【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led晶片制备，具体涉及一种led晶片减薄方法。
技术介绍
1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
2、目前红光led衬底减薄工艺中主要采用固体蜡熔化、凝固的方法将晶片粘附在研磨工件表面后进行衬底减薄，该种减薄晶片方法又分为两种：一种为直接通过蜡将晶片贴在研磨盘上进行研磨，但是该方法中电极面直接与蜡接触，在高温和压力作用下去除蜡的过程中会有残留，影响晶片的使用性能。另一种为在晶片和蜡层之间加入厚度相对均匀的蜡纸。蜡纸的使用可有效改善晶片因表面状况不佳导致的裂片、减薄完不易取下的缺点，同时对电极也起到了保护作用。但由于蜡纸厚度的均匀性无法精确控制，导致晶片减薄后最终厚度均匀性较差，厚度波动范围一般在几微米至几十微米。另外，在蜡纸和晶片之间易存在贴覆时残留的气泡，进而使晶片在减薄后产生裂纹，影响产品最终质量和良率。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供一种led晶片减薄方法，其够在研磨减薄后快速有效去除晶片表面的蜡，无蜡残留，不影响减薄的最终精度，不产生裂片和暗裂纹，保证了产品的质量和良率。具体地，本专利技术的技术方案如下所示。
2、一种led晶片减薄方法，包括如下步骤：
3、(1)在待减薄的晶片的电极面涂覆保护液，所述保护液由聚乙烯醇32重量份、丙二醇甲醚16重量份和水112重量份组成。然后对得到的晶
4、(2)将陶瓷盘加热到设定温度后，将蜡均匀涂在陶瓷盘各对应位置上。
5、(3)将步骤(1)得到的晶片的具有所述保护膜的一面朝下贴在陶瓷盘的蜡层上，晶片的衬底面朝上。然后把陶瓷盘放到上蜡机上，并在陶瓷盘上放置无尘纸覆盖所有晶片。然后进行压片，完成后进行冷却，使所述保护膜上粘附一层蜡层。
6、(4)所述冷却完成后剥离无尘纸，取下晶片后擦拭晶片去除表面残蜡。然后对晶片的衬底面进行研磨减薄。
7、(5)将所述减薄后的晶片放在加热台上加热使蜡熔化，然后取下放入去蜡液中进行清洗去除残蜡。将去蜡后的晶片放入丙酮中进行再次清洗。完成后将晶片依次用乙醇、清水进行清洗，最后烘干。
8、(6)在上述烘干后的晶片的n面(衬底面)镀覆金属电极层，即得。
9、进一步地，步骤(2)中，将所述陶瓷盘加热到100～110℃后再将蜡均匀涂在陶瓷盘各对应位置上。
10、进一步地，步骤(3)中，所述压片时间为4～5min。所述冷却温度不高于30℃。
11、进一步地，步骤(4)中，所述擦拭的方法为：将乙醇喷洒至无尘纸上，然后用无尘纸擦拭晶片表面，防止乙醇直接朝晶片喷洒时将晶片边缘蜡层溶解，在研磨时污染晶片或导致后续吹飞晶片。
12、进一步地，步骤(5)中，所述加热温度为100～110℃，从而使蜡熔化。
13、进一步地，步骤(5)中，所述去蜡液包括第一去蜡液、第二去蜡液。依次用所述第一去蜡液、第二去蜡液对晶片进行清洗，利用两次清洗有助于提高去蜡效果。可选地，所述第一去蜡液、第二去蜡液的成分均为木糖醇、十六烷、十二醇、水，比例为2：2：1:4。
14、进一步地，步骤(5)中，所述去蜡液的温度为50±3℃。
15、进一步地，步骤(5)中，所述丙酮的温度为52±3℃。所述丙酮的主要作用是去除晶片表面的所述保护膜。
16、进一步地，步骤(5)中，所述烘干采用热氮烘干。可选地，烘干温度为55～65℃，时间为6～10min。
17、进一步地，步骤(6)中，所述金属电极层为ni/au/ge/ni/au叠层金属。
18、与现有技术相比，本专利技术提供的技术方案至少具有以下方面有益效果：本专利技术的led晶片减薄方法采用由聚乙烯醇、丙二醇甲醚和水组成保护液在晶片表面形成保护膜，然后再在所述保护膜上施加蜡层后进行研磨减薄。由于在蜡层和晶片之间具有所述保护膜作为媒介，一方面，在减薄完成后可以更加彻底地去除蜡层，晶片表面没有蜡残留。另一方面，所述保护膜厚度均匀，晶片减薄后最终厚度均匀性好，不同批次生产的晶片的质量稳定，能够有效提高产品良率。再一方面，所述保护膜与晶片之间没有气泡，避免了晶片在减薄后产生裂纹。
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1.一种LED晶片减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述陶瓷盘加热到100～110℃后再将蜡均匀涂在陶瓷盘各对应位置上。
3.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(3)中，所述压片时间为4～5min；所述冷却温度不高于30℃。
4.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(4)中，所述擦拭的方法为：将乙醇喷洒至无尘纸上，然后用无尘纸擦拭晶片表面。
5.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述加热温度为100～110℃。
6.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述去蜡液包括第一去蜡液、第二去蜡液；依次用所述第一去蜡液、第二去蜡液对晶片进行清洗；可选地，所述第一去蜡液、第二去蜡液的成分为木糖醇、十六烷、十二醇、水，比例为2：2：1:4。
7.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述去蜡液的温度为50±3℃。>
8.根据权利要求1所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述丙酮的温度为52±3℃。
9.根据权利要求1-8任一项所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述烘干采用热氮烘干；可选地，烘干温度为55～65℃，时间为6～10min。
10.根据权利要求1-8任一项所述的LED晶片减薄方法，其特征在于，步骤(6)中，所述金属电极层为Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属。
...【技术特征摘要】
1.一种led晶片减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的led晶片减薄方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述陶瓷盘加热到100～110℃后再将蜡均匀涂在陶瓷盘各对应位置上。
3.根据权利要求1所述的led晶片减薄方法，其特征在于，步骤(3)中，所述压片时间为4～5min；所述冷却温度不高于30℃。
4.根据权利要求1所述的led晶片减薄方法，其特征在于，步骤(4)中，所述擦拭的方法为：将乙醇喷洒至无尘纸上，然后用无尘纸擦拭晶片表面。
5.根据权利要求1所述的led晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述加热温度为100～110℃。
6.根据权利要求1所述的led晶片减薄方法，其特征在于，步骤(5)中，所述去蜡液包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：李法健，吴金凤，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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