System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 三维存储器及其制造方法、以及存储器系统技术方案_技高网

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三维存储器及其制造方法、以及存储器系统技术方案

技术编号：41729502 阅读：4 留言：0更新日期：2024-06-19 12:51

本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：堆叠层，位于半导体层上；存储沟道结构，穿过堆叠层，并包括第一沟道层；选择栅结构，位于堆叠层的背离半导体层的一侧；以及选择沟道结构，穿过选择栅结构，并包括由外向内设置的阻隔层和第二沟道层。本申请的一些实施方式的三维存储器设置的阻隔层能够有效阻挡导电层中掺杂的杂质粒子向栅介质层扩散，保证了栅介质层的质量，有利于控制TSG晶体管的稳定性。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘佳裔，高庭庭，孙昌志，杜小龙，刘小欣，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人

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