【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种静电放电(electrostatic discharge，esd)保护装置，特别是有关于一种双向静电放电保护装置。
技术介绍
1、随着集成电路的半导体工艺的发展，半导体元件尺寸已缩小至次微米阶段，以增进集成电路的性能以及运算速度，但元件尺寸的缩减，却出现了一些可靠度的问题，尤以集成电路对静电放电(electrostatic discharge，esd)的防护能力影响最大。因此，在此
中，需要能有效提供静电放电路径的装置。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种静电放电保护装置。此静电放电保护装置包括一半导体基板、一外延层、一第一井区、一第二井区、一第三井区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一第四掺杂区、一第五掺杂区、以及一第六掺杂区。半导体基板具有一第一导电类型。外延层位于半导体基板上，且具有第一导电类型。第一井区设置在外延层中，且具有第一导电类型。第二井区设置在外延层中，且具有第一导电类型。第三井区设置在外延层中，且位于第一井区与第二井区之间。第三井区具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。第一掺杂区设置在第一井区上，且具有该第一导电类型。第二掺杂区设置在第一井区上，且第二掺杂区具有第二导电类型。第三掺杂区设置在第二井区上，且具有第一导电类型。第四掺杂区设置在第二井区上，且具有第二导电类型。第五掺杂区设置在第三井区上，且具有第二导电类型。第六掺杂区设置在第五掺杂区中，且具有第二导电类型。第一掺杂区与第二掺杂区耦接一接合垫(pad)，以及第三掺杂
2、本专利技术实施例所提出的静电放电保护装置可以提供可双向的放电路径。当在接合垫上发生一正极性静电放电事件或一负极性静电放电事件时，提供由一硅控整流器的一p-n-p-n接面所形成的电流路径，以快速放电速度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第五掺杂区朝向该第一井区以及该第二井区延伸，且接触该第一井区以及该第二井区。
4.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于：
5.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于：
6.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
8.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
9.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第五掺杂区的一边界被该第三井区包围。
10.如权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第八掺杂区的一边界被该第二井区包围。
11.如权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第八掺杂区还设置在该第三井区上。
12.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于
13.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于：
14.如权利要求13所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第八掺杂区的一边界被该第二井区包围。
15.权利要求13所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第八掺杂区还设置在该第三井区上。
16.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第二掺杂区与该第六掺杂区由一第一隔离物隔开，以及该第四掺杂区与该第六掺杂区由一第二隔离物隔开。
17.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
18.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
19.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
20.如权利要求19所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
21.如权利要求20所述的静电放电保护装置，其特征在于，该埋藏层还与该第二井区的一底面连接。
...【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第五掺杂区朝向该第一井区以及该第二井区延伸，且接触该第一井区以及该第二井区。
4.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于：
5.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于：
6.如权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
8.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，还包括：
9.如权利要求8所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第五掺杂区的一边界被该第三井区包围。
10.如权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第八掺杂区的一边界被该第二井区包围。
11.如权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第八掺杂区还设置在该第三井区上...
【专利技术属性】
技术研发人员：周业宁，李建兴，庄介尧，廖显峰，张廷瑜，林志轩，林文新，邱华琦，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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