【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在基板上形成氧化硅薄膜的方法。
技术介绍
1、氧化硅薄膜(sio2 layer)被应用于双重图形技术(dpt)、线性氧化(lineroxidation)、硬掩模(hardmask)等多种工艺步骤。
2、近来，随着半导体制造工艺中的设计规则(design rule)的减少而出现了图案的微细化，工艺过程变得更加复杂和多样化，对易于沉积和去除薄膜的氧化硅薄膜的需求在不断增加。尤其，随着半导体电路图案逐渐微细化，即使是高纵横比(high aspect ratio)，也为了保持图案内形状，具有较低蚀刻速度(etch rate)和台阶覆盖的致密结构的氧化硅薄膜的必要性在不断增加。
3、根据现有技术，采用等离子体增强原子层沉积方法(plasma enhanced atomiclayer deposition，peald)而在低温(≤400℃)下形成氧化硅薄膜，以供给硅源并实施第一次吹扫步骤后再供给氧气等离子体而实施第二次吹扫步骤为一个单位周期而实施至少一次以上，从而在基板上形成氧化硅薄膜。
4、但是，通过所述的低温peald方法形成的氧化硅薄膜具有蚀刻速度高的缺点，若为了增强氧化硅薄膜的膜质而提高工艺温度，则沉积速度(deposition rate)将降低，若增加等离子体能量和处理时间，则膜质的台阶覆盖(step coverage)将降低，因此需要一种能够弥补这些缺点的方法。
技术实现思路
1、技术问题
2、根据一个实施例，提供一
3、解决问题的手段
4、根据实施例的氧化硅薄膜的形成方法作为利用基板处理装置的氧化硅薄膜的形成方法，该基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，位于所述处理空间，用于安置所述基板；气体喷射部，与所述基板支撑部相对地设置，向所述基板上喷射气体；及rf电源部，连接到所述基板支撑部和气体喷射部中的至少一个而供给用于产生等离子体的rf电源，并且所述方法包括如下步骤：在所述基板支撑部安置基板；施加第一rf电源而形成等离子体，分别供给硅源气体和氧源气体而在所述基板上形成氧化硅薄膜；及施加频率不同于所述第一rf电源的第二rf电源而形成等离子体，供给含氢气体，利用氢等离子体对所述氧化硅薄膜进行后处理。
5、根据一个实施例，形成所述氧化硅薄膜的步骤中，实施至少一次以上包括如下步骤的单位周期而在所述基板上形成氧化硅薄膜：向所述基板供给硅源气体使硅源被吸附到所述基板上的步骤；向所述处理空间供给吹扫气体的第一吹扫步骤；施加所述第一rf电源而形成等离子体，向所述处理空间供给氧源气体而在所述基板上形成氧化硅薄膜的步骤；及向所述处理空间供给吹扫气体的第二吹扫步骤。
6、根据一个实施例，所述硅源气体可以包括选自有机硅前驱体化合物、硅烷系硅前驱体、烷基硅烷及氨基硅烷的一种以上，所述氧源气体可以包括氧气(o2)及臭氧(o3)气体中的至少一个。
7、根据一个实施例，所述第一rf电源是高频(high frequency，hf)电源，第二rf电源是超高频(very high frequency，vhf)电源。
8、根据一个实施例，形成所述氧化硅薄膜的步骤是在50至400℃的温度下实施，对所述氧化硅薄膜进行后处理的步骤是在1至10torr的压力条件下实施0.1至120秒。
9、专利技术效果
10、根据实施例的氧化硅薄膜形成方法中，通过400℃以下的低温的等离子体增强原子层沉积工艺形成氧化硅薄膜，利用氢等离子体对氧化硅薄膜进行后处理而去除膜质内的氢，引导硅硅键(si-si bond)的形成，从而可以形成湿式蚀刻速度和台阶覆盖优异的氧化硅薄膜。
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1.一种氧化硅薄膜的形成方法，作为利用基板处理装置的氧化硅薄膜的形成方法，该基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，位于所述处理空间，用于安置所述基板；气体喷射部，与所述基板支撑部相对地设置，向所述基板上喷射气体；及RF电源部，连接到所述基板支撑部和气体喷射部中的至少一个而供给用于产生等离子体的RF电源，
2.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，
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【技术特征摘要】
1.一种氧化硅薄膜的形成方法，作为利用基板处理装置的氧化硅薄膜的形成方法，该基板处理装置包括：工艺腔室，形成用于处理基板的处理空间；基板支撑部，位于所述处理空间，用于安置所述基板；气体喷射部，与所述基板支撑部相对地设置，向所述基板上喷射气体；及rf电源部，连接到所述基板支撑部和气体喷射部中的至少一个而供给用于产生等离子体的rf电源，
2.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵加恩，朴柱成，郑允镐，韩载然，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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