System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种低抗静电剂析出胶黏剂、偏光片保护膜及其制备方法技术_技高网

一种低抗静电剂析出胶黏剂、偏光片保护膜及其制备方法技术

技术编号:41731914 阅读:2 留言:0更新日期:2024-06-19 12:53
本发明专利技术涉及高分子材料技术领域,具体为一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法。本发明专利技术由丙烯酸酯单体100份、引发剂0.1~2份、溶剂125份制得丙烯酸酯共聚物溶液,再与抗静电剂、光引发剂、固化剂、催化剂、抑制剂及溶剂按比例混合均匀,得到丙烯酸酯粘着剂胶液,最后制得低抗静电剂析出偏光片保护膜;本发明专利技术制备的偏光片保护膜既具有优异的抗静电性、稳定的低速/高速剥离力,又具有极低的抗静电剂析出效果,即使在高温高湿长期保存的情况下也无抗静电析出,解决了当前偏光片保护膜无法兼顾抗静电性及抗静电剂析出的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高分子材料,具体为一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法。


技术介绍

1、近年来,随着智能手机、平板电脑等各种电子产品的发展,为避免电子产品屏幕在加工和运输过程中受到刮伤或磨损,一般会在其屏幕的偏光片表面贴一层保护膜。

2、在各种类型的保护膜中,聚丙烯酸酯保护膜是一种以透明聚酯薄膜为基材,单面涂布聚丙烯酸酯胶水,再贴合离型膜而成的功能性保护膜。聚丙烯酸酯保护膜具有表面平整光滑,吸附性能好,成本低等优点,主要用于偏光片材之出货保护。

3、由于在显示屏的tp玻璃后面存在触控模组,撕膜电压过大会击穿触控感应器,造成破坏,因此各大屏幕制造厂商对撕膜电压提出了一定的要求,一般小于400v。单纯使用聚丙烯酸酯树脂的撕膜电压太高,为了降低聚丙烯酸酯保护膜的撕膜电压会向保护膜中添加抗静电剂,但抗静电剂易析出而污染偏光片,影响显示质量。

4、现有技术中通常使用亲水型(极性高)抗静电剂,这一类抗静电剂抗静电效果好,但和胶层相容性差且分子量小,易向胶层表面迁移析出,造成偏光片表面因抗静电析出产生衍射斑纹。有些为了提高胶层和亲水型(极性高)抗静电剂的相容性或提供和抗静电剂中离子的络合,在胶水合成配方中使用亲水型(极性)单体,尽管改善了抗静电剂的析出,但会造成对偏光片材的剥离力过高。还有些使用疏水性的抗静电剂,疏水性抗静电剂与胶水相容性好,从胶层中迁移析出较少,但会造成抗静电效果差的问题。

5、例如,在专利文献1(cn 101208403 b)中公开了一种防静电丙烯酸系胶粘剂,使用该胶粘剂制成的胶粘薄膜、即光学部件用保护膜的经时稳定性受到所含离子化合物的量和丙烯酸系共聚物所含烯化氧链的量的影响很大。当烯化氧链的量多时,可以高效地与离子化合物形成络合物,当烯化氧链的量少、离子化合物的量多时,无法形成络合物的过剩离子化合物向胶粘剂层表面移动,易于引起白化现象。另外,经时的表面电阻值也易于上升。由这些观点出发,优选尽量地增多胶粘剂层中所含的烯化氧链的量,添加能够表现所要求的导电性的最低量离子化合物。但烯化氧链的增加,因极性及润湿性的增加,会导致对偏光片的剥离力过高(尤其对极性偏光片材)。

6、例如,在专利文献2(cn102352206a)中公开了一种偏光片用压敏胶包含丙烯酸共聚物、异氰酸酯基交联剂及作为抗静电剂的与所述压敏胶具有相容性的疏水性离子液体,所述丙烯酸共聚物、异氰酸酯基交联剂及作为抗静电剂的与所述压敏胶具有相容性的疏水性离子液体的重量份数比为100:0.1~0.5:1~4;该专利技术提供的偏光片用压敏胶,以疏水性离子液体为抗静电剂且光学透明、耐久可靠。疏水性离子液体的添加尽管与胶水相容性得到提升析出改善,但胶层的抗静电性下降,表面阻抗及撕膜电压均无法满足要求。

7、为了解决现有技术中产生衍射斑纹、剥离力过高、抗静电效果差等问题,本专利技术提供了一种低抗静电剂析出胶黏剂、偏光片保护膜及其制备方法


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术提供如下技术方案:

3、一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,包括如下步骤:

4、s1,制备丙烯酸酯共聚物溶液;

5、在带回流冷凝的反应器中按质量份数加入丙烯酸酯混合单体总质量的1/2、溶剂总质量的1/2、引发剂总质量的1/2,氮气保护下加热搅拌,保持回流状态下反应60min后,60min均匀滴加引发剂总质量的1/5、剩余的丙烯酸酯混合单体及溶剂,在77℃温度条件下继续反应2小时,最后加入剩余引发剂保温4小时,得到丙烯酸酯共聚物溶液;

6、s2,制备丙烯酸酯粘着剂胶液;

7、将制得的丙烯酸酯共聚物溶液与抗静电剂、光引发剂、固化剂、催化剂、抑制剂及溶剂按预设比例混合均匀,得到丙烯酸酯粘着剂胶液;

8、s3,制备低抗静电析出偏光片保护膜;

9、取保护膜基材,用涂布机在基材的非静电面上涂敷丙烯酸酯粘着剂胶液,烘干形成粘着层,将烘干后的粘着层与离型膜的离型面进行复合,置于25℃条件下7天或置于48℃条件下3天熟成后,使用过uv灯辐照复卷后得到低抗静电剂析出保护膜,其中uv灯辐照的波长峰值为365nm,强度为75mw/cm2。

10、较为优化地,抗静电剂含有碳碳双键(c=c)结构。

11、较为优化地,抗静电剂为季铵盐类、咪唑类抗静电剂中的至少一种。

12、较为优化地,丙烯酸酯共聚物,包含丙烯酸正丁酯、2-乙基己基丙烯酸酯、丙烯酸2-辛基酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异壬基酯、丙烯酸异葵酯、丙烯酸2-丙基庚基酯、丙烯酸烷氧化四氢呋喃酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸己内酯、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸十三烷基酯、丙烯酸十六烷基酯、丙烯酸十七烷基酯、甲基丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸三羟甲基丙烷缩甲醛酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸四氢呋喃酯、丙烯酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-4-羟基丁酯、甲基丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸中的至少一种。

13、较为优化地,丙烯酸酯共聚物的玻璃化转变温度在-65~-40℃。

14、较为优化地,丙烯酸酯共聚物的重均分子量在20万~60万之间。

15、较为优化地,丙烯酸酯共聚物的羟值为0~40mgkoh/g之间。

16、本专利技术提供了一种低抗静电剂析出的胶黏剂,应用上述任意一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法制备的丙烯酸酯粘着剂胶液制得。

17、本专利技术还提供了一种低抗静电剂析出的偏光片保护膜,应用上述任意一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法制得。

18、与现有技术相比,本专利技术所达到的有益效果是:

19、(1)本专利技术中制备的偏光片保护膜既具有优异的抗静电性、稳定的低速/高速剥离力,又具有极低的抗静电剂析出效果,即使在高温高湿长期保存的情况下也无抗静电析出,解决了当前偏光片保护膜无法兼顾抗静电性及抗静电剂析出的问题。

20、(2)本专利技术中制备的偏光片保护膜抗静电性提升及剥离力调整空间大,可通过增加抗静电剂加量实现,无抗静电剂析出风险。

21、(3)本专利技术中制备的偏光片保护膜制造流程可操作性强,生产效率高,生产工艺简单,适合大规模生产。

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【技术保护点】

1.一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中使用的抗静电剂含有碳碳双键结构。

3.根据权利要求2所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述抗静电剂为季铵盐类、咪唑类抗静电剂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中UV灯辐照的波长峰值为365nm,强度为75mw/cm2。

5.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述丙烯酸酯共聚物包含丙烯酸正丁酯、2-乙基己基丙烯酸酯、丙烯酸2-辛基酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异壬基酯、丙烯酸异葵酯、丙烯酸2-丙基庚基酯、丙烯酸烷氧化四氢呋喃酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸己内酯、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸十三烷基酯、丙烯酸十六烷基酯、丙烯酸十七烷基酯、甲基丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸三羟甲基丙烷缩甲醛酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸四氢呋喃酯、丙烯酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-4-羟基丁酯、甲基丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述丙烯酸酯共聚物的玻璃化转变温度为-65~-40℃。

7.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述丙烯酸酯共聚物的重均分子量在20万~60万之间。

8.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述丙烯酸酯共聚物的羟值在0~40mgKOH/g之间。

9.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S1中制得的丙烯酸酯共聚物溶液包括丙烯酸酯单体100份、引发剂0.1~2份、溶剂125份。

10.根据权利要求9所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中应用了抗静电剂0.4份、光引发剂0.015份、固化剂1份、催化剂0.06份、抑制剂5份及溶剂50份。

11.一种低抗静电剂析出的胶黏剂,其特征在于:应用如权利要求1~10所述的任意一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法制备的丙烯酸酯粘着剂胶液制得。

12.一种低抗静电剂析出的偏光片保护膜,其特征在于:应用如权利要求1~10所述的任意一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法制得。

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【技术特征摘要】

1.一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述步骤s2中使用的抗静电剂含有碳碳双键结构。

3.根据权利要求2所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述抗静电剂为季铵盐类、咪唑类抗静电剂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述步骤s3中uv灯辐照的波长峰值为365nm,强度为75mw/cm2。

5.根据权利要求1所述的一种低抗静电剂析出偏光片保护膜的制备方法,其特征在于:所述丙烯酸酯共聚物包含丙烯酸正丁酯、2-乙基己基丙烯酸酯、丙烯酸2-辛基酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异壬基酯、丙烯酸异葵酯、丙烯酸2-丙基庚基酯、丙烯酸烷氧化四氢呋喃酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸己内酯、乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸十三烷基酯、丙烯酸十六烷基酯、丙烯酸十七烷基酯、甲基丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸三羟甲基丙烷缩甲醛酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸四氢呋喃酯、丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜震宇周奎任
申请(专利权)人:江苏世拓新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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