【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电二极管，由于涉及一种用于响应宽波段的光电二极管。
技术介绍
1、光电二极管是一种将光信号转换成电信号的器件。因为其小体积、响应速度快、便于制作等特性，广泛应用于紫外到红外波段的光电检测。光电二极管主要分pin光电管、雪崩光电管，其中常规pin光电管采用硅基工艺。
2、由于硅的禁带宽度约1.12ev，对应的峰值吸收波长约0.9um的红外波段，对可见光400-780nm波段的吸收明显下降(见图3)。因此对于某些光线传感器应用场景，可见光波段吸收系数小限制了产品的灵敏度。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供一种用于响应宽波段的光电二极管，以提高光电二极管吸收光波的范围
2、为实现上述目的，本申请提供了一种用于响应宽波段的光电二极管，包括步骤：
3、于基底上形成截止层图形；
4、掺杂形成截止层，所述截止层为环形截止层；
5、形成第一p型掺杂层图形；
6、掺杂形成第一p型掺杂层，所述环形截止层环绕所述第一p型掺杂层设置；对所述第一p型掺杂层远离所述基底的一侧进行掺杂，并形成第二p型掺杂层；
7、沉积抗反射层于所述第二p型掺杂层上；
8、光刻蚀刻所述抗反射层，于所述抗反射层上形成第一通孔，制作金属引线以使所述金属引线与所述第二p型掺杂层导通。
9、本申请实施例的技术方案中，还包括步骤：
10、于所述基底远离所述第一p型掺杂层的一侧形成金属电极层。p>
11、本申请实施例的技术方案中，在沉积抗反射层于所述第二p型掺杂层上步骤后还包括步骤：
12、制作绝缘层，并于所述绝缘层上制作第二通孔，使得所述第二通孔以所述第二p型掺杂层为底。
13、本申请实施例的技术方案中，还包括步骤：
14、减薄所述基底。
15、本申请实施例的技术方案中，减薄后的晶圆厚度为200±10μm。
16、本申请实施例的技术方案中，所述第一p型掺杂层远离所述基底的表面绕所述第二p型掺杂层设置。
17、本申请实施例的技术方案中，在制作基底后还包括：抛光基底。
18、本申请实施例的技术方案中，在于基底上形成截止层图形；步骤中包括步骤：
19、在所述基底上生长第一氧化层，曝光显影所述第一氧化层，以使得所述第一氧化层上形成对应所述截止层的图形。
20、本申请实施例的技术方案中，在形成第一p型掺杂层图形步骤中包括步骤：
21、生长第二氧化层，曝光显影所述第二氧化层，以使得所述第二氧化层上形成对应所述第一p型掺杂层的图形。
22、本申请实施例的技术方案中，掺杂所述第二p型掺杂层的扩散温度低于掺杂所述第一p型掺杂层的扩散温度。
23、区别于现有技术，上述技术方案所制得的宽波段响应的光电二极管，通过双p型导电区、正面n型截止区、轻掺衬底形成pin光电二极管，并通过合适的所述抗反射层对可见光短波段高投射率，提高了可见光波段的灵敏度，对市场的适用范围更广。
24、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
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1.一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，还包括步骤：
3.根据权利要求2所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，在沉积抗反射层于所述第二P型掺杂层上步骤后还包括步骤：
4.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，还包括步骤：
5.根据权利要求4所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，减薄后的所述一种用于响应宽波段的光电二极管的厚度为200±10μm。
6.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，所述第一P型掺杂层远离所述基底的表面绕所述第二P型掺杂层设置。
7.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，在制作基底后还包括：抛光基底。
8.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，在于基底上形成截止层图形步骤中包括步骤：
9.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，在形成第一P型掺杂
10.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，掺杂所述第二P型掺杂层的扩散温度低于掺杂所述第一P型掺杂层的扩散温度。
...【技术特征摘要】
1.一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，还包括步骤：
3.根据权利要求2所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，在沉积抗反射层于所述第二p型掺杂层上步骤后还包括步骤：
4.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，还包括步骤：
5.根据权利要求4所述一种用于响应宽波段的光电二极管，其特征在于，减薄后的所述一种用于响应宽波段的光电二极管的厚度为200±10μm。
6.根据权利要求1所述一种用于响应宽波段的光电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀镁，
申请(专利权)人：福建福顺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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