【技术实现步骤摘要】
所公开的主题一般地涉及用于存储器装置的结构。更具体地说，本公开涉及具有源极电极、漏极电极和控制电极的三端子电阻式随机存取(reram)存储器结构。
技术介绍
1、半导体器件和集成电路(ic)芯片已经在物理、化学、生物、计算和存储器装置领域中发现多种应用。存储器装置的示例是非易失性(nv)存储器装置。nv存储器装置可编程，并且因其即使在断电之后也能长时间保存数据的能力而已经广泛用于电子产品。nv存储器的示例性类别可以包括电阻式随机存取存储器(reram)、可擦除可编程只读存储器(eprom)、闪存、铁电随机存取存储器(feram)和磁阻式随机存取存储器(mram)。
2、reram装置包括位于底部电极和顶部电极之间的开关层。reram装置可以通过改变开关层两端的电阻来编程，以提供不同的内容存储状态，即高电阻状态(hrs)和低电阻状态(lrs)，表示存储的数据位。可以通过施加编程电压来修改开关层，该编程电压足以产生跨开关层的厚度桥接的一个或多个导电细丝，其设置低电阻状态。导电细丝例如可以通过导电物质(例如，金属离子)从一个或两个电极扩散到开关层中而形成。导电细丝也可以通过施加编程电压而被破坏，以将电阻式存储器元件重置为高电阻状态。内容存储状态可以通过在电阻式存储元件被编程之后测量电阻式存储元件两端的电压降来读取。
技术实现思路
1、在本公开的一方面，提供一种存储器结构，包括：具有上表面的源极电极；具有上表面的漏极电极；横向地位于所述源极电极和所述漏极电极之间的电介质沟道层；
2、在本公开的另一方面，提供了一种存储器结构，包括：电介质区；位于所述电介质区中的源极电极；位于所述电介质区中的漏极电极；位于所述电介质区中的电介质沟道层，所述电介质沟道层横向地位于所述源极电极和所述漏极电极之间；位于所述电介质区中的空穴产生层，所述空穴产生层位于所述电介质沟道层上；以及位于所述电介质区中的控制电极，所述控制电极具有侧壁和底面。所述空穴产生层位于所述控制极的所述侧壁和所述底面上。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储器结构，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述控制电极具有侧面和下表面，并且其中，所述空穴产生层位于所述控制电极的所述侧面和所述下表面上。
3.根据权利要求2所述的存储器结构，其中，所述电介质沟道层具有横向地位于两个垂直段之间的水平段，所述空穴产生层具有横向地位于两个垂直段之间的水平段，并且，所述电介质沟道层的所述水平段直接接触所述空穴产生层的所述水平段。
4.根据权利要求3所述的存储器结构，其中，所述电介质沟道层的所述两个垂直段通过间隔物层与所述空穴产生层的所述两个垂直段隔离。
5.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器结构，还包括：
7.根据权利要求6所述的存储器结构，其中，所述第一电介质区包括：
8.根据权利要求7所述的存储器结构，其中，所述源极电极包括位于下部上的上部，所述下部具有比所述上部更大的宽度，并且其中，所述漏极电极包括位于下部上的上部，所述下部具有比所述上部更大的宽度。
9.根据权利要求8所述的存储器结构，
10.根据权利要求9所述的存储器结构，其中，所述源极电极的所述上部和所述漏极电极的所述上部通过所述第二电介质层与所述空穴产生层隔离。
11.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述空穴产生层包括氢掺杂电介质材料或氢掺杂金属。
12.根据权利要求11所述的存储器结构，其中，所述空穴产生层包括氢掺杂二氧化硅、氢化铂或氢化钯。
13.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述源极电极和所述漏极电极包括金属，并且所述电介质沟道层包括所述源极电极和所述漏极电极中的所述金属的氧化物。
14.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述电介质沟道层包括钨、钼、钒或锶钴合金的氧化物。
15.一种存储器结构，包括：
16.根据权利要求15所述的存储器结构，其中，所述空穴产生层包括氢掺杂电介质材料或氢掺杂金属。
17.根据权利要求16所述的存储器结构，其中，所述空穴产生层包括氢掺杂二氧化硅或氢化钯。
18.根据权利要求15所述的存储器结构，其中，所述源极电极和所述漏极电极包括金属，并且所述电介质沟道层包括所述源极电极和所述漏极电极中的所述金属的氧化物。
19.根据权利要求15所述的存储器结构，其中，所述电介质沟道层包括钨、钼、钒或锶钴合金的氧化物。
20.根据权利要求15所述的存储器结构，其中，所述源极电极具有上表面，所述漏极电极具有上表面，所述控制电极具有上表面，并且其中，所述控制电极的所述上表面与所述源极电极的所述上表面和所述漏极电极的所述上表面基本共面。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述控制电极具有侧面和下表面，并且其中，所述空穴产生层位于所述控制电极的所述侧面和所述下表面上。
3.根据权利要求2所述的存储器结构，其中，所述电介质沟道层具有横向地位于两个垂直段之间的水平段，所述空穴产生层具有横向地位于两个垂直段之间的水平段，并且，所述电介质沟道层的所述水平段直接接触所述空穴产生层的所述水平段。
4.根据权利要求3所述的存储器结构，其中，所述电介质沟道层的所述两个垂直段通过间隔物层与所述空穴产生层的所述两个垂直段隔离。
5.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器结构，还包括：
7.根据权利要求6所述的存储器结构，其中，所述第一电介质区包括：
8.根据权利要求7所述的存储器结构，其中，所述源极电极包括位于下部上的上部，所述下部具有比所述上部更大的宽度，并且其中，所述漏极电极包括位于下部上的上部，所述下部具有比所述上部更大的宽度。
9.根据权利要求8所述的存储器结构，其中，所述源极电极的所述上部和所述漏极电极的所述上部位于所述第二电介质层中，并且所述源极电极的所述下部和所述漏极电极的所述下部位于所述第一电介质层中。
10.根据权利要求9所述的存储器结构，其中，所述源极电极的所述上部和所述漏极电极的所述上部通过所述第二电介质层与...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎佳俊，卓荣发，陈学深，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。