System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法技术_技高网
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B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法技术

技术编号:41696454 阅读:4 留言:0更新日期:2024-06-19 12:31
本发明专利技术公开了一种B<subgt;4</subgt;C@Mg<subgt;2</subgt;B<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;核壳结构陶瓷粉体及其制备方法,包括如下步骤:(1)将碳化硼粉末、氧化镁粉末和有机溶剂混合,超声分散1‑2h,得到混合物料;(2)将所述混合物料平铺后高温烘干并研磨0.5‑2h,得到前驱体粉末;(3)将所述前驱体粉末置于氧化铝坩埚内,将氧化铝坩埚置于管式炉中,于空气气氛下煅烧0.5‑1.5h;(4)切换为氮气气氛,继续升温煅烧0.5‑1h,再经高温退火即得B<subgt;4</subgt;C@Mg<subgt;2</subgt;B<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;陶瓷粉体。本发明专利技术制备的陶瓷粉体可在较低温度下烧结成型,具有较高的力学性能,降低了碳化硼复合材料的烧结成本,提高了其韧性。同时,本发明专利技术可应用于抛光磨削等工业场景,拓宽了碳化硼材料的应用范围,在磨削加工领域,具有一定的磨削加工应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料合成,具体涉及一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法。


技术介绍

1、碳化硼材料是一种优异的陶瓷材料,具有各种优异的性能,其特点是非常坚硬,有较好的热稳定性,能吸收热中子,但抗冲击性能差,脆性大。

2、目前,碳化硼材料的大面积应用仍旧面临一定的问题:首先,由于b4c本质是脆性陶瓷,一般采用热压烧结法来制备,但制备时考虑到b4c的抗热震性较差,因此降温要缓慢且热压温度不宜过高,否则会出现b4c-c共晶液相,同时热压温度也不宜过低,否则粉体密度低,因此b4c烧结条件苛刻,成本高昂,且单相b4c陶瓷韧性低,机加工能力差。其次,利用碳化硼陶瓷其硬度大的特性,可以用作磨料、切削刀具等,但在磨削加工中,由碳化硼抛光的材料表面存在加工面粗糙度高,造成适用的加工材料很少,不利于工业上大面积应用。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足之处,提供了一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体及其制备方法,解决了上述
技术介绍
中的问题。

2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供了一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,包括如下步骤:

3、(1)将碳化硼粉末、氧化镁粉末和有机溶剂混合,超声分散1-2h,得到混合物料;

4、(2)将所述混合物料平铺后高温烘干并研磨0.5-2h,得到前驱体粉末;

5、(3)将所述前驱体粉末置于氧化铝坩埚内,将氧化铝坩埚置于管式炉中,于空气气氛下煅烧0.5-1.5h;

6、(4)切换为氮气气氛,继续升温煅烧0.5-1h,再经高温退火即得b4c@mg2b2o5陶瓷粉体。

7、在本专利技术步骤(1)中,所述碳化硼粉末、氧化镁粉末具有较大尺寸比。具体地,所述碳化硼粉末的粒度为5-10μm,氧化镁粉末的粒度为50-100nm。所述碳化硼粉末、氧化镁粉末的质量比为0.2g:0.12-0.15g。

8、作为本专利技术b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法具体实施例中的一种优选,碳化硼粉末、氧化镁粉末的粒度分别为10μm;100nm,碳化硼粉末、氧化镁粉末的用量比为0.152-0.203g:0.11-0.147g。

9、在本专利技术步骤(1)中,所述有机溶剂包括乙醇、异丙醇。

10、在本专利技术步骤(2)中,平铺后的粉体层厚度不大于1mm。

11、在本专利技术步骤(3)中,在空气气氛下煅烧的温度为600-700℃。

12、作为本专利技术b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法具体实施例中的一种优选,空气气氛煅烧的温度为640-700℃,时间为90min。

13、在本专利技术步骤(4)中,在氮气气氛下升温速度为10℃/min,煅烧的温度为900-1000℃,保温时间为30min。

14、作为本专利技术b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法具体实施例中的一种优选,所述高温退火的温度为900-1000℃,降温速度为10℃/min。

15、本专利技术解决其技术问题还提供了上述方法制备的b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体,壳层厚度约为100±1nm。

16、本技术方案与
技术介绍
相比,它具有如下优点:

17、1.本专利技术简便易操作,具有制备条件要求低,核壳粉体尺寸可调、产物纯度高等优点。

18、2.本专利技术制备的核壳结构b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷材料,可在较低温度下烧结成型,具有较高的力学性能,降低了碳化硼复合材料的烧结成本,提高了其韧性。

19、3.本专利技术制备的b4c@mg2b2o5壳结构陶瓷粉体材料,可应用于抛光磨削等工业场景,相较于现有技术能有效降低材料表面加工面粗糙度,拓宽了碳化硼材料的应用范围,在磨削加工领域,具有一定的磨削加工应用价值。

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【技术保护点】

1.一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述碳化硼粉末的粒度为5-10μm,氧化镁粉末的粒度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述碳化硼粉末、氧化镁粉末的质量比为0.2g:0.12-0.15g。

4.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述有机溶剂包括乙醇或异丙醇。

5.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,平铺后的粉体层厚度不大于1mm。

6.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,在空气气氛下煅烧的温度为600-700℃。

7.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,在氮气气氛下升温速度为10℃/min,煅烧的温度为900-1000℃,保温时间为30min。

8.根据权利要求1所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,高温退火的温度为900-1000℃,降温速度为10℃/min。

9.一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体,其特征在于:采用权利要求1-8任一项所述方法制备而成。

10.根据权利要求9所述的一种B4C@Mg2B2O5核壳结构陶瓷粉体,其特征在于:壳层厚度为100±1nm。

...

【技术特征摘要】

1.一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述碳化硼粉末的粒度为5-10μm,氧化镁粉末的粒度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述碳化硼粉末、氧化镁粉末的质量比为0.2g:0.12-0.15g。

4.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述有机溶剂包括乙醇或异丙醇。

5.根据权利要求1所述的一种b4c@mg2b2o5核壳结构陶瓷粉体的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,平铺后的粉体层厚度不大于1mm。

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【专利技术属性】
技术研发人员:李东旭胡宁飞陆静
申请(专利权)人:华侨大学
类型:发明
国别省市:

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