本发明专利技术公开了一种门的电磁屏蔽结构,包括固定在门体上的插件和固定在屏蔽体上的插座,所述插件包括门刀、门托架、以及设置在门托架上的金属簧片;所述插座包括内插刀、中托架和外托架,所述中托架和外托架设置有相对抵靠的金属簧片,所述中托架和内托架之间形成旁路通道,所述通道的端部设有腔室;其中,所述门刀在门关闭时插入所述中、外托架之间的相对抵靠的金属簧片中,所述内插刀的里侧与所述门托架的金属簧片紧贴接触。从而在获得较高的屏蔽效能的同时,门易于打开和关闭。
Electromagnetic shielding structure of door
The invention discloses a door electromagnetic shielding structure, including plug-in which is fixed on the door and fixed on the shield body of the socket, the plug includes knife gate, door bracket, and is arranged in a door bracket on the metal reed; the socket comprises a cutter, and the bracket bracket. The bracket and the bracket is arranged outside the relative to metal reed by, the bypass passage formed between the bracket and the inner bracket, an end portion of the channel is provided with a chamber; wherein the door when the door is closed, insertion between the bracket relative against the metal reed. The metal reed cutter in the side and the door bracket close contact. Thus, the door is easy to open and close while obtaining higher shielding effectiveness.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电》兹屏蔽装置上的门的电》兹屏蔽结构。
技术介绍
电磁屏蔽门用在电磁屏蔽箱、屏蔽拒等屏蔽体上,用于密封屏 蔽体上的开口,防止电》兹波泄漏出去。目前门的电f兹屏蔽结构大致 分为三种类型,第一种是门刀和铍铜簧片之间紧贴接触的结构,第 二种是门刀、托架或者类似物与屏蔽衬垫相压紧的结构,还有一种是应用了前述两种结构的组合,例如公告号CN2549145所公开的 "防护设备门缝电密封结构",就是这种类型。在这种组合类型中, 电磁波经过了多种屏蔽结构的密封,因而从屏蔽体中泄漏出的电磁 波很少。然而,不管是哪一种类型,屏蔽结构的各构件之间(例如, 门刀和铍铜簧片之间、门刀和屏蔽衬垫之间)的配合间隙始终是存 在的,且对门的电^兹屏蔽结构的复杂性也有要求,因而通过有限的 结构组合4艮难达到高的屏蔽效能,通常只能达到国家保密标准 GGBB1 - 1999中的B级要求。另夕卜,还有通过使屏蔽构件之间相互压紧、进而导致配合间隙 减小来达到减少电不兹泄漏的目的,如图l所示,这样的门的电》兹屏 蔽结构包括托架20和门刀10,安装在门(未示出)上的门刀10插 入托架20 (安装在屏蔽体上)的铍铜簧片21、 23之间,而铍铜簧 片21、 23则事先分别插入了棒状的屏蔽村垫22、 24,由于屏蔽衬 垫22、 24具有弹性,从而在门刀插入铍铜簧片时,向铍铜簧片偏3压,使得铍铜簧片更加紧贴门刀,这样它们之间的配合间隙大大减 小了, 乂人而有效的阻止了电i兹波的泄漏,^是高了屏蔽效能,然而, 也带来了插入阻力增大的问题,这会使得屏蔽门难以关闭和打开, 给操作者带来很大的不便。因而,现有的门的电磁屏蔽结构需要改进,使其结构较简单, 开关门省力,屏蔽效能提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有才支术中存在的问题,^是供一种门的 电磁屏蔽结构,其在获得较高的屏蔽效能的同时,易于打开和关闭。为达此目的,根据本专利技术的 一方面,提供了 一种门的电磁屏蔽 结构,包括安装于门体上的插件和安装于屏蔽体上的插座,插件和 插座相配合形成第一屏蔽结构(或称为屏蔽隔层)和第二屏蔽结构, 第 一屏蔽结构和第二屏蔽结构之间形成密封空间,密封空间内可设 置通道与腔室。屏蔽体中的电磁波通过每一道屏蔽隔层进入通道和 腔室,从而电磁波的能量在此过程中被部分消耗掉,即本专利技术的门 的电磁屏蔽结构通过设置多道隔层和腔室而抑制电磁波的发射。优选地,上述第一屏蔽结构、第二屏蔽结构分别由插件上的门 刀和与门刀紧贴《^妄的触铍铜簧片组成,4皮铜簧片位于插座上。优选地,上述第 一屏蔽结构分别由插件上的门刀和被门刀压紧 的屏蔽衬垫组成,屏蔽衬垫位于插座上。优选地,上述第一屏蔽结构、第二屏蔽结构中的一个由插件上 的第 一 门刀和与第 一 门刀紧贴接触铍铜簧片组成,另 一个由插件上的第二门刀和被第二门刀压紧的屏蔽衬垫组成,铍铜簧片、屏蔽衬 垫都位于插座上。本专利技术的另一方面提供了门的电磁屏蔽结构,包括固定在门体 上的插件和固定在屏蔽体上的插座,其中,插件包括门刀、门托架、以及设置在门托架上的金属簧片;插座包括内插刀、中托架和外托 架,中托架和外托架设置有相对抵靠的金属簧片,中托架和内托架 之间形成旁路通道,通道的端部设有腔室;其中,门刀在门关闭时 插入中、外托架之间的相对抵靠的金属簧片中,内插刀的里侧与门 托架的金属簧片紧贴接触。优选地,上述旁i 各通道中i殳有绝^彖垫氺反。优选地,上述中托架、外托架之间设有屏蔽村垫,门刀在插入 相对抵靠的金属簧片的同时压紧屏蔽衬垫。优选地,上述门体包括门板、门内衬^反、以及位于门斧反和门内 衬板之间的支架,门内衬板具有弯折的边缘部,门托架固定在弯折 的边缘部上。优选;也,上述内托架具有弯4斤的端部,弯4斤的端部通过连4妄件 连接至外托架而构成腔室,屏蔽体具有向内弯折的边缘部,插座通 过角形件和外托架而固定于屏蔽体的边缘部。优选地,上述外4毛架和插件都为U形结构。根据本专利技术门的电磁屏蔽结构,设置了第一屏蔽结构,即簧片 和内托架通过紧贴接触形成第一电磁密封;第二屏蔽结构,即簧片 和门刀通过紧贴接触形成第二电磁密封;以及在第一屏蔽结构和第 二屏蔽结构之间的密封空间内设置了消耗电磁波的通道和腔室,使得到达密封空间内的电^t波4艮容易进入通道并到达腔室,并且在此 传播过程中被消耗掉,进而从第二屏蔽结构中泄漏出的电磁波能量 很弱,从而达到较高的屏蔽效能。与现有技术相比,由于不需要在 铍铜簧片内插入屏蔽衬垫,因而插入阻力较小,门体易于打开和关 闭。应该指出,以上说明和以下详细说明都是例示性的,旨在对所 要求的本专利技术提供进一 步的说明。除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本专利技术还有其它的 目的、特征和优点,下面将参照附图,对本专利技术的其它的目的、特 4i和效果作进一步详细的i兌明。附图说明构成本i兌明书的一部分、用于进一步理解本专利技术的附图示出了优选实施例并与"i兌明 一起用来it明本专利技术的原理。附图中图1是现有技术的门的电磁屏蔽结构的示意图2是根据本专利技术一实施例的门的电磁屏蔽结构的示意图,其 中门处于打开状态;图3是才艮据本专利技术的门的电;兹屏蔽结构在关闭时的局部视以及图4示出了才艮据本专利技术另 一实施例的门的电石兹屏蔽结构的示意图。具体实施例方式以下参照附图对4艮据本专利技术的门的电》兹屏蔽结构的实施例作详细的"i兌明。在下文中,"外"和"内"是相对于屏蔽体而言的, 较接近于屏蔽体内的部分称为"内",反之称为"外"。图2是根据本专利技术一实施例的门的电磁屏蔽结构的示意图,其 中门处于打开状态。为了防止屏蔽体内的电磁波从门缝处泄漏,绕 门体10的边缘设有插件100,相应地,屏蔽体20的边缘处设有插 座200,在门关闭时,4翁4牛100 4翁入4i座200中,,人而密去于门t逢, 达到电^兹屏蔽步丈能。下面详细介绍插件100和4翁座200的结构,由 于分布在门体10相对两侧边缘的插件、插座结构是对称的,因而 在一侧上所表的附图才示^己适用于另 一侧上相应的4牛或部分。插件100为U形,形成门刀110和托架120,而托架120上装 有铍铜簧片130。铍铜簧片130位于U形里侧。插件100通过托架 120固定在门体上,门体包括门板145、设在门玲反145内侧的门内 衬*反143、以及i殳置在门^反145和门内衬^反143之间的支架141。 门内村板具有弯折的边缘部,以供托架120固定。插座200固定在屏蔽体20上,它包括内插刀210、形成U形 6勺中4乇架220和夕卜4乇架230 ,其中,中4乇架220、夕卜4乇架230中i殳 有相面对的铍铜簧片221、 223,铍铜簧片221、 223具有4氐靠在一 起的趋势,以便和插入物紧贴接触。而内插刀210设置在外托架的 里侧,并与外托架的侧壁之间形成一个旁路通道211,内插刀210 的后端弯折,并借助于角形连接件260连接至外托架230。从而在 通道211的尽头形成了矩形截面的腔室213,虽然在本实施例中, 腔体的截面形状是矩形的,然而这只是为了制造的方便,通过下面 对该通道和腔体作用的描述,就会很清楚的发现,腔体的形状不局7限于矩形,可以是圆形、椭圆形或其它形状。下面结合图3来描述 插件和插座的配合关系。图3示出了根据本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种门的电磁屏蔽结构,包括安装于门体上的插件和安装于屏蔽体上的插座,所述插件和插座相配合形成第一屏蔽结构和第二屏蔽结构,其特征在于,所述第一屏蔽结构和第二屏蔽结构之间形成密封空间,所述密封空间内设有消耗电磁波能量的通道和腔室。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭林,朱安东,房非拉,于泳,王冰,
申请(专利权)人:安方高科信息安全技术北京有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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