【技术实现步骤摘要】
本申请涉及毫米波芯片，具体而言，涉及一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构。
技术介绍
1、近些年来，毫米波芯片的封装技术发展迅猛，人们对于毫米波芯片工作的稳定性要求也越来越高。毫米波芯片由于其增益普遍较高，电磁环境较为复杂，出现自激的风险很高，其自激产生的原因较复杂，受温度、阻抗匹配、芯片稳定性等因素影响。
2、因此，如何抑制毫米波功放芯片在封装中出现的自激现象是目前急需解决的技术难题。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供了一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构，可降低功率放大器芯片封装过程中的自激风险，具有结构简单、实用性强等优点，在毫米波频段具有广泛的应用价值。
2、本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
3、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构，包括：功率放大器芯片和金属封装壳体；
4、所述金属封装壳体设置有抑制自激腔体，所述功率放大器芯片放置在所述抑制自激腔体中；
5、其中，所述抑制自激腔体的内表面设置有凹凸不平的凹凸层。
6、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述金属封装壳体包括：金属底座和金属盖板；
7、所述金属底座开设有封装槽，所述功率放大器芯片放置在所述封装槽中；
8、所述金属盖板装配在所述金属底座上，用于将所述功率放大器芯片密封在所述封装槽中，且装配在所述金属底座上的所述金属盖板与所述封
9、其中，所述封装槽的表面设置有凹凸层，所述金属盖板朝向所述功率放大器芯片的一面设置有凹凸层。
10、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，通过3d打印的方式在所述抑制自激腔体的内表面设置所述凹凸层。
11、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，还包括：射频连接器和射频传输线；
12、所述射频连接器通过所述射频传输线与所述功率放大器芯片连接。
13、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述射频传输线包括输入端和输出端，所述输入端与所述功率放大器芯片连接，所述输出端与所述射频连接器连接。
14、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述金属封装壳体的第一侧面开设有第一通孔，所述射频连接器穿过所述第一通孔后与所述射频传输线连接。
15、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述射频连接器通过焊接或者金丝键合的方式与所述射频传输线连接。
16、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，还包括：供电连接器；
17、所述供电连接器与所述功率放大器芯片连接。
18、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述金属封装壳体的第二侧面开设有第二通孔，所述供电连接器穿过所述第二通孔后与所述功率放大器芯片连接。
19、在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述供电连接器通过金丝键合的方式与所述功率放大器芯片连接。
20、本申请的技术方案，通过设置具有凹凸层的抑制自激腔体实现对功率放大器芯片的自激抑制，本申请整体结构简单，不需要增加额外的封装空间，且效果明显，可大幅度降低功率放大器芯片封装的自激风险。
21、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构，其特征在于，包括：功率放大器芯片和金属封装壳体；
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属封装壳体包括：金属底座和金属盖板；
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，通过3D打印的方式在所述抑制自激腔体的内表面设置所述凹凸层。
4.根据权利要求1－3任一项所述的结构，其特征在于，还包括：射频连接器和射频传输线；
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述射频传输线包括输入端和输出端，所述输入端与所述功率放大器芯片连接，所述输出端与所述射频连接器连接。
6.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述金属封装壳体的第一侧面开设有第一通孔，所述射频连接器穿过所述第一通孔后与所述射频传输线连接。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述射频连接器通过焊接或者金丝键合的方式与所述射频传输线连接。
8.根据权利要求1－3任一项所述的结构，其特征在于，还包括：供电连接器；
9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，所述金属封装壳体的第二
10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述供电连接器通过金丝键合的方式与所述功率放大器芯片连接。
...【技术特征摘要】
1.一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构，其特征在于，包括：功率放大器芯片和金属封装壳体；
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属封装壳体包括：金属底座和金属盖板；
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，通过3d打印的方式在所述抑制自激腔体的内表面设置所述凹凸层。
4.根据权利要求1－3任一项所述的结构，其特征在于，还包括：射频连接器和射频传输线；
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述射频传输线包括输入端和输出端，所述输入端与所述功率放大器芯片连接，所述输出端与所述射频连接器连接。
6.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐耀宗，王若之，徐明昊，张鲁宁，甘志，
申请(专利权)人：成都雷电微力科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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