【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有发光结构的显示装置。更详细而言，涉及一种具有层叠型发光结构的显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、近来，在显示器
中正在开发薄且具有柔性等优异的特性的显示装置。相反地，当前商业化的显示器主要以lcd(liguid crystal display：液晶显示器)和amoled(active matrix organiclight emitting diodes：有源矩阵有机发光二极管)为代表。然而，在lcd的情况下，存在响应时间不快且难以实现柔性的问题，在amoled的情况下，存在寿命短且量产收率不佳的缺点。
2、另一方面，发光二极管(light emitting diode：led)是用于将电流转换为光的众所周知的半导体发光元件，在1962年利用gaasp(磷砷化镓)化合物半导体的红色led成为商品化为契机，与gap:n系绿色led一起被用作以信息通信设备为首的电子装置中的显示图像用光源。因此，可以利用所述半导体发光元件来实现显示器，从而可以提供解决上述问题的方法。
3、在实现这种led光源结构时，存在因配置于led内部的金属电极而引起的p-n区域之间短路的风险。具体而言，在超微结构中，在通孔(via hole)内部壁形成有绝缘层的情况下，存在难以实现上部电极和下部电极之间的电连接的问题。
4、另外，在用于形成电极的led内部蚀刻表面可能会发生损坏(damage)。由此，可能会发生悬键(dangling bond)和由此引起的光效率的降低，尤其，在制作超微结构时，可能
5、另外，由于配置于led内部的电极用金属和激子((exciton)之间的相互作用，可能会发生光效率的降低。另一方面，在各个发光体内部中形成谐振模式和层叠结构时，红色光、绿色光以及蓝色光的偏振对齐可能并不容易。
6、另一方面，由ledos(led on silicon：硅基发光二极管)形成的基于像素的发光结构可以应用于vr((virtual reality(：虚拟现实)和/或ar((augmented reality(：增强现实)设备。存在基于像素的发光结构需要在vr和/或ar设备的有限的空间内实现的问题。与此相关地，红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件可以由层叠型结构实现。
7、另一方面，存在红色发光元件的光效率低于其他发光元件的光效率的问题。另外，在先形成红色的algainp led之后形成绿色或蓝色的gan led的情况下，可能会发生gan设备污染的问题和设备运行效率降低的问题。
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本专利技术的目的在于，为了提供一种具有发光结构的显示装置及其制造方法。
3、本专利技术的另一目的在于，为了解决红色发光元件的光效率低于其他发光元件的光效率的问题。
4、本专利技术的另一目的在于，为了解决在先形成红色的algainp led之后形成绿色或蓝色的gan led的情况下gan设备污染的问题。
5、本专利技术的另一目的在于，为了解决在先形成红色的algainp led之后形成绿色或蓝色的gan led的情况下设备运行效率降低的问题。
6、本专利技术的另一目的在于，为了根据需要容易地配置发光结构中的各种电极和连接配线。
7、本专利技术的另一目的在于，为了解决在形成超微电极结构时p-n区域之间的短路风险的问题。
8、本专利技术的另一目的在于，为了通过排除金属对激子(exciton)的影响或形成在内部的光子(phot on)能量被金属吸收来提高光效率。
9、本专利技术的另一目的在于，为了消除在形成led内部的配线时伴随的内部蚀刻引起的损坏((damag e)，从而有助于提高效率。
10、本专利技术的另一目的在于，为了更容易地实现光谐振模式的形成。
11、本专利技术的另一目的在于，为了通过控制在形成层叠型发光结构时从红色发光体、绿色发光体以及蓝色发光体发出的光的偏振来对齐。
12、解决问题的技术方案
13、本说明书的具有发光结构的显示装置可以包括：复数个第一发光结构体，层叠在驱动面板的上部的第一绝缘层；复数个第二发光结构体，与复数个所述第一发光结构体对齐并层叠在复数个所述第一发光结构体的上部的第二绝缘层；以及复数个发光元件，与复数个所述第二发光结构体的中心隔开并层叠在复数个所述第二发光结构体的上部的第三绝缘层。复数个所述发光元件包括p-电极和n-公共电极，所述发光元件的所述p-电极贯穿所述第一绝缘层至所述第三绝缘层垂直地连接的绝缘结构并可以与所述驱动面板的复数个p-电极中的一个p-电极连接。
14、根据实施例，复数个所述第一发光结构体、复数个所述第二发光结构体以及复数个所述发光元件可以构成第一层、第二层以及第三层。所述发光元件可以由第一直径的倒装芯片(flip-chip)实现。配置于所述第三层的所述倒装芯片可以配置在作为沿一轴方向配置的两个第二发光结构体的第一发光元件和第二发光元件之间。连接于所述倒装芯片的下部区域的p-电极贯穿从包围所述第一发光元件的绝缘层隔开的所述绝缘结构并可以与所述驱动面板的复数个p-电极中的一个p-电极连接。连接于所述倒装芯片的下部区域的所述n-公共电极贯穿从包围所述第二发光元件的绝缘层隔开的第二绝缘结构并可以与所述驱动面板的n-公共电极连接。
15、根据实施例，所述倒装芯片可以配置在作为沿垂直于所述一轴方向的另一轴方向配置的两个第二发光结构体的第三发光元件和第四发光元件之间。所述倒装芯片的所述另一轴方向的一区域可以配置在所述第三发光元件的p-电极的上部。所述倒装芯片的所述另一轴方向的另一区域可以与包围所述第四发光元件的绝缘层隔开配置。所述n-公共电极可以与所述第一发光结构体的n-电极和所述第二发光结构体的n-电极连接。
16、根据实施例，所述发光元件可以由第一直径的芯片(chip)实现。配置于所述第三层的所述芯片可以配置在作为沿一轴方向配置的两个第二发光结构体的第一发光元件和第二发光元件之间。连接于所述芯片的下部区域的p-电极贯穿从包围所述第一发光元件的绝缘层隔开的所述绝缘结构并可以与所述驱动面板的复数个p-电极中的一个p-电极连接。
17、根据实施例，连接于所述芯片的上部区域的所述n-公共电极可以层叠在所述芯片的相对的复数个侧面区域(opposite side regions)和形成于所述芯片之间的区域的所述第三绝缘层的上部区域。
18、根据实施例，所述第一发光结构体的n-电极和所述第二发光结构体的n-电极可以与贯穿从包围所述第二发光元件的绝缘层隔开的第二绝缘结构的配线结构体连接而形成n-公共电极。所述第一发光结构体和所述第二发光结构体的n-公共电极可以由与所述芯片的上部区域的n-公共电极分离的结构形本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示装置，其具有发光结构，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
16.根据权利要求13或14所述的显示装置，其中，
17.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
18.根据权利要求17所述的显示
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其具有发光结构，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
11.根据权利...
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