The invention provides a wafer alignment mark. The existing technology creates a gap on the wafer edge as the wafer alignment mark, which is easy to produce stress or defect on the wafer, thereby affecting the quality of the peripheral device. The wafer alignment mark of the invention is arranged on the backside of the wafer and is an axial symmetrical laser laser mark. The invention can effectively improve the yield of the semiconductor device on the wafer under the premise of ensuring the accuracy of the wafer alignment.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆对准标记。技术背景在半导体制造领域，现通常在晶圓的边缘制作一缺口 (notch)以在制造过 程中进行对准，该种对准标记存在着简单方便的优点，但是该缺口易在晶圆边 缘引进缺陷或应力，从而影响缺口附近的半导体器件的质量及成品率。因此，如何提供一种晶圓对准标记以在确保对准精度的前提下提高晶圆上 半导体器件的成品率，已成为业界亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圓对准标记，通过所述标记可提高晶圆上半导体器件的成品率。本专利技术的目的是这样实现的 一种晶圆对准标记，设置在晶圆背面，且其为中轴对称型激光镭射标记。在上述的晶圓对准标记中，该晶圓对准标记设置在晶圓背面的边缘。 在上述的晶圓对准标记中，该中轴对称型激光镭射标记为 一个圆。 在上述的晶圓对准标记中，该中轴对称型激光镭射标记为一个十字架。 在上述的晶圆对准标记中，该中轴对称型激光镭射标记为一组栅状条紋。 与现有技术中晶圆上的对准标记为缺口易造成晶圆上半导体器件的成品率较低相比，本专利技术的晶圆对准标记制作在晶圓背面，且为中轴对称型激光镭射标记，如此可避免在晶圆上引起应力或缺陷，进而可在确保晶圆对准精度的前提下有效提高晶圆上半导体器件的成品率。附图说明本专利技术的晶圆对准标记由以下的实施例及附图给出。图1为本专利技术的晶圆对准标记第一实施例的示意图； 图2为本专利技术的晶圓对准标记第二实施例的示意图； 图3为本专利技术的晶圆对准标记第三实施例的示意图。具体实施方式以下将对本专利技术的晶圓对准标记作进一步的详细描述。本专利技术的晶圆对准标...
【技术保护点】
一种晶圆对准标记，其特征在于，该晶圆对准标记设置在晶圆背面，且其为中轴对称型激光镭射标记。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：常建光，苗丽，刘玉丽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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