System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器制造技术_技高网

一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器制造技术

技术编号:41739583 阅读:5 留言:0更新日期:2024-06-19 12:59
本发明专利技术公开了一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,包括介质基板、设于介质基板上表面的氮化硅涂层、设于介质基板上表面的GaAs差分滤波移相器电路和设于介质基板下表面的接地基板等。本发明专利技术中所提出的新型GaAs差分滤波移相器结构设计优良、工艺先进,具有高选择性、宽带滤波特性、良好的移相特性和对环境噪声的高抑制能力,可以很好地应用于6G卫星通信技术领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线移动通信,特别是涉及一种基于gaas技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器。


技术介绍

1、随着物联网、智能城市、自动驾驶等新兴技术的发展,人们对通信速率、容量和延迟的要求将进一步提高。目前,5g技术虽然已经提供了较高的数据传输速度和较低的延迟,但在某些场景下仍存在容量瓶颈和覆盖不足的问题,因此需要进一步突破技术瓶颈。6g和卫星通信则可以满足上述这些需求,其优势在于提供更高的数据传输速度、更低的延迟和更广泛的覆盖范围,以满足未来通信技术的需求。基于卫星通信逐步发展出了卫星互联网,可实现全球、全域、全天候互联网服务。

2、与此同时,针对当前移动通信用户迅速增加,通信系统出现的频谱容量不足、信号覆盖范围小、通信小区间信号干扰强等问题,相控阵天线和多波束等技术得到了广泛研究和应用。移相器作为其关键组成部分,其插入损耗、相位偏差、工作带宽以及相移范围直接决定了相控阵天线、多波束天线以及多波束成形网络性能的优劣。因此,研究相移范围宽、相位偏差小的移相器具有重要意义。

3、与此同时,作为无线通信系统中一类重要的器件,滤波器性能的好坏直接影响到带外杂波、谐波的抑制能力和带内的信号损耗,从而影响整个链路的信噪比。近年来,由于差分结构对环境噪声的高抑制特性,差分滤波器的设计得到了广泛的研究与发展。差分滤波器概念的提出,一方面扩展了滤波器理论的研究,另一方面,避免了巴伦的使用,可直接与差分传输线相连,降低了成本并促进了电路的高性能化。

4、与此同时,随着系统小型化的发展趋势,系统中的移相器、滤波器等元器件需要具有较小的尺寸。目前滤波移相器的小型化技术主要通过采用新工艺的方法以实现滤波器的小型化,gaas技术通过采用多种先进半导体加工技术,如光刻、薄膜沉积和刻蚀工艺,使得加工出来的器件在微米级有更高的工艺精度,并且在保证电路高集成度的同时抑制了相互之间的干扰。

5、综上所述,本专利技术对基于gaas技术的面向6g卫星通信应用的高性能毫米波差分滤波移相器进行了研究与设计,与实际的工程需求相契合,具有重要的理论和实际意义。


技术实现思路

1、专利技术目的:本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种基于gaas技术、应用于6g卫星通信、能够实现90°移相功能并具备高选择性的宽带毫米波差分滤波移相器。

2、技术方案:为了解决上述技术问题,本专利技术公开了一种基于gaas技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,采用基于gaas技术实现小型化、高性能的差分滤波移相器,可直接与差分传输线相连,既具有差分器件对环境噪声高抑制性的优势,又具有滤波器器件本身的滤波性能,同时实现了通带内的90°移相功能,用一个器件代替多个器件的级联,避免了插损较大的问题,实现了多功能的融合。

3、为此,本专利技术提出一种基于gaas技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,该移相器包括氮化硅涂层(31)、介质基板(32)、接地板(33)、第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16),所述氮化硅涂层(31)位于介质基板(32)表面;第一输入端口(1)、第一输出端口(2)与参考传输线连接;第二输入端口(15)、第二输出端口(16)主传输线连接,在俯视图视角下,主传输线位于介质基板(32)的上半侧,参考传输线位于介质基板(32)的下半侧,主传输线和参考传输线均关于介质基板(32)长对称轴对称,并且,各个部件都位于氮化硅涂层(31)之上,接地板(33)位于介质基板(32)下表面,第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16)分别与接地柱连接,并且,接地柱贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连。

4、进一步的,所述第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16)均采用地-信号-地(gsg)结构。

5、进一步的,所述第一输入端口(1)位于介质基板(32)一边,第一输出端口(2)位于介质基板(32)另一边;所述参考传输线包括第一输入馈线(3)、第一输出馈线(4)、第一微带传输线(5)、第二微带传输线(6)、第三微带传输线(7)、第四微带传输线(8)、第五微带传输线(9)、第六微带传输线(10)、第一枝节传输线(11)、第二枝节传输线(12);所述第一输入馈线(3)一端与第一输入端口(1)连接,所述第一输入馈线(3)另一端与第一微带传输线(5)一端连接,第一微带传输线(5)另一端通过第一枝节传输线(11)接地;第二微带传输线(6)靠近第一输入端口(1)的一端开路,另一端连接第五微带传输线(9);第一输出馈线(4)一端与第一输出端口(2)连接,第一输出馈线(4)另一端与第三微带传输线(7)一端连接,第三微带传输线(7)另一端通过第二枝节传输线(12)接地;第四微带传输线(8)靠近第一输出端口(2)的一端开路,另一端与第六微带传输线(10)连接;第一微带传输线(5)和第二微带传输线(6)通过平行耦合的方式构成第一耦合线,第三微带传输线(7)和第四微带传输线(8)通过平行耦合的方式构成第二耦合线;第五微带传输线(9)和第六微带传输线(10)通过平行耦合的方式构成第三耦合线,并且,第一枝节传输线(11)和第二枝节传输线(12)平行,所述第一输入端口(1)、参考传输线、第一输出端口(2)关于介质基板(32)长对称轴对称。

6、进一步的,所述第一枝节传输线(11)连接第一接地柱(13),第一接地柱(13)贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连;第二枝节传输线(12)连接第二接地柱(14),第二接地柱(14)贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连。

7、进一步的,第二输入端口(15)位于介质基板(32)一边,与第一输入端口(1)同侧,第二输出端口(16)位于介质基板(32)另一边,与第一输出端口(2)同侧;所述主传输线包括第二输入馈线(17)、第二输出馈线(18)、输入延迟线(19)、输出延迟线(20)、第七微带传输线(21)、第八微带传输线(22)、第九微带传输线(23)、第十微带传输线(24)、第十一微带传输线(25)、第十二微带传输线(26)、第三枝节传输线(27)、第四枝节传输线(28);所述第二输入馈线(17)一端与第二输入端口(15)连接,另一端与输入延迟线(19)一端连接,输入延迟线(19)另一端与第七微带传输线(21)一端连接,第七微带传输线(21)另一端通过第三枝节传输线(27)接地;第八微带传输线(22)靠近第二输入端口(15)的一端开路,另一端与第十一微带传输线(25)连接;第二输出馈线(18)一端与第二输出端口(16)连接,另一端与输出延迟线(20)一端连接,输出延迟线(20)另一端与第九微带传输线(23)一端连接,第九微带传输线(23)的另一端通过第四枝节传输线(28)接地;第十微带传输线(24)靠近第二输出端口(16)的一端开路,另一端与第十二微带传输线(26)连接;第七微带传输线(21)和第八微带传输线(22)通过平行耦合的方式构成第四本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,该移相器包括氮化硅涂层(31)、介质基板(32)、接地板(33)、第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16),所述氮化硅涂层(31)位于介质基板(32)表面;第一输入端口(1)、第一输出端口(2)与参考传输线连接;第二输入端口(15)、第二输出端口(16)主传输线连接,在俯视图视角下,主传输线位于介质基板(32)的上半侧,参考传输线位于介质基板(32)的下半侧,主传输线和参考传输线均关于介质基板(32)长对称轴对称,并且,各个部件都位于氮化硅涂层(31)之上,接地板(33)位于介质基板(32)下表面,第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16)分别与接地柱连接,并且,接地柱贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,所述第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16)均采用地-信号-地(GSG)结构。

3.根据权利要求1所述的一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,所述第一输入端口(1)位于介质基板(32)一边,第一输出端口(2)位于介质基板(32)另一边;所述参考传输线包括第一输入馈线(3)、第一输出馈线(4)、第一微带传输线(5)、第二微带传输线(6)、第三微带传输线(7)、第四微带传输线(8)、第五微带传输线(9)、第六微带传输线(10)、第一枝节传输线(11)、第二枝节传输线(12);所述第一输入馈线(3)一端与第一输入端口(1)连接,所述第一输入馈线(3)另一端与第一微带传输线(5)一端连接,第一微带传输线(5)另一端通过第一枝节传输线(11)接地;第二微带传输线(6)靠近第一输入端口(1)的一端开路,另一端连接第五微带传输线(9);第一输出馈线(4)一端与第一输出端口(2)连接,第一输出馈线(4)另一端与第三微带传输线(7)一端连接,第三微带传输线(7)另一端通过第二枝节传输线(12)接地;第四微带传输线(8)靠近第一输出端口(2)的一端开路,另一端与第六微带传输线(10)连接;第一微带传输线(5)和第二微带传输线(6)通过平行耦合的方式构成第一耦合线,第三微带传输线(7)和第四微带传输线(8)通过平行耦合的方式构成第二耦合线;第五微带传输线(9)和第六微带传输线(10)通过平行耦合的方式构成第三耦合线,并且,第一枝节传输线(11)和第二枝节传输线(12)平行,所述第一输入端口(1)、参考传输线、第一输出端口(2)关于介质基板(32)长对称轴对称。

4.根据权利要求3所述的一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,所述第一枝节传输线(11)连接第一接地柱(13),第一接地柱(13)贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连;第二枝节传输线(12)连接第二接地柱(14),第二接地柱(14)贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连。

5.根据权利要求1所述的一种基于GaAs技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,第二输入端口(15)位于介质基板(32)一边,与第一输入端口(1)同侧,第二输出端口(16)位于介质基板(32)另一边,与第一输出端口(2)同侧;所述主传输线包括第二输入馈线(17)、第二输出馈线(18)、输入延迟线(19)、输出延迟线(20)、第七微带传输线(21)、第八微带传输线(22)、第九微带传输线(23)、第十微带传输线(24)、第十一微带传输线(25)、第十二微带传输线(26)、第三枝节传输线(27)、第四枝节传输线(28);所述第二输入馈线(17)一端与第二输入端口(15)连接,另一端与输入延迟线(19)一端连接,输入延迟线(19)另一端与第七微带传输线(21)一端连接,第七微带传输线(21)另一端通过第三枝节传输线(27)接地;第八微带传输线(22)靠近第二输入端口(15)的一端开路,另一端与第十一微带传输线(25)连接;第二输出馈线(18)一端与第二输出端口(16)连接,另一端与输出延迟线(20)一端连接,输出延迟线(20)另一端与第九微带传输线(23)一端连接,第九微带传输线(23)的另一端通过第四枝节传输线(28)接地;第十微带传输线(24)靠近第二输出端口(16)的一端开路,另一端与第十二微带传输线(26)连接;第七微带传输线(21)和第八微带传输线(22)通过平行耦合的方式构成第四耦合线;第九微带传输线(23)和第十微带传输线(24)通过平行耦合的方式构成第五耦合线;第十一微带传输线(25)和第十二微带传输线...

【技术特征摘要】

1.一种基于gaas技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,该移相器包括氮化硅涂层(31)、介质基板(32)、接地板(33)、第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16),所述氮化硅涂层(31)位于介质基板(32)表面;第一输入端口(1)、第一输出端口(2)与参考传输线连接;第二输入端口(15)、第二输出端口(16)主传输线连接,在俯视图视角下,主传输线位于介质基板(32)的上半侧,参考传输线位于介质基板(32)的下半侧,主传输线和参考传输线均关于介质基板(32)长对称轴对称,并且,各个部件都位于氮化硅涂层(31)之上,接地板(33)位于介质基板(32)下表面,第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16)分别与接地柱连接,并且,接地柱贯穿介质基板(32)与接地板(33)相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于gaas技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,所述第一输入端口(1)、第一输出端口(2)、第二输入端口(15)、第二输出端口(16)均采用地-信号-地(gsg)结构。

3.根据权利要求1所述的一种基于gaas技术的高性能毫米波宽带差分滤波移相器,其特征在于,所述第一输入端口(1)位于介质基板(32)一边,第一输出端口(2)位于介质基板(32)另一边;所述参考传输线包括第一输入馈线(3)、第一输出馈线(4)、第一微带传输线(5)、第二微带传输线(6)、第三微带传输线(7)、第四微带传输线(8)、第五微带传输线(9)、第六微带传输线(10)、第一枝节传输线(11)、第二枝节传输线(12);所述第一输入馈线(3)一端与第一输入端口(1)连接,所述第一输入馈线(3)另一端与第一微带传输线(5)一端连接,第一微带传输线(5)另一端通过第一枝节传输线(11)接地;第二微带传输线(6)靠近第一输入端口(1)的一端开路,另一端连接第五微带传输线(9);第一输出馈线(4)一端与第一输出端口(2)连接,第一输出馈线(4)另一端与第三微带传输线(7)一端连接,第三微带传输线(7)另一端通过第二枝节传输线(12)接地;第四微带传输线(8)靠近第一输出端口(2)的一端开路,另一端与第六微带传输线(10)连接;第一微带传输线(5)和第二微带传输线(6)通过平行耦合的方式构成第一耦合线,第三微带传输线(7)和第四微带传输线(8)通过平行耦合的方式构成第二耦合线;第五微带传输线(9)和第六微带传输线(10)通过平行耦合的方式构成第三耦合线,并且,第...

【专利技术属性】
技术研发人员:张钢张卓威喻昊张谦杨继全
申请(专利权)人:南京师范大学
类型:发明
国别省市:

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