【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体结构及其形成方法，特别是关于包括绝缘结构的半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、近年来，半导体产业在功率元件(power device)的发展上具有显著的进步。目前已发展出例如高电压金氧半导体(high voltage metal-oxide-semiconductor，hvmos)晶体管、绝缘闸双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)、接面场效晶体管(junction field effect transistor，jfet)、与肖特基阻挡二极管(schottky barrierdiode，sbd)等多种功率元件。这些元件通常系用于如家用电器、通信设备与车用发电机等仪器之功率系统内功率放大、功率控制等多种应用之中。
2、在上述元件中，肖特基阻挡二极管具有高速开关(high-switching)以及能够承受数百伏特之高电压等特性。为了改善肖特基阻挡二极管的性能，例如提高崩溃电压、减少漏电流等，已发展出一种结合肖特基二极管及pn二极管的装置，其被称为接面能障肖特基(junction barrier schottky，jbs)二极管。然而，虽然接面能障肖特基二极管能够因为具有pn结而降低表面电场并减少漏电流，但是具有较大的导通电阻，且开关速度比肖特基阻挡二极管更慢。
3、因此，也可以在肖特基结的两侧设置沟槽以形成沟槽式接面能障肖特基(trenchjunction barrier schottky，tjbs)二极管。沟槽式接面能障肖特基
4、综上所述，虽然现有的肖特基阻挡二极管可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面皆彻底地符合需求。举例而言，如何在制造出具有较低的启动电阻的肖特基阻挡二极管的同时减少漏电流的产生，仍为目前业界致力研究的课题。因此，功率元件的研发需要持续的更新与调整以解决功率元件的运作时所面临的各种问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本申请提供以下方案。
2、一种半导体结构，包括：基底，具有第一导电类型；外延层，设置于基底上且具有第一导电类型，其中在外延层的上部具有突出结构；阱，设置于外延层中，且阱具有第二导电类型；绝缘结构，设置于突出结构的侧壁上；上电极层，围绕突出结构，且上电极层电连接至外延层及阱；以及下电极层，设置于基底下且与外延层相对。
3、一种半导体结构的形成方法，包括：在具有第一导电类型的基底上沉积具有第一导电类型的外延层；在外延层中形成具有第二导电类型的阱；进行图案化工艺以在外延层的上部形成突出结构；在突出结构的侧壁上形成绝缘结构；形成围绕突出结构的上电极层，且上电极层电连接至外延层及阱；以及在基底上形成与外延层相对的下电极层。
4、如此一来，本申请的半导体结构具有与传统的接面能障肖特基或沟槽式接面能障肖特基二极管相当的崩溃电压(breakdown voltage)，同时具有各种电性上的改良。
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1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构位于所述突出结构与所述上电极层之间。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述外延层的所述上部具有围绕所述突出结构的一沟槽结构，且所述上电极层填充于所述沟槽结构中。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构的一部分延伸至所述阱与所述上电极层之间。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层包括碳化硅。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括硅或碳化硅。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述外延层中的掺质浓度小于在所述基底的掺质浓度。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构包括具有与所述外延层共同的元素的氧化物。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括位于所述阱与所述上电极层之间的界面的一硅化物层。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阱在所述图案化工艺之前埋置于所述外延层中，且在所述图案化工艺之后从所述外延层的所述上部露出。
12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阱是在所述图案化工艺之后形成于所述外延层中。
13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘结构的形成包括：
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述移除位于所述突出结构及所述阱的顶表面上的多个部分的所述绝缘层包括：
15.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘结构是通过加热所述外延层以形成于所述突出结构的一侧壁上的氧化物。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构位于所述突出结构与所述上电极层之间。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述外延层的所述上部具有围绕所述突出结构的一沟槽结构，且所述上电极层填充于所述沟槽结构中。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构的一部分延伸至所述阱与所述上电极层之间。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层包括碳化硅。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括硅或碳化硅。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述外延层中的掺质浓度小于在所述基底的掺质浓度。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构包括具有与所述外延层共同的元素的氧化物。
9.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹振东，赖云凯，廖志成，李家豪，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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