高频通信装置的电波吸收体制造方法及图纸

技术编号：41740131 阅读：21 留言：0更新日期：2024-06-19 12:59

本发明专利技术提供一种高频通信装置的电波吸收体，能够提高量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。为此，例如，电波吸收体(10)具有：侧部(40)，其将固定于在高频通信装置(100)所设置的基座部(20)的半导体元件(110)的周围包围；以及顶部(50)，其封闭由侧部(40)包围的开放面。在顶部(50)的内表面设置有多个突起部(60)，该突起部朝向位于电波吸收体(10)内的半导体元件(110)突出，位于从半导体元件(110)分离的位置，且周期性地配置，突起部(60)朝向半导体元件(110)形成为尖细状，且由合成树脂一体成形。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及高频通信装置的电波吸收体，能够提高量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。

技术介绍

1、以往，关于用于降低由微波、毫米波中的无用辐射电波引起的干扰的电波吸收体，已知一种在壳体内部设置凹凸的技术(参照专利文献1以及专利文献2)。

2、已知一种高频通信装置，设置例如从壳体的盖的顶部突出的金属制的突起物作为上述的现有的凹凸(参照专利文献1的第“0018”段以及图1及图4)。

3、另外，在上述专利文献1中，记载了也可以与金属制的盖分体地由非金属制作突起物，且通过镀敷等用金属覆膜将表面覆盖(参照专利文献1的第“0014”段)。

4、而且，上述的金属制的盖构成为通过壳体的侧壁而从底板分离，作为侧壁，例示了金属或玻璃、氧化铝等非金属(参照专利文献1的第“0014”段以及图1)。

5、另一方面，已知一种电波吸收体，在例如分散混入有铁氧体和羰基铁的电波吸收层的一面具有凸部和凹部作为现有的凹凸(参照专利文献2的第二页左上栏第1～11行、图3的(a))。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本专利第3739230号公报

9、专利文献2：日本特开昭58-034602号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、上述现有的凹凸(参照专利文献1和专利文献2)需要金属或金属镀敷，存在在量产性、成本、轻量化方面具有改良的余地的第一问题。

3、另一方

4、本专利技术着眼于上述的第一问题点而作成，通过将突起部朝向半导体元件形成为尖细状，并且由合成树脂一体地成形，从而即使是树脂制的突起部，也能够与现有的金属制的突起物同等地得到无用辐射电波的吸收特性。

5、另外，本专利技术着眼于上述的第二问题点而作成，通过在侧部一体地形成安装基座部的卡合部，能够使用侧部的卡合部简便且迅速地安装基座部。

6、用于解决课题的方案

7、本专利技术的一方案的电波吸收体是吸收毫米波雷达等无用辐射电波，降低对高频通信装置内的半导体元件的电波干扰的高频通信装置的电波吸收体，上述电波吸收体包括：侧部，其将固定于在上述高频通信装置所设置的基座部的半导体元件的周围包围；以及顶部，其封闭由上述侧部包围的开放面，在上述顶部的内表面设置多个突起部，该突起部朝向位于上述电波吸收体内的上述半导体元件突出，位于从上述半导体元件分离的位置，且周期性地配置，上述突起部朝向上述半导体元件形成为尖细状，由合成树脂一体成形。

8、另外，本专利技术的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述突起部朝向上述半导体元件以正多棱锥形状或圆锥形状突出。

9、另外，本专利技术的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述顶部和上述突起部由合成树脂一体成形。

10、另外，本专利技术的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述顶部、上述突起部以及上述侧部由合成树脂一体成形。

11、另外，本专利技术的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，在上述侧部设置有用于安装于上述基座部的卡合部。

12、另外，本专利技术的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述突起部的从上述顶部的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。

13、另外，本专利技术的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，其材料的相对介电常数为4以上且26以下。

14、专利技术效果

15、根据本专利技术的一方案，将突起部朝向半导体元件形成为尖细状，并且由合成树脂一体成形，从而树脂制的突起部也能够与现有的金属制的突起物同等地得到吸收无用辐射电波的特性。

16、另外，根据本专利技术的一方案，与现有的金属制的突起物相比，能够提高电波吸收体的量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。

17、并且，根据本专利技术的一方案，通过将突起部设为树脂制，能够不受氧化的影响，减少电波吸收体的量产偏差、经时变化。

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【技术保护点】

1.一种高频通信装置的电波吸收体，其吸收毫米波雷达等无用辐射电波，降低对高频通信装置内的半导体元件的电波干扰，

2.根据权利要求1所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

9.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

10.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

11.根据权利要求4所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

12.根据权利要求6所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

13.根据权

14.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

15.根据权利要求4所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

16.根据权利要求6所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

17.根据权利要求9所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】