【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，涉及一种晶圆清洗检测方法、装置、服务器及可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体制程中，需要在晶圆上进行各种工艺处理，如蚀刻、氧化、沉积、去光阻以及化学机械研磨等。这些工艺处理，在实现晶圆功能的同时，都会或多或少的在晶圆表面产生污染物，如有机附着物、金属附着物以及氧化膜等。因此，在晶圆的制造过程中，需要利用清洗液来清除污染物。
2、在晶圆的制造过程中，一般采用包含晶圆承载机构以及清洗槽的槽式清洗机台，当晶圆在清洗槽中进行清洗过程时，会涉及晶圆承载机构的上下运动，底部超声动作，鼓泡及晶圆旋转等的动作，这样就会造成晶圆在晶圆承托机构上发生偏移等，其中也包括由于晶圆本身质量而引起的异常情况，如应力碎片，缺口等，一旦晶圆在清洗过程中出现以上异常情况，若未及时发现，则会造成二次破坏导致晶圆良率下降，所以若能第一时间发现问题则可以很大程度上减少损失。
3、因此，提供一种晶圆清洗检测方法、装置、服务器及可读存储介质，实属必要。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种晶圆清洗检测方法、装置、服务器及可读存储介质，用于解决现有技术中晶圆在进行清洗时所面临的上述异常问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：
3、获取晶圆承载机构关于清洗槽的第一图像；
4、将所述第一图像与所述晶圆承载机构关于所述清洗槽的标准图像进行比对，判定所述晶圆承
5、将待清洗的晶圆置于符合要求的所述晶圆承载机构上，获取所述晶圆关于所述晶圆承载机构的第二图像；
6、将所述晶圆承载机构置于所述清洗槽中，进行晶圆清洗；
7、获取所述晶圆关于所述晶圆承载机构的第三图像；
8、将所述第二图像与所述第三图像进行比对，判定所述晶圆的异常情况。
9、可选地，将所述第一图像与所述标准图像进行比对的方法包括图像轮廓比对法或特征数据比对法；将所述第一图像与所述第二图像进行比对的方法包括图像轮廓比对法或特征数据比对法。
10、可选地，当所述第一图像与所述标准图像采用图像轮廓比对法时，将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽在所述第一图像中的轮廓参数与在所述标准图像中的轮廓参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常；当所述第一图像与所述第二图像采用图像轮廓比对法时，将所述晶圆关于所述晶圆承载机构在所述第一图像中的轮廓参数与在所述第二图像中的轮廓参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常。
11、可选地，当所述第一图像与所述标准图像采用特征数据比对法时，将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽在所述第一图像中的特征间距参数与在所述标准图像中的特征间距参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常；当所述第一图像与所述第二图像采用特征数据比对法时，将所述晶圆关于所述晶圆承载机构在所述第一图像中的特征间距参数与在所述第二图像中的特征间距参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常。
12、可选地，所述晶圆承载机构的异常情况包括偏移及扭转中的一种或组合；所述晶圆的异常情况包括晶圆叠片、晶圆交叉、晶圆漏片、晶圆碎片中的一种或组合；当所述晶圆承载机构判定为异常时，还包括发送报警信息的步骤；当判断所述晶圆异常时，还包括发送报警信息的步骤。
13、本专利技术还提供一种晶圆清洗检测装置，所述晶圆清洗检测装置包括：
14、图像获取单元，用于获取晶圆承载机构关于清洗槽的第一图像、晶圆在进行清洗前关于所述晶圆承载机构的第二图像及所述晶圆在进行清洗后关于所述晶圆承载机构的第三图像；
15、图像处理判定单元，用于将所述图像获取单元获取的所述第一图像与所述晶圆承载机构关于所述清洗槽的标准图像进行比对，以及将所述第二图像及所述第三图像进行比对，并判定所述晶圆承载机构及所述晶圆的异常情况。
16、可选地，所述图像获取单元包括搭载ccd图像传感器的图像采集部件，或为搭载cmos图像传感器的图像采集部件。
17、可选地，所述晶圆清洗检测装置还包括照明部件；所述晶圆清洗检测装置还包括与所述图像处理判定单元相通信的报警部件。
18、本专利技术还提供一种服务器，所述服务器包括：采集器、存储器和处理器，所述采集器、所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述采集器用于采集图像，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行任一上述的晶圆清洗检测方法。
19、本专利技术还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行任一上述的晶圆清洗检测方法。
20、如上所述，本专利技术的所述晶圆清洗检测方法、装置、服务器及可读存储介质，通过将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽的所述第一图像与所述标准图像进行比对，可对所述晶圆承载机构的异常情况进行判定，获取符合要求的所述晶圆承载机构，从而可以避免所述晶圆在放置入所述晶圆承载机构时发生对位偏移等，造成所述晶圆损失的问题，以及在所述晶圆进行清洗前与清洗后，将所述晶圆关于所述晶圆承载机构的所述第二图像与所述第三图像进行比对后，可对所述晶圆在清洗过程中的异常情况进行判定，从而该晶圆清洗检测方法可在第一时间捕捉异常现象，同时进行有效干预，将设备和物料的损失降到最小程度，避免后续衍生的一系列连锁损失问题。
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1.一种晶圆清洗检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：将所述第一图像与所述标准图像进行比对的方法包括图像轮廓比对法或特征数据比对法；将所述第一图像与所述第二图像进行比对的方法包括图像轮廓比对法或特征数据比对法。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：当所述第一图像与所述标准图像采用图像轮廓比对法时，将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽在所述第一图像中的轮廓参数与在所述标准图像中的轮廓参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常；当所述第一图像与所述第二图像采用图像轮廓比对法时，将所述晶圆关于所述晶圆承载机构在所述第一图像中的轮廓参数与在所述第二图像中的轮廓参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：当所述第一图像与所述标准图像采用特征数据比对法时，将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽在所述第一图像中的特征间距参数与在所述标准图像中的特征间距参数进行比较，判断其
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：所述晶圆承载机构的异常情况包括偏移及扭转中的一种或组合；所述晶圆的异常情况包括晶圆叠片、晶圆交叉、晶圆漏片、晶圆碎片中的一种或组合；当所述晶圆承载机构判定为异常时，还包括发送报警信息的步骤；当判断所述晶圆异常时，还包括发送报警信息的步骤。
6.一种晶圆清洗检测装置，其特征在于，所述晶圆清洗检测装置包括：
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗检测装置，其特征在于：所述图像获取单元包括搭载CCD图像传感器的图像采集部件，或为搭载CMOS图像传感器的图像采集部件。
8.根据权利要求6所述的晶圆清洗检测装置，其特征在于：所述晶圆清洗检测装置还包括照明部件；所述晶圆清洗检测装置还包括与所述图像处理判定单元相通信的报警部件。
9.一种服务器，其特征在于，所述服务器包括：采集器、存储器和处理器，所述采集器、所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述采集器用于采集图像，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1～5中任一所述的晶圆清洗检测方法。
10.一种可读存储介质，其特征在于：所述可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1～5中任一所述的晶圆清洗检测方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：将所述第一图像与所述标准图像进行比对的方法包括图像轮廓比对法或特征数据比对法；将所述第一图像与所述第二图像进行比对的方法包括图像轮廓比对法或特征数据比对法。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：当所述第一图像与所述标准图像采用图像轮廓比对法时，将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽在所述第一图像中的轮廓参数与在所述标准图像中的轮廓参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常；当所述第一图像与所述第二图像采用图像轮廓比对法时，将所述晶圆关于所述晶圆承载机构在所述第一图像中的轮廓参数与在所述第二图像中的轮廓参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常。
4.根据权利要求2所述的晶圆清洗检测方法，其特征在于：当所述第一图像与所述标准图像采用特征数据比对法时，将所述晶圆承载机构关于所述清洗槽在所述第一图像中的特征间距参数与在所述标准图像中的特征间距参数进行比较，判断其差值是否在设定的阈值内，若差值超过设定的阈值，则判定为异常；当所述第一图像与所述第二图像采用特征数据比对法时，将所述晶圆关于所述晶圆承载机构在所述第一图像中的特征间距参数与在所述第二图像中的特征间距参数进行比较，判断其...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚志，钱文方，
申请(专利权)人：上海普达特半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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