【技术实现步骤摘要】
本技术涉及封装引线框架领域，具体而言，涉及一种大功率高导热封装引线框架。
技术介绍
1、大功率高导热封装引线框架是一种用于高功率电子器件封装的结构，旨在提供良好的导热性能和机械支撑。这种封装引线框架通常由高导热性的材料制成，例如铜、铝或其他具有较高热导率的材料，大功率电子器件产生较高的热量，导热性能是封装引线框架的关键要素。通过使用高导热性的材料和设计优化，封装引线框架能够高效地传导和散热热量，保持器件的温度稳定并防止过热。
2、而现在大多数的大功率高导热封装引线框架存在以下问题：
3、现有的大功率高导热封装引线框架，传统引线框架均为金属底板、金属框架及引脚，一般都是不锈钢材质，满足普通功率级别产品没有问题，但是需要高导热、大功率的产品底板导热系数不够，无法满足目前sic、gan等mos或者igbt的大功率器件需求，散热效率较低。
4、因此我们对此做出改进，提出一种大功率高导热封装引线框架。
技术实现思路
1、本技术的目的在于：针对目前存在的散热效率较低的问题。
2、为了实现上述技术目的，本技术提供了以下技术方案：
3、大功率高导热封装引线框架，以改善上述问题。
4、本申请具体是这样的：
5、包括上盖板和凹槽，所述上盖板上开设有凹槽，所述凹槽上开设有卡槽，所述上盖板上固定连接有安装垫，所述上盖板上开设有透气孔，所述上盖板一侧安装有下盖板，所述下盖板上固定连接有凸块，所述凸块上固定连接有卡块，所述上盖
6、作为本申请优选的技术方案，所述上盖板上等距开设有卡槽，所述卡槽的中心线与卡块的中心线呈同一水平线。
7、作为本申请优选的技术方案，所述安装架的边缘预留焊接边框，所述散热片可使用氮化硅或碳化硅等材质，同时散热片需要双面或者单面金属化。
8、作为本申请优选的技术方案，所述底板采用高导热率的材质比如金属类可以使用无氧铜、cuw合金等。
9、作为本申请优选的技术方案，所述散热片的长度与宽度小于透气孔的长度与宽度。
10、与现有技术相比，本技术的有益效果：
11、在本申请的方案中：
12、本申请中设置有散热片；本申请将安装架上的引脚与底板独立开来，在安装架的边缘留出焊接底板的边框，底板采用高导热率的材质比如金属类可以使用无氧铜、cuw合金，陶瓷类可以使用al-sic、sic单晶散热片、aln、金刚石，陶瓷类散热片需要双面或者单面金属化。在边缘采用snagcu或者sn焊料将底板焊接在引线框架的边缘，这样高导热率的底板将器件的散热性能大大提高，因此可以满足大功率功率器件的需求。
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1.一种大功率高导热封装引线框架，包括上盖板（1）和凹槽（2），其特征在于，所述上盖板（1）上开设有凹槽（2），所述凹槽（2）上开设有卡槽（3），所述上盖板（1）上固定连接有安装垫（4），所述上盖板（1）上开设有透气孔（5），所述上盖板（1）一侧安装有下盖板（6），所述下盖板（6）上固定连接有凸块（7），所述凸块（7）上固定连接有卡块（8），所述上盖板（1）与下盖板（6）上开设有通槽（9），所述上盖板（1）内安装有安装架（10），所述安装架（10）上固定连接有引线（11），所述安装架（10）上固定连接有底板（13），所述底板（13）上固定连接有散热片（12）。
2.根据权利要求1所述的一种大功率高导热封装引线框架，其特征在于，所述上盖板（1）上等距开设有卡槽（3），所述卡槽（3）的中心线与卡块（8）的中心线呈同一水平线。
3.根据权利要求1所述的一种大功率高导热封装引线框架，其特征在于，所述安装架（10）的边缘预留焊接边框，所述散热片（12）的材质为氮化硅或碳化硅，所述散热片（12）的双面均经过金属化处理。
4.根据权利要求1所述的一种大功率高
5.根据权利要求1所述的一种大功率高导热封装引线框架，其特征在于，所述散热片（12）的长度与宽度小于透气孔（5）的长度与宽度。
...【技术特征摘要】
1.一种大功率高导热封装引线框架，包括上盖板（1）和凹槽（2），其特征在于，所述上盖板（1）上开设有凹槽（2），所述凹槽（2）上开设有卡槽（3），所述上盖板（1）上固定连接有安装垫（4），所述上盖板（1）上开设有透气孔（5），所述上盖板（1）一侧安装有下盖板（6），所述下盖板（6）上固定连接有凸块（7），所述凸块（7）上固定连接有卡块（8），所述上盖板（1）与下盖板（6）上开设有通槽（9），所述上盖板（1）内安装有安装架（10），所述安装架（10）上固定连接有引线（11），所述安装架（10）上固定连接有底板（13），所述底板（13）上固定连接有散热片（12）。
2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨丽霞，向利娟，郭赞，闫方亮，于渤，
申请(专利权)人：北京聚睿众邦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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