fpga)等高端数字芯片的重要载体，具有高算力、高速度、高带宽、低延迟、低功耗、多功能和系统级集成等许多优点。
2、在高速和高带宽应用的驱动下,迫切需要建立高密度的芯片和芯片互连结构，为了实现更高密度的互联，目前提出了一种封装结构，即利用硅转接板将多个芯片组装到硅转接板上的先进封装技术。先进封装技术单位面积下的输入输出i/0越来越密集,封装尺寸(例如2.5d封装)越来越大。
3、然而，现有2.5d封装中硅转接板的最大面积约2500mm2，现有fcbga基板的最大尺寸约10000mm2，增大硅转接板和fcbga基板的面积会面临良率和制造挑战。而且，对于不同厚度的异质芯片，如果基板尺寸较大，贴片、塑封、塑封料减薄、基板减薄等工艺都可能使基板产生较大的翘曲，导致无法进行后续封装工艺，进而影响封装良率。
技术实现思路
1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术提供一种多芯片高密度互联结构，该结构包括：
2、多个塑封层，包括第一塑封层和第二塑封层，所述第一塑封层中设置垂直互连结构以及硅桥；
3、多个芯片模块，所述多个芯片模
4、多个重布线层，包括第一重布线层和第二重布线层，所述第一重布线层的第一表面通过所述垂直互连结构与所述第二重布线电连接；
5、焊球，所述焊球与所述第一重布线层电连接；
6、所述多个芯片模块之间通过所述微凸点、所述硅桥和/或所述第二重布线电连接。
7、进一步地，所述第一塑封层中还设置无源器件，所述无源器件通过所述微凸点和所述第二重布线与所述多个芯片模块电连接。
8、进一步地，所述第一塑封层为环氧树脂或者味之素堆积膜或者双马来酰亚胺三嗪树脂中的一种或多种；和/或
9、所述第二塑封层为环氧树脂。
10、进一步地，所述多个芯片模块包含多个相同的芯片，或者多个同类型的芯片，或者多个不同类型的芯片。
11、进一步地，所述多个芯片模块的芯片材质包括硅或者砷化镓或者氮化镓。
12、进一步地，所述第一重布线层包括第一介质层和第一金属层；和/或
13、所述第二重布线层包括第二介质层和第二金属层。
14、本专利技术还提供一种多芯片高密度互联结构的制造方法，该方法包括如下步骤：
15、在载片的第一表面，制作第一重布线层；
16、在所述第一重布线层的第一表面，制作垂直互连结构、硅桥以及无源器件；
17、塑封并包覆所述垂直互连结构、所述硅桥以及所述无源器件，形成第一塑封层；
18、在所述第一塑封层的第一表面，制作第二重布线层；
19、将多个芯片模块布置在所述第二重布线层的第一表面，底填固化所述多个芯片模块的第二表面，并去除所述载片；
20、塑封并包覆所述多个芯片模块，形成第二塑封层；
21、在所述第一重布线层的第二表面布置焊球。
22、进一步地，所述第一重布线层包括第一介质层和第一金属层；和/或
23、所述第二重布线层包括第二介质层和第二金属层。
24、进一步地，所述垂直互连结构为塑封通孔。
25、进一步地，所述多个芯片模块包含多个相同的芯片，或者多个同类型的芯片，或者多个不同类型的芯片。
26、与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
27、1.本专利技术通过在塑封层中设置硅桥实现芯片的电连接，增大了封装的尺寸。
28、2.本专利技术不使用价格高昂的硅转接板和硅通孔，进一步降低了封装成本。
29、3.本专利技术将多个芯片模块塑封在第二塑封层中，将硅桥和无源器件塑封在第一塑封层中。由于结构近似对称，上下两层塑封层有助于减少大尺寸多芯片封装的翘曲风险。
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1.一种多芯片高密度互联结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，所述多个芯片模块的芯片材质包括硅或者砷化镓或者氮化镓。
6.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
7.一种多芯片高密度互联结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种多芯片高密度互联结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的多芯片高密度互联结构，其特征在于，所述多个芯片模块的芯片材质...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯峰泽，尤祥安，王启东，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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