【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体技术的领域，并且更具体地，涉及存储器装置及其制作方法。
技术介绍
1、三维(3d)存储器装置(例如3d nand存储器装置)是有前景的存储器装置，其有着具有比常规平面存储器高得多的存储密度的潜力，并且可以满足消费者电子设备、云计算和大数据对更大容量和更佳性能的不断增长的需求。3d存储器装置通常在单一的芯片中包括多个堆叠层以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更佳的成本效率。
技术实现思路
1、根据本公开，提供了一种存储器装置制作方法，包括：提供半导体结构。半导体结构具有沿第一方向彼此紧邻布置的核心区域和接触区域。半导体结构包括多个电介质层对，多个电介质层对包括在第二方向上以交替的方式堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。第二方向大致垂直于第一方向。该方法还包括：执行蚀刻以形成穿透多个电介质层对的多个沟道孔。多个沟道孔包括位于接触区域中的多个第一沟道孔和位于核心区域中的多个第二沟道孔。多个第一沟道孔围绕接触区。该方法还包括：采用保护材料替代多个第二电介质层的围绕多个第一沟道孔的部分以形成保护壁。保护壁围绕接触区。
2、还根据本公开，提供了一种存储器装置，其具有沿第一方向彼此紧邻的接触区域和核心区域。存储器装置包括：多个第一电介质层，其在大致垂直于第一方向的第二方向上堆叠并且延伸跨越接触区域和核心区域；多个第二电介质层，其位于接触区域中的接触区中；以及多个导体层，其位于核心区域中以及接触区域中的保护区中。多个第二电介质层中的每个第二电介质
3、还根据本公开，提供了一种存储器系统，其包括存储器装置以及被配置为控制存储器装置的操作的存储器控制器。存储器装置具有沿第一方向彼此紧邻的接触区域和核心区域。存储器装置包括：多个第一电介质层，其在大致垂直于第一方向的第二方向上堆叠并且延伸跨越接触区域和核心区域；多个第二电介质层，其位于接触区域中的接触区中；以及多个导体层，其位于核心区域中以及接触区域中的保护区中。多个第二电介质层中的每个第二电介质层夹在多个第一电介质层中的相邻两个第一电介质层之间。保护区围绕接触区。多个导体层中的每个导体层夹在多个第一电介质层中的相邻两个第一电介质层之间，并且与多个第二电介质层中的一个第二电介质层共层。
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1.一种存储器装置制作方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，替代所述多个第二电介质层的所述部分包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述多个凹陷中填充所述保护材料包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，替代所述多个第二电介质层的所述部分还包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲材料包括多晶硅或碳。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，采用所述牺牲材料填充所述沟道孔包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括，在形成所述一个或多个贯穿接触结构和所述多个延伸部之前：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一种或多种第一导电材料与所述一种或多种第二导电材料接触，并且所述一种或多种第二导电材料与所述一种或多种第三导电材料接触。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一种或多种第一导电材料与所述一种或多种第二导电材料相同。
12.根据权利要
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一沟道孔沿矩形的四个边布置，并且所述矩形围绕所述接触区。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述矩形的两个平行边中的每个边包括单一行的所述多个第一沟道孔，并且所述矩形的另外两个平行边中的每个边包括单一列的所述多个第一沟道孔。
15.一种存储器装置，所述存储器装置具有沿第一方向彼此紧邻的接触区域和核心区域，并且包括：
16.根据权利要求15所述的存储器装置，还包括：
17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，在所述存储器装置沿所述第二方向的横截面图中，所述多个第一沟道结构中的每个第一沟道结构在与所述多个第一电介质层中的一个第一电介质层对应的位置处沿所述第一方向具有第一宽度，并且在与所述多个导体层中的一个导体层对应的位置处沿所述第一方向具有第二宽度，并且所述第一宽度小于所述第二宽度。
18.根据权利要求16所述的存储器装置，其中：
19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中，与在与所述多个第一沟道结构中的两个邻近的第一沟道结构之间的点对应的位置处相比，所述导体壁的侧表面在与所述多个第一沟道结构中的一个第一沟道结构对应的位置处朝向所述接触区突出得更远。
20.一种存储器系统，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置制作方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，替代所述多个第二电介质层的所述部分包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述多个凹陷中填充所述保护材料包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，替代所述多个第二电介质层的所述部分还包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲材料包括多晶硅或碳。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，采用所述牺牲材料填充所述沟道孔包括：
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括，在形成所述一个或多个贯穿接触结构和所述多个延伸部之前：
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一种或多种第一导电材料与所述一种或多种第二导电材料接触，并且所述一种或多种第二导电材料与所述一种或多种第三导电材料接触。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一种或多种第一导电材料与所述一种或多种第二导电材料相同。
12.根据权利要求8所述的方法，还包括，在去除所述保护材料之前：
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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