【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、便携式消费型电子装置需求的强劲增长正在推动对大容量存储装置的需求。例如闪速存储器存储卡等非易失性半导体存储器装置广泛用于满足对数字信息存储和交换的不断增长的需求。其便携性、多功能性以及坚固耐用的设计，连同其高可靠性和大容量已使此类存储器装置成为各种电子产品(包含例如数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、计算机ssd、pda以及蜂窝电话)的理想之选。
2、晶片当前以760微米的典型厚度从晶片厂运输以防止运送期间的损坏，且接着一旦在晶片内限定个别半导体裸片就对晶片进行薄化。为了使给定形状因数存储装置的存储容量最大化，半导体裸片和用以制作这些半导体裸片的晶片被制造为不断减小的厚度。当前，晶片被薄化到例如36微米、25微米乃至更薄的厚度。
3、一种使半导体晶片薄化的流行的方法涉及背磨工艺，其中使用若干砂轮使晶片的后无源表面薄化，同时由保护性胶带覆盖晶片的前有源表面并使其支撑于卡盘上。常规背磨工艺具有若干缺点，包含晶片表面上的不均匀厚度。背磨还可对晶片施加可产生裂缝的力，特别是考虑到半导体晶片的当前易碎厚度。开裂的裸片必须丢弃，因此降低了良率。此外，裂缝的检测还需要额外筛选/检查步骤，这增加了制造成本和处理时间。常规背磨工艺进一步产生碎屑和异物，它们也可能导致裂缝且以其它方式损害晶片上的裸片的制造。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种半导体裸片，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述多个激光产生的局部定点孔是由发射平行于所述第二主表面的光束的激光组件施加。
3.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述多个激光产生的局部定点孔以径向图案形成于所述第二主表面上。
4.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述多个激光产生的局部定点孔以线性图案形成于所述第二主表面上。
5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述第二主表面还被抛光。
6.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述半导体裸片具有在所述第一主表面与所述第二主表面之间的边缘，所述边缘由正交于所述第二主表面施加的激光限定。
7.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述半导体裸片在所述第一主表面与所述第二主表面之间具有25微米与36微米之间的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述半导体裸片是闪速存储器半导体裸片。
9.一种半导体晶片，其包括：
10.根据权利要求9所述的半导体晶片，其中所述第二主表面包括半导体晶片衬底的
11.根据权利要求9所述的半导体晶片，其中所述多个激光产生的局部定点孔是由发射平行于所述第二主表面的激光束的激光组件施加。
12.根据权利要求11所述的半导体晶片，其中随着所述激光束相对于所述半导体晶片移动，所述激光组件以预定频率间歇地循环到峰值功率密度。
13.一种将半导体裸片与包括多个半导体裸片的晶片分离的方法，所述晶片包括第一主平面表面、第二主平面表面和在所述第一主平面表面与所述第二主平面表面之间延伸的外边缘，其中每个裸片包括形成于所述晶片的所述第一主平面表面中的多个集成电路，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中通过将一个或多个激光束施加穿过所述晶片的所述外边缘来使所述晶片薄化的步骤包括在平行于所述晶片的所述第一主平面表面的平面中产生定点孔的步骤，裂缝在所述定点孔之间传播以在所述平面处分离所述晶片的一部分。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述晶片支撑于卡盘上，其中所述第一主平面表面面向所述卡盘以用于所述使所述晶片薄化的步骤。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述卡盘在所述使所述晶片薄化的步骤期间旋转。
17.根据权利要求15所述的方法，其中随着所述晶片在所述卡盘上旋转，将所述激光的焦点调整到所述晶片的不同径向位置，以在平行于所述第一主表面的平面中在所述不同径向位置处产生定点孔。
18.根据权利要求14所述的方法，其中在所述使所述晶片薄化的步骤期间线性地调整所述激光的焦点以在平行于所述第一主表面的平面中产生多行定点孔。
19.根据权利要求13所述的方法，其中通过将一个或多个激光束施加穿过所述晶片的所述外边缘来使所述晶片薄化的步骤包括在平行于所述晶片的所述第一主平面表面的平面中从一对激光组件产生定点孔的步骤。
20.根据权利要求13所述的方法，其中从所述薄化的晶片分割所述半导体裸片的步骤包括在正交于所述晶片的所述第一主平面表面的平面中产生定点孔的步骤，裂缝在所述定点孔之间传播以从所述晶片分割所述裸片。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体裸片，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述多个激光产生的局部定点孔是由发射平行于所述第二主表面的光束的激光组件施加。
3.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述多个激光产生的局部定点孔以径向图案形成于所述第二主表面上。
4.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述多个激光产生的局部定点孔以线性图案形成于所述第二主表面上。
5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述第二主表面还被抛光。
6.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述半导体裸片具有在所述第一主表面与所述第二主表面之间的边缘，所述边缘由正交于所述第二主表面施加的激光限定。
7.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述半导体裸片在所述第一主表面与所述第二主表面之间具有25微米与36微米之间的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述半导体裸片是闪速存储器半导体裸片。
9.一种半导体晶片，其包括：
10.根据权利要求9所述的半导体晶片，其中所述第二主表面包括半导体晶片衬底的第一部分，所述第一部分是通过水平隐形激光照射工艺从所述半导体晶片衬底的第二部分割断的。
11.根据权利要求9所述的半导体晶片，其中所述多个激光产生的局部定点孔是由发射平行于所述第二主表面的激光束的激光组件施加。
12.根据权利要求11所述的半导体晶片，其中随着所述激光束相对于所述半导体晶片移动，所述激光组件以预定频率间歇地循环到峰值功率密度。
13.一种将半导体裸片与包括多个半导体裸片的晶片分离的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴逸，严俊荣，钱中华，周克明，张凯雷，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。