【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，特别是双电源供电的集成电路领域，特别是双电源供电的功率放大器领域。
技术介绍
1、集成电路产品内部常常需要使能、过流保护、过温保护。使能是利用外部端口进行控制，在使能情况下允许各模块正常工作，在关断情况下禁止部分模块工作以节省电流，其中对节省电流最为有效的是关断输出器件。过流保护是用于将输出器件的输出电流限制在一定值以内。如果输出电流达到过流保护阈值，则防止输出电流进一步增大。根据不同的需要，过流保护阈值有时需要在外部进行调整。过温保护是使在正常温度情况下允许各模块正常工作，在温度过高的情况下禁止部分模块工作，特别是禁止输出器件工作，以防止芯片温度进一步升高。
2、如图1所示现有技术中典型的使能、过流保护、过温保护的功能框图。图中vcc为高压正电源，vss为负电源，vdd为低压电源；vdd可以由芯片内部产生，也可以由外部提供；en为使能端口，ilim为过流保护阈值设定端口，out为输出端口；使能电路受外部en引脚电压控制，输出控制电压信号ctrl，经由控制电路输出关断电压信号sd以关断输出级；过流保护阈值设定电路经由外部电阻r1进行过流保护阈值调整，输出电流信号iref以控制输出级的过流保护阈值，a1为迟滞比较器，a1、r2构成过温保护电路；基准源输出负温度系数电压vntat至a1的一个输入端，并且输出正温度系数电流iptat。正温度系数电流iptat流经r2生成正温度系数电压，该电压连接至a1的另一个输入端。在温度未超过过温保护阈值时，vntat小于vr1，此时a1输出为0；当温度超过过
3、现有技术中使能电路、过流保护阈值设定电路、过温保护电路相互独立；使能关断、过温保护功能需要经由额外的控制电路对输出级进行控制；使能电路、过流保护阈值设定电路、过温保护电路以及控制电路必须接负电源vss，不能满足使能和过流保护阈值参照某浮动端口进行设置的应用。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种参考电压浮动的控制电路，并通过采用输出电流控制技术简化电路结构，该结构适用于cmos、bicmos、bcd等工艺。
2、本专利技术技术方案为：一种参考电压浮动的控制电路，该电路包括：过温保护电路、过流保护阈值设定电路、输出级；过温保护电路输出端连接过流保护阈值设定电路，以此控制过流保护阈值设定电路输出的阈值设定的值，过流保护阈值设定电路的输出端连接输出级，以此来控制输出级的通断；
3、当芯片正常工作时，过温保护电路输出电流信号iotp为0，过流保护阈值设定电路正常工作；
4、当芯片温度达到过温保护阈值，过温保护电路输出电流信号iotp不为0，过流保护阈值设定电路输出过流保护阈值为0，以此来关断输出级。
5、进一步的，该电路还包括电阻r1，当过温保护电路输出电流信号iotp为0时，过流保护阈值设定电路经由外部电阻r1两端的电压进行过流保护阈值调整，输出电流信号iref以控制输出级的过流保护阈值。
6、进一步的，该电路还包括：浮动电源、使能电路、基准源、高压正电源vcc、使能端口en、过流保护阈值设定端口ilim、设置使能和过流保护阈值的参考电压端口com、低压电源vdd、负电源vss；com电压不能低于vss电压；
7、浮动电源和输出级都连接vcc，浮动电源、使能电路、过流保护阈值设定电路均连接com；浮动电源提供一个相对于com的低压电源，以保证使能电路、过流保护阈值设定电路的正常工作；
8、使能电路连接en，使能电路输出电流受en和com的电压控制；若en输入使能信号，则使能电路200输出电流为0，若使能端口en输入关断信号，则使能电路200输出电流不为0；
9、ilim连接过流保护阈值设定电路，并且在ilim和com之间设置电阻r1；
10、所述过温保护电路包括：电阻r2和迟滞比较器a1；基准源输入端分别连接vdd和vss，vntat输出端连接a1的负极，iptat输出端连接a1的正极，a1的正极并连接r2的一端，r2的另一端连接vss，a1的输入电压端连接vdd，a1的输出电压端连接vss；使能电路的输出端连接a1的正极；a1的输出端连接过流保护阈值设定电路；过流保护阈值设定电路的输出端连接输出级，输出级的接地端连接vss；
11、当芯片温度达到过温保护阈值，或en输入关断信号时，过温保护电路输出电流信号iotp至过流保护阈值设定电路，将过流保护阈值设定为0，以此来关断输出级。
12、进一步的，所述浮动电源包括：电流源i1、nmos型晶体管n0、n12、n13，pmos型晶体管p0，电容c1；所述com连接n0的源极和c1的一端，n0的栅极和漏极共接后连接p0的栅极和漏极，p0的源极连接n12的源极，n12的栅极和漏极共接后连接i1的输出端和n13的栅极，c1的另一端连接n13的源极，n13的漏极和i1的输入端都连接vcc；c1与n13的源极的共节点为浮动电源的输出端。
13、进一步的，使能电路包括：pmos型晶体管p1、p2、p3、p4、p5、p11，nmos型晶体管n1、n2、n3、n4、n5、n8；所述p1的源极、p2的源极、p3的源极、p4的源极、p5的源极连接浮动电源的输出端；p1栅极和漏极、p2的栅极、p3的栅极、p4的栅极、p5的栅极、n8的漏极共接；n8的源极连接vss，n8的栅极连接过温保护电路；n1的源极、n2的源极、n3的源极、n4的源极连接com；n1的栅极和漏极、n2的栅极、p2的漏极共接；n2的漏极、p3的漏极、n5的源极和栅极、p11的栅极共接；n3的漏极接en；n3的栅极、n4的栅极和漏极、p4的漏极共接；p11的源极接p5的漏极；p11的漏极连接过温保护电路中a1的正极。
14、进一步的，所述过温保护电路包括：电流源i2，nmos型晶体管n9、n10、n11，迟滞比较器a1，电阻r2；所述i2的输入端连接vdd；n11的源极、n10的源极连接vss；n9的栅极、n10的栅极和漏极、i2的输出端与n8的栅极共接；n9的漏极连接过流保护阈值设定电路。
15、进一步的，所述过流保护阈值设定电路包括：pmos型晶体管p6、p7、p8、p9、p10，nmos型晶体管n6、n7，电阻r3、r4；p6的栅极与使能电路中p5的栅极连接，所述p6的源极、p7的源极、p8的源极、p9的源极、p10的源极共接后连接浮动电源的输出端；p6的漏极、n6的栅极和漏极共接、n7的栅极；n6的源极连接r3的一端，r3的另一端、n6的衬底极、n7的衬底极连接com；n7的源极连接r4的一端，r4的另一端连接ilim；n7的漏极、p8的漏极、p9的漏极和栅极、p10的栅极共接；p7的栅极和漏极、p8的栅极共接后连接过温保护电路；p10的漏极为输出端。
16、进一步的，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，该电路包括：过温保护电路(400)、过流保护阈值设定电路(300)、输出级；过温保护电路(400)输出端连接过流保护阈值设定电路(300)，以此控制过流保护阈值设定电路(300)输出的阈值设定的值，过流保护阈值设定电路(300)的输出端连接输出级，以此来控制输出级的通断；
2.如权利要求1所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述参考电压浮动的控制电路还包括电阻R1，当过温保护电路(400)输出电流信号IOTP为0时，过流保护阈值设定电路(300)经由外部电阻R1两端的电压进行过流保护阈值调整，输出电流信号IREF以控制输出级的过流保护阈值。
3.如权利要求2所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述参考电压浮动的控制电路还包括：浮动电源(100)、使能电路(200)、基准源、高压正电源VCC、使能端口EN、过流保护阈值设定端口ILIM、设置使能和过流保护阈值的参考电压端口COM、低压电源VDD、负电源VSS；COM电压不能低于VSS电压；
4.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制
5.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述使能电路(200)包括：PMOS型晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P11，NMOS型晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N8；所述P1的源极、P2的源极、P3的源极、P4的源极、P5的源极连接浮动电源(100)的输出端；P1栅极和漏极、P2的栅极、P3的栅极、P4的栅极、P5的栅极、N8的漏极共接；N8的源极连接VSS，N8的栅极连接过温保护电路(400)；N1的源极、N2的源极、N3的源极、N4的源极连接COM；N1的栅极和漏极、N2的栅极、P2的漏极共接；N2的漏极、P3的漏极、N5的源极和栅极、P11的栅极共接；N3的漏极接en；N3的栅极、N4的栅极和漏极、P4的漏极共接；P11的源极接P5的漏极；P11的漏极连接过温保护电路(400)中A1的正极。
6.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述过温保护电路(400)包括：电流源I2，NMOS型晶体管N9、N10、N11，迟滞比较器A1，电阻R2；所述I2的输入端连接VDD；N11的源极、N10的源极连接VSS；N9的栅极、N10的栅极和漏极、I2的输出端与N8的栅极共接；N9的漏极连接过流保护阈值设定电路(300)。
7.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述过流保护阈值设定电路(300)包括：PMOS型晶体管P6、P7、P8、P9、P10，NMOS型晶体管N6、N7，电阻R3、R4；P6的栅极与使能电路(200)中P5的栅极连接，所述P6的源极、P7的源极、P8的源极、P9的源极、P10的源极共接后连接浮动电源(100)的输出端；P6的漏极、N6的栅极和漏极共接、N7的栅极；N6的源极连接R3的一端，R3的另一端、N6的衬底极、N7的衬底极连接COM；N7的源极连接R4的一端，R4的另一端连接ILIM；N7的漏极、P8的漏极、P9的漏极和栅极、P10的栅极共接；P7的栅极和漏极、P8的栅极共接后连接过温保护电路(400)；P10的漏极为输出端。
8.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述输出级包括：NMOS型晶体管N14、N15、N16、N17、N18、N19、N20、N21、N22、N23、N24，PMOS型晶体管P12、P13、P14、P15、P16、P17、P18、P19、P20、P21、P22，电阻R5、R6、R7、R8、电流源I3、比较器A2、A3；所述N14的源极、N15的源极、N16的源极、N17的源极、N18的源极、N19的衬底极、N20的衬底极、N23的源极、N24的源极、R7的一端、R8的一端连接VSS；N14的漏极和栅极、N15的栅极、N16的栅极共接后连接过流保护阈值设定电路(300)；N15的漏极、P14的漏极和栅极、P15的栅极共接；P14的源极、I3的输入端、P15的源极、P17的源极、P18的衬底极、P19的衬底极、P21的源极、P22的源极、R5的一端、...
【技术特征摘要】
1.一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，该电路包括：过温保护电路(400)、过流保护阈值设定电路(300)、输出级；过温保护电路(400)输出端连接过流保护阈值设定电路(300)，以此控制过流保护阈值设定电路(300)输出的阈值设定的值，过流保护阈值设定电路(300)的输出端连接输出级，以此来控制输出级的通断；
2.如权利要求1所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述参考电压浮动的控制电路还包括电阻r1，当过温保护电路(400)输出电流信号iotp为0时，过流保护阈值设定电路(300)经由外部电阻r1两端的电压进行过流保护阈值调整，输出电流信号iref以控制输出级的过流保护阈值。
3.如权利要求2所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述参考电压浮动的控制电路还包括：浮动电源(100)、使能电路(200)、基准源、高压正电源vcc、使能端口en、过流保护阈值设定端口ilim、设置使能和过流保护阈值的参考电压端口com、低压电源vdd、负电源vss；com电压不能低于vss电压；
4.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述浮动电源(100)包括：电流源i1、nmos型晶体管n0、n12、n13，pmos型晶体管p0，电容c1；所述com连接n0的源极和c1的一端，n0的栅极和漏极共接后连接p0的栅极和漏极，p0的源极连接n12的源极，n12的栅极和漏极共接后连接i1的输出端和n13的栅极，c1的另一端连接n13的源极，n13的漏极和i1的输入端都连接vcc；c1与n13的源极的共节点为浮动电源(100)的输出端。
5.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述使能电路(200)包括：pmos型晶体管p1、p2、p3、p4、p5、p11，nmos型晶体管n1、n2、n3、n4、n5、n8；所述p1的源极、p2的源极、p3的源极、p4的源极、p5的源极连接浮动电源(100)的输出端；p1栅极和漏极、p2的栅极、p3的栅极、p4的栅极、p5的栅极、n8的漏极共接；n8的源极连接vss，n8的栅极连接过温保护电路(400)；n1的源极、n2的源极、n3的源极、n4的源极连接com；n1的栅极和漏极、n2的栅极、p2的漏极共接；n2的漏极、p3的漏极、n5的源极和栅极、p11的栅极共接；n3的漏极接en；n3的栅极、n4的栅极和漏极、p4的漏极共接；p11的源极接p5的漏极；p11的漏极连接过温保护电路(400)中a1的正极。
6.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述过温保护电路(400)包括：电流源i2，nmos型晶体管n9、n10、n11，迟滞比较器a1，电阻r2；所述i2的输入端连接vdd；n11的源极、n10的源极连接vss；n9的栅极、n10的栅极和漏极、i2的输出端与n8的栅极共接；n9的漏极连接过流保护阈值设定电路(300)。
7.如权利要求3所述的一种参考电压浮动的控制电路，其特征在于，所述过流保护阈值设定电路(300)包括：pmos型晶体管p6、p7、p8、p9、p10，nmos型晶体管n6、n7，电阻r3、r4；p6的栅极与使能电路(200)中p5的栅极连接，所述p6的源极、p7的源极、p8的源极、p9的源极、p10的源极共接后连接浮动电源(100)的输出端；p6的漏极、n6的栅极和漏极共接、n7的栅极；n6的源极连接r3的一端，r3的另一端、n6的衬底极、n7的衬底极连接com；n7的源极连接r4的一端，r4的另一端连接ilim；n7的漏极、p8的漏极、p9的漏极和栅极、p10的栅极共接；p7的栅极和漏极、p8的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：周文质，包磊，段方，石力强，邱伶俐，田瑾民，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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