【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于igzo靶材的制备，具体涉及一种igzo靶材的烧结制备方法及其应用。
技术介绍
1、igzo靶材是指用于生产基于铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide)的半导体层的材料，主要应用于高端显示
，如薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)和有源矩阵有机发光二极管显示器(amoled)。igzo是一种透明导电材料，相比传统的非晶硅(a-si)半导体材料，它拥有更高的电子迁移率。电子迁移率是指电子在材料中移动的速度，这个参数直接影响到显示屏的性能。igzo的高电子迁移率使得显示屏可以做到：更高分辨率：能够支持更精细的像素排列，实现更高的显示分辨率。低功耗：由于电子迁移速度快，器件可以更快地开关，减少电能消耗。高亮度：配合高效的电子传输，屏幕可以达到更高的亮度水平。窄边框设计：高迁移率允许使用更小的晶体管，有助于减小显示器边框尺寸。
2、igzo靶材通常通过磁控溅射等工艺被沉积到基板上，形成薄膜晶体管阵列，是现代高性能显示面板的关键材料之一。作为下一代新型显示技术的新趋势，microled渐渐在新型显示赛道占据“高位”，成为行业竞争布局的重点。microled（微发光二极管）是一种新兴的显示技术，它代表了显示领域的重大进步，具有潜力彻底改变从消费电子到专业显示应用的诸多领域。microled是一种自发光显示技术，它由数百万个微米级别的led（发光二极管）像素组成，每个像素都能独立发光和控制色彩，无需背光源或彩色滤光片。这些微小的led芯片直接作为显示像素，被精确转移到 tft（薄膜晶
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对igzo靶材在烧结领域的应用，提供了一种igzo靶材的烧结制备方法，并阐述其在透明导电薄膜、平板显示器、太阳能电池等领域的应用。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了以下技术方案：
3、一种igzo靶材的烧结制备方法，包括以下步骤：
4、（1）ga2o3、zno、in2o3、氧化镧、氧化铈、氧化钕按原子比 in ：ga ：zn：la：ce: nd=1: 1: 1：0.02：0.03：0.05混合，得到混合粉体；
5、（2）将混合粉体、分散剂、粘结剂、消泡剂和去离子水加入球磨机中，球磨36h，得到igzo混合浆料，喷雾干燥，得到造粒粉；
6、（3）将造粒粉采用模压-等静压成型方式，45-50mpa模压3-5min，脱模，220-250mpa等静压成型，得到igzo靶材素坯；
7、（4）将igzo靶材素坯进行烧结，以0.4-0.6℃/min升温速率，升温至600-650℃，使igzo靶材素坯完全脱脂；再以1-1.5℃/min升温速率，升温到800-900℃，氧气氛围，保温7-9h，再以1-1.5℃/min升温速率，升温到1400-1500℃，氧气氛围，保温2-3h；
8、（5）将炉内的温度以3-5℃/min降至900-950℃后，随炉冷却，停止通入氧气，最后室温出炉，得到igzo靶材。
9、进一步地，igzo混合浆料固含量为56-58%。
10、进一步地，造粒粉的直径为0.5-1μm。
11、进一步地，ga2o3、zno、in2o3的纯度≥99.999%。
12、进一步地，氧化镧、氧化铈、氧化钕的纯度≥99.99%。
13、进一步地，分散剂为聚乙烯吡络烷酮，所述分散剂的添加量为混合粉体质量的3-6%。
14、进一步地，粘结剂为质量比1.3-1.5:1:0.2-0.6的聚乙烯醇、聚丙烯酸钠和聚乙二醇复配；粘结剂的添加量为混合粉体质量的7-9％。
15、进一步地，消泡剂为正丁醇。
16、本专利技术提供了igzo靶材的烧结制备方法制得的igzo靶材的应用。
17、进一步地，igzo靶材用于制备透明导电薄膜、平板显示器或太阳能电池。
18、与现有技术相比，本专利技术的优点和有益效果为：本专利技术提供了一种igzo靶材的烧结制备方法及其应用，本专利技术从通过添加特定的稀土材料，改善了igzo迁移率低的问题，通过微量掺杂稀土元素制备x-igzo靶材，电阻率低，透光性高。本专利技术制备工艺采取独特的球磨粗磨中加入分散剂、粘结剂和消泡剂，可以确保粉末在整个粉体中分布的均匀性，确保了烧结后的靶材密度、电阻率。通过特殊的烧结程序，降耗能的同时可避免晶粒边界过烧、晶粒粗大且均匀性差等问题。本专利技术制得的igzo靶材透光率高，电学性能好，可以用于在透明导电薄膜、平板显示器、太阳能电池等领域，具有极高的市场价值。
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1.一种IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，IGZO混合浆料固含量为56-58%。
3.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，造粒粉的直径为0.5-1μm。
4.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，Ga2O3、ZnO、In2O3的纯度≥99.999%。
5.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，氧化镧、氧化铈、氧化钕的纯度≥99.99%。
6.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，分散剂为聚乙烯吡络烷酮，所述分散剂的添加量为混合粉体质量的3-6%。
7.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，粘结剂为质量比1.3-1.5:1:0.2-0.6的聚乙烯醇、聚丙烯酸钠和聚乙二醇复配；粘结剂的添加量为混合粉体质量的7-9％。
8.根据权利要求1所述的IGZO靶材的烧结制备方法，其特征在于，消泡剂为正丁醇。
<...【技术特征摘要】
1.一种igzo靶材的烧结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的igzo靶材的烧结制备方法，其特征在于，igzo混合浆料固含量为56-58%。
3.根据权利要求1所述的igzo靶材的烧结制备方法，其特征在于，造粒粉的直径为0.5-1μm。
4.根据权利要求1所述的igzo靶材的烧结制备方法，其特征在于，ga2o3、zno、in2o3的纯度≥99.999%。
5.根据权利要求1所述的igzo靶材的烧结制备方法，其特征在于，氧化镧、氧化铈、氧化钕的纯度≥99.99%。
6.根据权利要求1所述的igzo靶材的烧...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志宏，陈常清，周昭宇，
申请(专利权)人：广州市尤特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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