【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、随着电子产品逐渐采用低功耗、高速度、高集成度的封装设计，使得原有载板上的贴装电子器件增加，从而导致产品更易产生翘曲且翘曲值变大。
2、目前，针对bga(球栅网格阵列封装)/lga(平面网格阵列封装)的封装设计产品，常规使用防静电纸作为隔离件，提篮内放置金属压块，对塑封结构进行加压烘烤，而使用加压烘烤的方式会损伤塑封结构的引脚，导致引脚易受损，例如划伤和压伤，造成引脚表面的金属氧化，影响后续上板。而且使用常规平面金属压块，具有散热慢，翘曲改善不明显的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体装置，以避免塑封结构在加压烘烤的过程中出现引脚受损的问题。
2、为了实现上述目的以及其他相关目的，本技术提供了一种半导体装置，包括：
3、金属提篮，用于承载多个上下堆叠的塑封结构；
4、多个隔离件，放置于所述金属提篮中，每个所述隔离件设置在相邻的塑封结构之间，所述隔离件为具有缓冲层的复合型结构。
5、可选的，在所述的半导体装置中，所述复合型结构还具有第一基材层和第二基材层，所述缓冲层位于所述第一基材层和第二基材层之间。
6、可选的，在所述的半导体装置中，所述第一基材层与所述第二基材层的厚度相同。
7、可选的，在所述的半导体装置中，所述半导体装置还包括压块，所述压块放置于所述金属提篮中，并位于多个所述塑封结构的上方。
8、可选的，在所
9、可选的，在所述的半导体装置中，所述压块的下表面为凹曲面。
10、可选的，在所述的半导体装置中，所述压块的内部构造为蜂窝状空心结构。
11、可选的，在所述的半导体装置中，所述塑封结构具有翘曲面，位于所述金属提篮中的每个所述塑封结构的翘曲面朝上。
12、可选的，在所述的半导体装置中，所述金属提篮中配置有金属块，多个所述塑封结构位于所述金属块上方。
13、可选的，在所述的半导体装置中，所述金属块的上表面为凸曲面。
14、与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下有益效果：
15、本技术提供的半导体装置中的隔离件为具有缓冲层的复合型结构，该缓冲层可以在加压烘烤的过程中减小相邻的塑封结构之间对引脚的作用力，避免引脚受损，保护引脚外观。
16、其次，本技术的压块采用曲面设置，有助于减小塑封结构的翘曲。而且压块为不锈钢金属块，其内部构造为蜂窝状空心结构，可以增加压块的散热面积，加快散热。
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1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复合型结构还具有第一基材层和第二基材层，所述缓冲层位于所述第一基材层和第二基材层之间。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基材层与所述第二基材层的厚度相同。
4.如权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括压块，所述压块放置于所述金属提篮中，并位于多个所述塑封结构的上方。
5.如权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括加热装置，所述加热装置用于盛放所述金属提篮，并对所述金属提篮中的塑封结构进行加热。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括加热装置，所述加热装置用于盛放所述金属提篮，并对所述金属提篮中的塑封结构进行加热。
7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述压块的下表面为凹曲面。
8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述压块的内部构造为蜂窝状空心结构。
9.如权利要求1或7所述的
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属提篮中配置有金属块，多个所述塑封结构位于所述金属块上方。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述金属块的上表面为凸曲面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述复合型结构还具有第一基材层和第二基材层，所述缓冲层位于所述第一基材层和第二基材层之间。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基材层与所述第二基材层的厚度相同。
4.如权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括压块，所述压块放置于所述金属提篮中，并位于多个所述塑封结构的上方。
5.如权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括加热装置，所述加热装置用于盛放所述金属提篮，并对所述金属提篮中的塑封结构进行加热。
6.如权利要求4所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁洁，
申请(专利权)人：吉光半导体绍兴有限公司，
类型：新型
国别省市：
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