【技术实现步骤摘要】
本技术涉及磁芯，尤其涉及开环霍尔电流传感器及其磁芯构件。
技术介绍
1、霍尔电流传感器作为检测电流的新型工具，凭借着其优越的性能与免接入式的检测方式，行业内的普及率正逐步上升。霍尔电流传感器可分为开环和闭环两种，其中现有的开环霍尔电流传感器包括一磁芯构件和一霍尔元件。磁芯构件包括一壳体和一磁芯组件，通过将整个磁芯组件包裹于塑料壳体而将磁芯组件固定，然而壳体与磁芯组件之间这种全包的设计会增大磁芯组件所受的应力，导致磁芯组件的电磁性能下降，影响开环霍尔电流传感器测量的准确性。
技术实现思路
1、本技术的一个优势在于提供开环霍尔电流传感器及其磁芯构件，能够减小壳体对磁芯组件的应力，以此提高磁芯组件的电磁性能并降低磁芯构件的制造成本。
2、本技术的一个优势在于提供开环霍尔电流传感器及其磁芯构件，无需增大磁芯组件的尺寸即可提高开环霍尔电流传感器的电流检测范围，有效减小整体设计尺寸。
3、为达到本技术以上至少一个优势，本技术提供磁芯构件，所述磁芯构件包括：
4、一磁芯组件，所述磁芯组件包括多个磁片，且多个所述磁片堆叠设置，多个所述磁片共同形成一安插通道和与所述安插通道连通的一开口，所述安插通道允许一电流排贯穿，至少部分所述磁片的外周形成至少一卡接结构；
5、一壳体，所述壳体形成一安装空间、与所述安装空间连通的至少一连通口、与所述安装空间连通的至少一装配结构和与所述安装空间连通的至少一插接槽，所述磁芯组件以所述卡接结构插接于所述装配结构的方式安装于
6、根据本技术一实施例，所述卡接结构被实施为凸起，所述装配结构被实施为通口，所述卡接结构插接于所述通口，所述卡接结构的一侧面通过所述通口暴露于外界。
7、根据本技术一实施例，每个所述磁片均具有相对设置的两自由端部，多个所述磁片于各自形成的两个所述自由端部之间形成所述开口，所述自由端部被安插于所述插接槽。
8、根据本技术一实施例，所述壳体包括一侧挡板、一包裹部和一底板，所述侧挡板形成所述安装空间和所述装配结构，部分所述侧挡板朝所述安装空间延伸形成所述包裹部，所述包裹部形成所述插接槽，所述侧挡板一侧安装所述底板，所述侧挡板远离所述底板的一侧形成一所述连通口，所述电流排的一端部从所述连通口伸出，而所述电流排远离所述连通口的一端部贯穿所述底板。
9、根据本技术一实施例，所述壳体包括一侧挡板和一包裹部，所述侧挡板形成所述安装空间和所述装配结构，部分所述侧挡板朝所述安装空间延伸形成所述包裹部，所述包裹部形成所述插接槽，所述侧挡板分别于两侧各形成一所述连通口，所述电流排的两端部分别从两个所述连通口伸出。
10、根据本技术一实施例，所述包裹部的两端部各形成一所述插接槽，两个所述自由端部分别安插于两个所述插接槽。
11、根据本技术一实施例，所述磁芯组件通过注塑工艺与所述壳体一体成型。
12、根据本技术一实施例，所述卡接结构形成于所述磁片的外侧壁，并且所述卡接结构位于所述磁片远离形成所述开口的一侧。
13、根据本技术一实施例，至少部分所述磁片于任意所述自由端部形成至少一缺口，以由所述开口向所述安插通道轴线方向延伸为参考，形成所述缺口所对应的所述磁芯组件的截面尺寸小于未形成所述缺口所对应的所述磁芯组件的截面尺寸。
14、为达到本技术以上至少一个优势，本技术提供开环霍尔电流传感器，所述开环霍尔电流传感器包括：
15、上述实施例所述的磁芯构件，所述壳体形成一安装槽；
16、一霍尔元件，所述霍尔元件被安装于所述安装槽。
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1.磁芯构件，其特征在于，所述磁芯构件包括：
2.根据权利要求1所述磁芯构件，其特征在于，所述卡接结构被实施为凸起，所述装配结构被实施为通口，所述卡接结构插接于所述通口，所述卡接结构的一侧面通过所述通口暴露于外界。
3.根据权利要求2所述磁芯构件，其特征在于，每个所述磁片均具有相对设置的两自由端部，多个所述磁片于各自形成的两个所述自由端部之间形成所述开口，所述自由端部被安插于所述插接槽。
4.根据权利要求3所述磁芯构件，其特征在于，所述壳体包括一侧挡板、一包裹部和一底板，所述侧挡板形成所述安装空间和所述装配结构，部分所述侧挡板朝所述安装空间延伸形成所述包裹部，所述包裹部形成所述插接槽，所述侧挡板一侧安装所述底板，所述侧挡板远离所述底板的一侧形成一所述连通口，所述电流排的一端部从所述连通口伸出，而所述电流排远离所述连通口的一端部贯穿所述底板。
5.根据权利要求3所述磁芯构件，其特征在于，所述壳体包括一侧挡板和一包裹部，所述侧挡板形成所述安装空间和所述装配结构，部分所述侧挡板朝所述安装空间延伸形成所述包裹部，所述包裹部形成所述插接槽，所
6.根据权利要求4或5所述磁芯构件，其特征在于，所述包裹部的两端部各形成一所述插接槽，两个所述自由端部分别安插于两个所述插接槽。
7.根据权利要求6所述磁芯构件，其特征在于，所述磁芯组件通过注塑工艺与所述壳体一体成型。
8.根据权利要求7所述磁芯构件，其特征在于，所述卡接结构形成于所述磁片的外侧壁，并且所述卡接结构位于所述磁片远离形成所述开口的一侧。
9.根据权利要求8所述磁芯构件，其特征在于，至少部分所述磁片于任意所述自由端部形成至少一缺口，以由所述开口向所述安插通道轴线方向延伸为参考，形成所述缺口所对应的所述磁芯组件的截面尺寸小于未形成所述缺口所对应的所述磁芯组件的截面尺寸。
10.开环霍尔电流传感器，其特征在于，所述开环霍尔电流传感器包括：
...【技术特征摘要】
1.磁芯构件，其特征在于，所述磁芯构件包括：
2.根据权利要求1所述磁芯构件，其特征在于，所述卡接结构被实施为凸起，所述装配结构被实施为通口，所述卡接结构插接于所述通口，所述卡接结构的一侧面通过所述通口暴露于外界。
3.根据权利要求2所述磁芯构件，其特征在于，每个所述磁片均具有相对设置的两自由端部，多个所述磁片于各自形成的两个所述自由端部之间形成所述开口，所述自由端部被安插于所述插接槽。
4.根据权利要求3所述磁芯构件，其特征在于，所述壳体包括一侧挡板、一包裹部和一底板，所述侧挡板形成所述安装空间和所述装配结构，部分所述侧挡板朝所述安装空间延伸形成所述包裹部，所述包裹部形成所述插接槽，所述侧挡板一侧安装所述底板，所述侧挡板远离所述底板的一侧形成一所述连通口，所述电流排的一端部从所述连通口伸出，而所述电流排远离所述连通口的一端部贯穿所述底板。
5.根据权利要求3所述磁芯构件，其特征在于，所述壳体包括一侧挡板和一包裹部，所述侧挡板形成所述安...
【专利技术属性】
技术研发人员：王博文，林斐，
申请(专利权)人：珅斯电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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