System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 射频开关制造技术_技高网

射频开关制造技术

技术编号:41734576 阅读:29 留言:0更新日期:2024-06-19 12:54
一种射频开关,包含有信号端、参考电压端、及分流开关路径。分流开关路径包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管包括第一端,耦接于信号端;第二端;及控制端。第二晶体管包括第一端,耦接于第一晶体管的第二端;第二端,耦接于参考电压端;及控制端。当分流开关路径切换至第一状态时,分流开关路径具有第一阻抗,当分流开关路径切换至第二状态时,分流开关路径具有第二阻抗,第一阻抗及第二阻抗相异。第一阻抗介于40欧姆(Ω)至85欧姆之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于射频电路,特别是一种射频电路中的射频开关


技术介绍

1、射频(radio frequency,rf)开关能引导射频信号通过一或多条传送路径,且广泛应用于电视、移动电话、无线通信装置无线网络(wi-fi)、蓝芽及全球定位系统(globalpositioning system,gps)。

2、然而,在相关技术中,当射频开关截止时,射频信号会产生信号反射而可能会损害信号源,使射频开关无法正常运作。


技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种射频开关,包含有信号端、参考电压端、及分流开关路径。分流开关路径包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管包括第一端,耦接于信号端;第二端;及控制端。第二晶体管包括第一端,耦接于第一晶体管的第二端;第二端,耦接于参考电压端;及控制端。当分流开关路径切换至第一状态时,分流开关路径具有第一阻抗,当分流开关路径切换至第二状态时,分流开关路径具有第二阻抗,第一阻抗及第二阻抗相异。第一阻抗介于40欧姆至85欧姆之间。

2、本专利技术实施例另提供一种射频开关,包含有信号端、参考电压端、及n个叠接晶体管。n个叠接晶体管包括第一端,耦接于信号端;第二端,耦接于参考电压端;及控制端。当n个叠接晶体管导通时,n个叠接晶体管具有第一阻抗,当n个叠接晶体管截止时,n个叠接晶体管具有第二阻抗,第一阻抗及第二阻抗相异。第一阻抗和负载阻抗匹配。

【技术保护点】

1.一种射频开关,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,另包括一串联开关路径,耦接于该第一信号端及一射频电路。

3.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中该第一信号端耦接于一天线。

4.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中,该第二晶体管的该第二端直接连接该参考电压端。

5.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中,该第一阻抗和一负载阻抗匹配。

6.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中:

7.如权利要求6所述的射频开关,其特征在于,其中,该第一阻抗为50欧姆。

8.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中,该第一分流开关路径另包括:

9.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,另包括:

10.一种射频开关,其特征在于,包括:

11.如权利要求10所述的射频开关,其特征在于,其中,当该N个叠接晶体管导通时,该N个叠接晶体管具有一相同阻抗。

12.如权利要求10所述的射频开关,其特征在于,其中,当该N个叠接晶体管导通时,该N个叠接晶体管中的至少二个晶体管具有至少二个相异阻抗。

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【技术特征摘要】

1.一种射频开关,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,另包括一串联开关路径,耦接于该第一信号端及一射频电路。

3.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中该第一信号端耦接于一天线。

4.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中,该第二晶体管的该第二端直接连接该参考电压端。

5.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中,该第一阻抗和一负载阻抗匹配。

6.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,其中:

7.如权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄昱翔陈智圣
申请(专利权)人:立积电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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