【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、与传统的非晶硅(a-si)薄膜晶体管技术相比，低温多晶硅(low temperaturepoly-silicon，ltps)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，tft lcd)，比如应用到vr(virtual reality，虚拟现实)设备中。vr设备需求显示器具备高亮度、高像素密度(pixels per inch，ppi)、低功耗等性能，然而现有vr设备在高亮度背光、长时间光照下存在光生漏电流增加的问题，而光生漏电流增加的问题会引起串扰(crosstalk)等问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有薄膜晶体管液晶显示器存在的光生漏电流增加而导致串扰的技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：
4、衬底；
5、晶体管，设置于所述衬底的一侧，所述晶体管包括有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述有源层包括沟道区；
6、第一遮光部，设置于所述源极以及所述漏极与所述有源层之间，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影，且超出所述沟道区在所述衬底上的正投影范围。
7、在本申请实
8、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线与所述栅极连接并同层设置，所述数据线与所述源极连接并同层设置；
9、所述第一遮光部沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极扫描线在所述衬底上的正投影，并超出所述栅极扫描线在所述衬底上的正投影范围。
10、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一遮光部在所述第一方向上呈长条状。
11、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一遮光部上设置有至少一个断口，位于所述断口两侧的所述第一遮光部彼此分离，且所述断口位于相邻的两条数据线之间。
12、在本申请实施例提供的阵列基板中，每相邻的两条所述数据线之间均具有一个所述断口。
13、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括位于所述衬底与所述晶体管之间的第二遮光部，所述第二遮光部对应所述有源层设置。
14、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述有源层还包括位于所述沟道区相对两侧的源掺杂区和漏掺杂区，所述源极与所述源掺杂区连接，所述漏极与所述漏掺杂区连接，所述源掺杂区和所述漏掺杂区均包括重掺杂区和轻掺杂区，所述重掺杂区位于所述轻掺杂区远离所述沟道区的一侧。
15、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述漏极位于所述源极远离所述衬底的一侧。
16、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第二遮光部和所述第一遮光部的材料相同。
17、本申请实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板。
18、本申请的有益效果为：本申请提供的阵列基板和显示面板中，阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底的一侧的晶体管和第一遮光部，所述晶体管包括有源层、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述有源层包括沟道区，第一遮光部设置于所述源极以及所述漏极与所述有源层之间，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影，且超出所述沟道区在所述衬底上的正投影范围；本申请通过在源极和漏极与有源层之间设置第一遮光部，第一遮光部能够遮挡源极和漏极所在金属层的反射光线，以减少背光经源极和漏极所在金属层反射到沟道区的光线，进而降低晶体管器件的光生漏电流，改善器件的电学性能，缓解了现有薄膜晶体管液晶显示器存在的光生漏电流增加而导致串扰的技术问题。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述有源层远离所述衬底一侧的栅极，所述栅极对应所述沟道区设置，所述第一遮光部位于所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底上的正投影，且超出所述栅极在所述衬底上的正投影范围。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线与所述栅极连接并同层设置，所述数据线与所述源极连接并同层设置；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部在所述第一方向上呈长条状。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部上设置有至少一个断口，位于所述断口两侧的所述第一遮光部彼此分离，且所述断口位于相邻的两条数据线之间。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，每相邻的两条所述数据线之间均具有一个所述断口。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括位
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括位于所述沟道区相对两侧的源掺杂区和漏掺杂区，所述源极与所述源掺杂区连接，所述漏极与所述漏掺杂区连接，所述源掺杂区和所述漏掺杂区均包括重掺杂区和轻掺杂区，所述重掺杂区位于所述轻掺杂区远离所述沟道区的一侧。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极位于所述源极远离所述衬底的一侧。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光部和所述第一遮光部的材料相同。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管还包括位于所述有源层远离所述衬底一侧的栅极，所述栅极对应所述沟道区设置，所述第一遮光部位于所述栅极远离所述衬底的一侧，所述第一遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底上的正投影，且超出所述栅极在所述衬底上的正投影范围。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线和多条沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线与所述栅极连接并同层设置，所述数据线与所述源极连接并同层设置；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部在所述第一方向上呈长条状。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部上设置有至少一个断口，位于所述断口两侧的所述第一遮光部彼此分离，且所述断口位于相邻的两条数据线之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员：余茵茵，黄灿，宋德伟，艾飞，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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