本发明专利技术的目的在于，提供具有高的相对介电常数、介电损耗小、在直流电压下相对介电常数增加、并且其最大增加率大的新型的电介质瓷器组成物。本发明专利技术的电介质瓷器组成物包含A、R以及B的氧化物(I)，所述氧化物(I)具有正方晶钨青铜型构造，所述A包含K以及Ba，所述R是从包含La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y以及Sc的组中选择的至少1个，所述B是从包含Nb以及Ta的组中选择的至少1个，所述B的物质的量相对于2摩尔的所述A是4.75摩尔以上且5.25摩尔以下，所述电介质瓷器组成物中包含的全部的金属元素中的所述A、所述R以及所述B的合计的摩尔分数是0.975以上。
2、近年来，伴随陶瓷电容器的用途的扩大，要求了各种特性。为了应对这样的要求，作为陶瓷电容器的电介质部分的材料，提出了具有各种各样的组成的电介质瓷器组成物。例如，作为新的电介质瓷器组成物，提出了具有晶体构造与钙钛矿型非常相似但是极化构造不同的正方晶钨青铜型构造的组合物(参照专利文献1～2等)。
3、在专利文献1中记载了以下电介质瓷器组成物，该电介质瓷器组成物的特征在于，具有由通式{a1-x(re)2x/3}y-d2o5+y表示且具有钨青铜构造的化合物和m的氧化物，
4、所述a是从包含ba、ca、sr以及mg的组中选择的至少1个，所述d是从包含nb以及ta的组中选择的至少1个，所述re是从包含sc、y、la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb以及lu的组中选择的至少1个，
>10、所述副成分是从mn、cu、v、fe、co以及si中选择的至少1个，11、在将b1及b2的合计设为100mol％的情况下，mn、cu、v、fe以及co的合计含有量是0.5mol％以上且小于4mol％，si的含有量小于7mol％，ba的含有量是9.8mol％以上且61.8mol％以下，ca的含有量小于51.5mol％，sr的含有量小于41.2mol％，稀土类元素的含有量小于30.9mol％，
12、a相对于b1及b2的比率是0.588以上且0.618以下，
13、在将整体设为100mol％的情况下，zr的含有量大于8mol％且小于50mol％，nb的含有量是50mol％以上且80mol％以下。
14、在专利文献3中，电介质瓷器组成是包含a、r及b的氧化物、以及mn的氧化物的电介质瓷器组成物，所述a是从包含k以及na的组中选择的至少1个，
15、所述r是从包含la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、y以及sc的组中选择的至少1个，
16、所述b是从包含nb以及ta的组中选择的至少1个，
17、所述a：r：n：mn的摩尔比是2-x：1+x/3：5+y：z，
18、所述x、y以及z满足-0.3≤x、0.6、-0.5≤y≤0.5、以及0.001≤z≤0.5。
19、在先技术文献
20、专利文献
21、专利文献1：日本特开2013-180908号公报
22、专利文献2：日本特开2018-104209号公报
23、专利文献3：国际公开第2020/240986号
24、非专利文献
25、非专利文献1：r.r.neurgaonkar，等，“feroelectric and structuralproperties of the tungusten bronze system k2ln3+nb5o15，ln＝la to lu”，materials research bulletin，1990，vol.25，pp.959-970
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、具有钙钛矿型构造的钛酸钡起因于铁电性，存在若施加直流电压则相对介电常数下降(负偏置特性)这样的难点。与此相对，具有正方晶钨青铜型构造的专利文献1～2所记载的电介质瓷器组成物通过抑制铁电性，能够降低直流电压下的相对介电常数的下降。然而，在专利文献1～2所记载的电介质瓷器组成物中，无法实现在直流电压下使相对介电常数提高。此外，具有正方晶钨青铜型构造的专利文献3所记载的电介质瓷器组成物能够在直流电压下使相对介电常数提高，但是鉴于陶瓷电容器的用途的扩大、电特性的提高，而进一步要求直流电压下的相对介电常数的提高。
3、此外，虽然不是与陶瓷电容器有关的物质，但是作为具有具备正方晶钨青铜型构造的另外的组成的物质，报告了k2ln3+nb5o15(ln＝la～lu)(非专利文献1)。在非专利文献1中，公开了具有这样的组成的物质示出低的相对介电常数和低的电阻率。非专利文献1所记载的物质由于电阻率低，因此可认为难以在直流电压下用作电介质，进一步地，不适于用作陶瓷电容器的电介质部分的材料。
4、本专利技术的目的在于，提供具有高的相对介电常数、介电损耗小、在直流电压下相对介电常数增加、并且其最大增加率大的新型的电介质瓷器组成物。本专利技术的另一目的在于，提供包含这样的电介质瓷器组成物而形成的陶瓷电容器。
5、用于解决问题的技术方案
6、本专利技术包括以下的专利技术。
7、[1]一种电介质瓷器组成物，包含a、r以及b的氧化物(i)，其中，
8、所述氧化物(i)具有正方晶钨青铜型构造，
9、所述a包含k以及ba，
10、所述r是从包含la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、y以及sc的组中选择的至少1个，
11、所述b是从包含nb以及ta的组中选择的至少1个，
12、所述b的物质的量相对于2摩尔的所述a是4.75摩尔以上且5.25摩尔以下，
13、所述电介质瓷器组成物中包含的全部的金属元素中的所述a、所述r以及所述b的合计的摩尔分数是0.975以上。
14、[2]根据[1]所记载的电介质瓷器组成物，其中，
15、还包含x的氧化物(ii)，
16、所述x是从包含mn、cu、fe、co、ni、v以及si的组中选择的至少1个。
17、[3]根据[2]所记载的电介质瓷器组成物，其中，
18、所述x的物质的量相对于2摩尔的所述a是0.18摩尔以下。
19、[4]根据[1]～[3]中的任一个所记载的电介质瓷器组成物，其中，
20、所述a中的k的摩尔分数是0.1以上且0.95以下。
21、[5]根据[1]～[4]中的任一个所记载的电介质瓷器组成物，其中，
22、所述r的物质的量相对于2摩尔的所述a是0.4摩尔以上且0.967摩尔以下。
23、[6]根据[1]～[5]中的任一个所记载的电介质瓷器组成物，其中，
24、所述a中的k以及ba的合计的摩尔分数是0.8以上。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电介质瓷器组成物，包含A、R以及B的氧化物(I)，其中，
2.根据权利要求1所述的电介质瓷器组成物，其中，
3.根据权利要求2所述的电介质瓷器组成物，其中，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
13.一种陶瓷电容器，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电介质瓷器组成物，包含a、r以及b的氧化物(i)，其中，
2.根据权利要求1所述的电介质瓷器组成物，其中，
3.根据权利要求2所述的电介质瓷器组成物，其中，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的电介质瓷器组成物，其中，
7.根据权利要求1～6中的任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：村田智城，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。