【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是一种失效定位方法以及失效分析方法。
技术介绍
1、集成电路失效分析是提高产品良率的重要手段，在产品研发阶段通常设计各种不同的测试结构，模拟集成电路中的真实环境，从而发现设计或生产中的工艺缺陷。当测试结构出现失效时，需要找到失效位置，并针对失效位置再进一步sem(scanning electronmicroscope，扫描电子显微镜)或tem(transmission electron microscope，透射电子显微镜)分析，找到失效的真实原因，并做进一步的改善。
2、失效定位是失效分析的前提，失效定位是通过各种定位手段找到失效位置。目前半导体芯片级的失效定位手段主要有emmi(光发射显微镜)、obirch(光致阻抗变化显微镜)以及thermal(热发射显微镜)等。例如，emmi/obirch可以实现高倍率sil(solid immersionlens，固体浸没透镜)镜头下的失效定位，热点发现后，通常会选择一特征点，比如结构的一角，然后再量测热点与特征点的距离，以实现失效定位，但是由于emmi/obirch呈现的图像是多层的叠加，在后面样品处理时，特征点的位置选择在每层上的表现不同，所以会存在微米级的误差，从而错过真正的失效位置。
3、随着制程缩小，器件尺寸为纳米级别，而电性定位系统为微米级别的精准度，获得热点后，若热点位于结构中间，周围又都是重复图形，会因为无参照物而无法精细定位，从而造成结构边缘测量定位不够精确，导致怀疑范围变大，探针需要测量的bit数几十上百地增
4、因此，如何精准定位热点，降低工程师的测试负担成为了本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种失效定位方法以及失效分析方法，以解决现有技术中无法精准定位热点造成的工程师测试负担增加的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种失效定位方法，包括：
3、获取一具有失效器件的样品，所述失效器件形成热点位置；
4、获取所述热点位置，将激光点作用于与所述热点位置相邻的器件上，并调整激光的功率和作用时间；
5、将所述样品研磨至相应层次，在一预设范围内对所述样品进行电性测试，并定位激光点作用的标记器件；其中，所述预设范围包括热点位置；
6、所述失效器件为与所述标记器件相邻的器件。
7、可选的，所述预设范围包括：距离所述热点位置一预设距离形成的范围。
8、可选的，所述预设距离包括3μm～10μm。
9、可选的，通过原子力显微镜对所述预设范围内的所述样品进行电性测试，形成皮安级电流信号图，以定位激光点作用的标记器件。
10、可选的，所述激光的功率包括10mw～100mw；所述激光的作用时间包括10min～30min。
11、可选的，通过定位机台的最大倍率镜头获取所述热点位置。
12、可选的，将所述样品研磨至ct层，以在预设范围内对所述样品进行电性测试。
13、为了达到上述目的，本专利技术还提供了一种失效分析方法，包括：
14、利用如上所述的失效定位方法定位所述样品中的所述失效器件；
15、量测所述失效器件，确认电性失效原因；
16、高压观察所述样品的表面形貌；
17、通过tem机台观察所述失效器件，分析失效原因。
18、可选的，通过原子力显微镜量测所述失效器件。
19、可选的，通过sem机台高压观察所述样品的表面形貌。
20、与现有的失效定位方法和失效分析方法相比，本申请具有以下优点：
21、本申请提供的失效定位方法，通过将激光点作用于与热点位置相邻的器件上，激光以热能的形式破环了相邻的器件的电性，此时，将样品研磨至ct层，通过电性测试就能够快速定位被激光破坏的器件位置(即标记器件)，与之相邻的器件即为失效器件。如此配置，上述定位方法中的激光点的标记位置与失效位置相邻，只有一个像素大小的距离，能够通过电性测试快速精准辅助定位，减少了操作人员的测试工作量；同时，能够有效避免应机台观察到的层次与实际测量的层次不是同一层次，从而造成实际测量的距离不够准确的问题；除此之外，上述定位方法中的激光点，能够通过控制能量与扫描时间，样品表面不会出现物性损伤，保证了样品研磨的均匀性和平整性。
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1.一种失效定位方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，所述预设范围包括：距离所述热点位置一预设距离形成的范围。
3.如权利要求2所述的失效定位方法，其特征在于，所述预设距离包括3μm～10μm。
4.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，通过原子力显微镜对所述预设范围内的所述样品进行电性测试，形成皮安级电流信号图，以定位激光点作用的标记器件。
5.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，所述激光的功率包括10mW～100mW；所述激光的作用时间包括10min～30min。
6.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，通过定位机台的最大倍率镜头获取所述热点位置。
7.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，将所述样品研磨至CT层，以在预设范围内对所述样品进行电性测试。
8.一种失效分析方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的失效分析方法，其特征在于，通过原子力显微镜量测所述失效器件。
10.如权利要求8所述的失效分
...【技术特征摘要】
1.一种失效定位方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，所述预设范围包括：距离所述热点位置一预设距离形成的范围。
3.如权利要求2所述的失效定位方法，其特征在于，所述预设距离包括3μm～10μm。
4.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，通过原子力显微镜对所述预设范围内的所述样品进行电性测试，形成皮安级电流信号图，以定位激光点作用的标记器件。
5.如权利要求1所述的失效定位方法，其特征在于，所述激光的功率包括10mw～100mw；所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周文婷，王梦莉，邹雅，高金德，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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