【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种多层电子组件。
技术介绍
1、多层陶瓷电容器(mlcc)(一种多层电子组件)可以是安装在各种类型的电子产品(诸如，成像装置(诸如，液晶显示器(lcd)和等离子体显示面板(pdp))、计算机、智能电话和移动电话)的印刷电路板上并且用于充电或放电的片式电容器。
2、由于这样的多层陶瓷电容器可具有小尺寸和高电容并且可易于安装，因此这样的多层陶瓷电容器可用作各种电子装置的组件。随着各种电子装置(诸如，计算机和移动装置)已经小型化并且实现高输出，对于小型化和高电容的多层陶瓷电容器的需求已经增加。
3、为了满足对于小型化和高电容的多层陶瓷电容器的需求，可能需要减小内电极和介电层的厚度，并且可能需要增加内电极和介电层的层数。然而，随着层数的增加，可能在内电极的宽度方向上形成台阶差。这样的台阶差可能使多层陶瓷电容器的高温可靠性和耐压特性劣化。为了克服这个问题，可通过在内电极的宽度方向上附接边缘片来形成侧边缘部。多层陶瓷电容器的性能可通过控制包括在边缘片中的材料的类型和含量、包括在粘合剂中的材料的类型和含量以及包括在分散剂中的材料的类型和含量来改善，使得侧边缘部的最佳设计可能是重要的。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例在于提供一种具有改善的bdv性能、机械性能和耐湿可靠性的多层电子组件。
2、根据本公开的示例实施例，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层以及与所述介电层在第一方向上交替地设置的内电极，并且所述主体包括在所述第一方向上彼此相对的第一
3、根据本公开的示例实施例，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层以及与所述介电层在第一方向上交替地设置的内电极；外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极；以及侧边缘部，设置在所述主体的在与所述第一方向垂直的方向上彼此相对的表面上，所述侧边缘部包括与所述主体相邻的第一区域和与所述侧边缘部的外表面相邻的第二区域，并且其中，包括在所述第一区域中的sn的平均含量大于等于0.1mol％且小于0.5mol％，并且包括在所述第二区域中的sn的平均含量大于等于0.5mol％且小于等于1.0mol％。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多个介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于50nm且小于等于150nm。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，
4.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的介电晶粒的平均尺寸大于或等于包括在所述第二区域中的介电晶粒的平均尺寸。
5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于190nm且小于等于290nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于190nm且小于等于260nm。
6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于100nm且小于等于150nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于100nm且小于等于120nm。
7.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，包括在所述第二区域中的介电晶粒的平均尺寸大于或等于包括在所述第一区域中
8.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于100nm且小于等于220nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于170nm且小于等于220nm。
9.根据权利要求8所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于50nm且小于等于110nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于80nm且小于等于110nm。
10.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的Sn的平均含量大于等于0.1mol％且小于0.5mol％，并且包括在所述第二区域中的Sn的平均含量大于等于0.5mol％且小于等于1.0mol％。
11.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，所述第一区域在所述第三方向上的平均尺寸小于或等于所述第二区域在所述第三方向上的平均尺寸。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件，
13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部和覆盖部，
14.根据权利要求13所述的多层电子组件，
15.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层中的至少一个在所述第一方向上的平均尺寸小于等于0.4μm。
16.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极中的至少一个在所述第一方向上的平均尺寸小于等于0.4μm。
17.一种多层电子组件，包括：
18.根据权利要求17所述的多层电子组件，其中，所述侧边缘部的Ba/Ti比大于1.040且小于1.070。
19.根据权利要求17所述的多层电子组件，其中，包括在所述侧边缘部中的多个介电晶粒的平均尺寸满足大于等于100nm且小于等于290nm。
20.根据权利要求17所述的多层电子组件，其中，所述第一区域在与所述第一方向垂直的所述方向上的平均尺寸小于或等于所述第二区域在与所述第一方向垂直的所述方向上的平均尺寸。
...【技术特征摘要】
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多个介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于50nm且小于等于150nm。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，
4.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的介电晶粒的平均尺寸大于或等于包括在所述第二区域中的介电晶粒的平均尺寸。
5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于190nm且小于等于290nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于190nm且小于等于260nm。
6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于100nm且小于等于150nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于100nm且小于等于120nm。
7.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，包括在所述第二区域中的介电晶粒的平均尺寸大于或等于包括在所述第一区域中的介电晶粒的平均尺寸。
8.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于100nm且小于等于220nm，并且包括在所述第二区域中的所述介电晶粒的平均尺寸大于等于170nm且小于等于220nm。
9.根据权利要求8所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一区域中的所述介电晶粒的尺寸的最大偏差的绝对值满足大于等于50nm且小于等于110nm，并且包括在所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜心忠，李种晧，李银贞，蔡现植，金善美，沈大振，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。