【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及探针制造领域，具体涉及一种线性探针及其制造方法。
技术介绍
1、通常情况对于直径30微米以下的线材，材料供应商只能提供圈料，即材料经过拉拔工艺后成卷，为了加工成满足使用条件的线性探针，圈料必须进行调直，切割。对于线径低于30um的丝材，使用传统的矫正工艺矫正难度较大。一方面，线材直径太小所能承受的力有限，同时材料本身延伸率低，使用牵引拉伸矫正，矫正过程中材料断裂率较高；另一方面，材料硬度较低，在经过矫正导向机构时，容易刮蹭圈料的表面，而被刮蹭的部位则会成为后续使用中的缺陷。不仅如此，传统工艺在针长的误差上难以控制，通常在30微米左右，无法满足现在所需10微米的切割误差；而且传统的机器切割断面有呈剪切状，有毛刺，断面平整度很差。目前有相关厂商可提供完整的调直切割设备，但是其设备昂贵，对于线径不同丝材需要更换模具，大幅度地提高了生产成本，完全不适合小批量的多元化的探针生产。
2、另外，对于在30um左右的线针上做出针尖传统方法采用机械研磨。该方法涉及到探针自动装载模块，探针固定模块，探针旋转研磨模块。这些设备较为昂贵，同样不适合小批量多元化的探针生产。
技术实现思路
1、因此，为了克服上述现有技术的缺点，本专利技术提供一种线性探针及其制造方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种线性探针制造方法，包括：将圈料的5探针基材穿进直线度为长度的0.2％的毛细管，并将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中，在真空度至少达到5*10-3pa的条件下3
3、探针基材从uv保护膜上剥离，得到预定长度的探针；对所述探针进行微蚀去0氧化处理，得到初成品；使用电化学腐蚀对所述初成品的一端做尖，得到线性探针。
4、在一个实施例中，所述毛细管的内径与所述探针基材的外径之间的范围差值在10～25μm。
5、在一个实施例中，将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中，在真5空度至少达到5*10-3pa的条件下350-400℃真空退火1.5-2小时。
6、在一个实施例中，uv保护膜的厚度不小于100μm。
7、在一个实施例中，激光切割的参数为：激光波长350-370nm，激光脉冲宽度小于350um，激光频率600-650khz，功率3-5w，扫描速度400-500mm/s。
8、在一个实施例中，所述对所述探针进行微蚀去氧化处理，得到初成品，包括：将所述探针浸泡于2-5％稀硫酸的超声波内清洗30秒，得到初成品。
9、在一个实施例中，所述使用电化学腐蚀对所述初成品的一端做尖，得到线性探针，包括：将中等强度的无机三元酸h3po4和乙醇按照7：3的体积比例进行混合制成电解溶液；将所述初成品作为阳极，将铂铱合金作为阴极，当阳极电动势不小于2v时，初成品与电解液接触的位置发生电化学腐蚀，并形成针尖，得到线性探针。
10、一种线性探针，其特征在于，所述线性探针是采用上述的方法制备得到的。
11、与现有技术相比，本专利技术的优点在于：利用毛细管矫正结合真空退火去应力的工艺解决了传统工艺不能对超细丝材调直的问题，进而可以利用激光对探针圈料进行加工，流程较少且提高了切割误差的精准度。而且，使用电化学腐蚀对线性探针材料断面做尖不仅解决了传统工艺不能对线径30微米下线材磨尖的问题，而且人工操作简单且安全，原料和设备易取得且便宜，制备效率和成功率高等。
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1.一种线性探针制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述毛细管的内径与所述探针基材的外径之间的范围差值在10～25μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中，在真空度至少达到5*10-3Pa的条件下350-400℃真空退火1.5-2小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，UV保护膜的厚度不小于100μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，激光切割的参数为：激光波长350-370nm，激光脉冲宽度小于350um，激光频率600-650KHz，功率3-5W，扫描速度400-500mm/s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述探针进行微蚀去氧化处理，得到初成品，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用电化学腐蚀对所述初成品的一端做尖，得到线性探针，包括：
8.一种线性探针，其特征在于，所述线性探针是采用权利要求1～7中任一项所述的方法制备得到的。
【技术特征摘要】
1.一种线性探针制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述毛细管的内径与所述探针基材的外径之间的范围差值在10～25μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述探针基材和毛细管一起放入真空退火炉中，在真空度至少达到5*10-3pa的条件下350-400℃真空退火1.5-2小时。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，uv保护膜的厚度不小于100μm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶克文，韩洋洋，罗雄科，
申请(专利权)人：上海泽丰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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