【技术实现步骤摘要】
公开了一种用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、为了制造半导体器件，对由半导体材料制成的晶片(wafer)执行各种半导体工艺。
技术实现思路
1、实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在晶片上形成叠层(stack)，其中，所述叠层包括多个层；在所述叠层上形成光刻胶(photoresist)图案；确定所述叠层的所述多个层当中的至少一个层的材料是否已经改变以及用于形成所述叠层的所述多个层的多个工艺当中的至少一个工艺是否已经改变；在确定出所述至少一个层的材料或所述至少一个工艺已经改变时，改变用于套刻(overlay)测量的第一波长；以及使用改变后的用于套刻测量的第一波长来测量套刻。
2、实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在晶片上形成叠层，其中，所述叠层包括多个层；在所述叠层上形成光刻胶图案；确定所述叠层的所述多个层当中的至少一个层的材料是否已经改变以及用于形成所述叠层的所述多个层的多个工艺当中的至少一个工艺是否已经改变；在确定出所述至少一个层的材料或所述至少一个工艺已经改变时，改变用于对准的第一波长；使用改变后的用于对准的第一波长来使所述晶片对准；以及使所述光刻胶图案显影以生成显影后的光刻胶图案。
3、实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在晶片上形成叠层，其中，所述叠层包括多个层；在所述叠层上形成光刻胶图案；使所述晶片对准，然后使所述光刻胶图案显影以生成显影后的光刻胶图案；确定所述叠层的所述多个层中的至少一
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1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求2所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述光包括具有不同波长的第一光和第二光。
7.根据权利要求5所述的方法，其中：
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
9.根据权利要求1所述的方法，其中：
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
11.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
13.根据权利要求12所述的方法，其中：
14.根据权利要求12所述的方法，其中：
15.根据权利要求11所述的方法，其中：
16.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
18.根据权利要求16所述的方法，其中：<...
【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求2所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述光包括具有不同波长的第一光和第二光。
7.根据权利要求5所述的方法，其中：
8.根据权利要求7所述的方法，其中：
9.根据权利要求1所述的方法，其中：
10.根据权利要求1所述的方法，其中：
11.一种用于制造半导体...
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