【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体生长设备领域，具体而言，涉及一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
1、目前，通常采用在碳化硅长晶炉中布置坩埚、加热器及保温层等结构来生长碳化硅晶体，保温层对加热器进行水平周向包围，加热器对坩埚进行水平周向包围，对坩埚加热形成竖直向上递减的温度梯度。
2、在实际工作过程中，由于温度设置不合理或者其他参数的波动而导致的坩埚温度过高会严重影响晶体的品质。虽然长晶炉的炉壁内设置有液冷系统，能够进行液冷散热，但炉壁与坩埚之间隔着保温层，坩埚过热时难以得到及时散热。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其能够在温度过高时对坩埚进行散热保护，保证碳化硅晶体的生长质量。
2、本专利技术的实施例提供一种技术方案：
3、一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，包括长晶炉、保温层、坩埚及传热组件，所述保温层容置于所述长晶炉内，所述保温层形成有保温区域，所述坩埚容置于所述保温区域内，所述传热组件设置于所述保温层上并贯穿所述保温层，所述传热组件用于伸长至与所述长晶炉的炉侧壁接触，以将所述保温区域内的热量传递至所述炉侧壁。
4、在可选的实施方式中，所述传热组件包括吸热件、导热伸缩组件及传热件，所述吸热件处于所述保温区域内，所述传热件处于所述保温层与所述长晶炉的炉侧壁之间，所述导热伸缩组件的一端与所述吸热件连接，另一端贯穿所述保温层与所述传热件连接。
5、在可选的
6、在可选的实施方式中，所述导热伸缩组件包括第一导热杆、第二导热杆及功能模块，所述第一导热杆的一端与所述吸热件连接，另一端与所述第二导热杆的一端可滑动的插接，所述第二导热杆的另一端与所述传热件连接；
7、所述功能模块用于驱动所述第二导热杆相对所述第一导热杆滑动，以带动所述传热件与所述炉侧壁接触或脱离接触。
8、在可选的实施方式中，所述功能模块包括热膨胀填充物，所述热膨胀填充物填充于所述第一导热杆与所述第二导热杆之间。
9、在可选的实施方式中，所述保温区域具有沿第一方向递减的温度梯度，所述传热组件的数量为多个，多个所述传热组件在所述保温层上沿所述第一方向依次排布，且在所述第一方向上，多个所述传热组件对应的多个所述导热伸缩组件填充的所述热膨胀填充物的热膨胀系数递增。
10、在可选的实施方式中，所述功能模块还包括电磁吸附件及弹性复位件，所述电磁吸附件在所述炉侧壁上对应所述传热件设置，所述电磁吸附件用于在通电状态下磁吸所述传热件；所述弹性复位件的两端分别与所述第一导热杆及所述第二导热杆连接。
11、在可选的实施方式中，所述传热组件还包括温度检测件，所述温度检测件设置于所述保温区域内并与所述电磁吸附件电连接，所述温度检测件用于检测所述保温区域的温度，所述电磁吸附件用于根据所述温度检测件的检测结果切换通电与断电状态。
12、在可选的实施方式中，所述保温区域具有沿第一方向递减的温度梯度，所述传热组件的数量为多个，多个所述传热组件在所述保温层上沿所述第一方向依次排布，且在所述第一方向上，多个所述温度检测件分别检测对应的多个所述吸热件各自所在区域的温度。
13、在可选的实施方式中，所述保温区域具有沿第一方向递减的温度梯度，所述传热组件的数量为多个，多个所述传热组件在所述保温层上沿所述第一方向依次排布。
14、相比现有技术，本专利技术提供的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，在坩埚所处的保温区域温度过高的情况下，传热组件能够伸长至与长晶炉的炉侧壁接触，从而将保温区域的热量传递至长晶炉的炉侧壁，实现对坩埚的散热保护，保证坩埚内碳化硅晶体的正常生长。因此，本专利技术提供的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置的有益效果包括：能够在温度过高时对坩埚进行散热保护，保证碳化硅晶体的生长质量。
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1.一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括长晶炉(110)、保温层(120)、坩埚(130)及传热组件(140)，所述保温层(120)容置于所述长晶炉(110)内，所述保温层(120)形成有保温区域(121)，所述坩埚(130)容置于所述保温区域(121)内，所述传热组件(140)设置于所述保温层(120)上并贯穿所述保温层(120)，所述传热组件(140)用于伸长至与所述长晶炉(110)的炉侧壁(111)接触，以将所述保温区域(121)内的热量传递至所述炉侧壁(111)。
2.根据权利要求1所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述传热组件(140)包括吸热件(141)、导热伸缩组件(142)及传热件(143)，所述吸热件(141)处于所述保温区域(121)内，所述传热件(143)处于所述保温层(120)与所述长晶炉(110)的炉侧壁(111)之间，所述导热伸缩组件(142)的一端与所述吸热件(141)连接，另一端贯穿所述保温层(120)与所述传热件(143)连接。
3.根据权利要求2所述的具有散热调控能力的碳化硅晶
4.根据权利要求2所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述导热伸缩组件(142)包括第一导热杆(1421)、第二导热杆(1422)及功能模块，所述第一导热杆(1421)的一端与所述吸热件(141)连接，另一端与所述第二导热杆(1423)的一端可滑动的插接，所述第二导热杆(1423)的另一端与所述传热件(143)连接；
5.根据权利要求4所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述功能模块包括热膨胀填充物(1422)，所述热膨胀填充物(1422)填充于所述第一导热杆(1421)与所述第二导热杆(1423)之间。
6.根据权利要求5所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述保温区域(121)具有沿第一方向递减的温度梯度，所述传热组件(140)的数量为多个，多个所述传热组件(140)在所述保温层(120)上沿所述第一方向依次排布，且在所述第一方向上，多个所述传热组件(140)对应的多个所述导热伸缩组件(142)填充的所述热膨胀填充物(1422)的热膨胀系数递增。
7.根据权利要求4所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述功能模块包括电磁吸附件(144)及弹性复位件(1424)，所述电磁吸附件(144)在所述炉侧壁(111)上对应所述传热件(143)设置，所述电磁吸附件(144)用于在通电状态下磁吸所述传热件(143)；所述弹性复位件(1424)的两端分别与所述第一导热杆(1421)及所述第二导热杆(1423)连接。
8.根据权利要求7所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述传热组件(140)还包括温度检测件，所述温度检测件设置于所述保温区域(121)内并与所述电磁吸附件(144)电连接，所述温度检测件用于检测所述保温区域(121)的温度，所述电磁吸附件(144)用于根据所述温度检测件的检测结果切换通电与断电状态。
9.根据权利要求8所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述保温区域(121)具有沿第一方向递减的温度梯度，所述传热组件(140)的数量为多个，多个所述传热组件(140)在所述保温层(120)上沿所述第一方向依次排布，且在所述第一方向上，多个所述温度检测件分别检测对应的多个所述吸热件(141)各自所在区域的温度。
10.根据权利要求1所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述保温区域(121)具有沿第一方向递减的温度梯度，所述传热组件(140)的数量为多个，多个所述传热组件(140)在所述保温层(120)上沿所述第一方向依次排布。
...【技术特征摘要】
1.一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括长晶炉(110)、保温层(120)、坩埚(130)及传热组件(140)，所述保温层(120)容置于所述长晶炉(110)内，所述保温层(120)形成有保温区域(121)，所述坩埚(130)容置于所述保温区域(121)内，所述传热组件(140)设置于所述保温层(120)上并贯穿所述保温层(120)，所述传热组件(140)用于伸长至与所述长晶炉(110)的炉侧壁(111)接触，以将所述保温区域(121)内的热量传递至所述炉侧壁(111)。
2.根据权利要求1所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述传热组件(140)包括吸热件(141)、导热伸缩组件(142)及传热件(143)，所述吸热件(141)处于所述保温区域(121)内，所述传热件(143)处于所述保温层(120)与所述长晶炉(110)的炉侧壁(111)之间，所述导热伸缩组件(142)的一端与所述吸热件(141)连接，另一端贯穿所述保温层(120)与所述传热件(143)连接。
3.根据权利要求2所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述传热件(143)为弹性件，在所述传热件(143)与所述炉侧壁(111)接触的状态下，所述传热件(143)与所述炉侧壁(111)的接触面积随所述导热伸缩组件(142)伸长量的增加而增加。
4.根据权利要求2所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述导热伸缩组件(142)包括第一导热杆(1421)、第二导热杆(1422)及功能模块，所述第一导热杆(1421)的一端与所述吸热件(141)连接，另一端与所述第二导热杆(1423)的一端可滑动的插接，所述第二导热杆(1423)的另一端与所述传热件(143)连接；
5.根据权利要求4所述的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述功能模块包括热膨胀填充物(1422)，所述热膨胀填充物(1422)填充于所述第一导热杆(1421...
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