【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种肖特基二极管模型的构建方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、随着雷达和通信技术的发展，军事领域及民用领域对单片微波集成电路的性能的要求越来越高，需求量也日益增大。
2、肖特基二极管在单片微波集成电路中具有广泛的应用。由于肖特基二极管的结构、尺寸等原因，应用电路的性能会受到肖特基二极管寄生参量的影响。因此建立准确有效的肖特基二极管模型对设计电路具有重要意义。
3、传统肖特基二极管模型在电路非线性仿真准确度低的缺点，使得混频器与倍频器在设计仿真环节得到的仿真特性与实测电特性有较大的差异，这一差异主要体现在谐波仿真上，这使得电路设计往往需要多次迭代或需要进行较多的指标余量设计，效率较低。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种肖特基二极管模型的构建方法、装置、电子设备及介质，以解决传统肖特基模型在电路非线性仿真下准确率低、效率低的问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种肖特基二极管模型的构建方法，包括
3、获取目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性iv曲线和整体电流电势cv曲线；
4、将整体iv曲线和整体cv曲线分别进行去嵌入处理，得到目标肖特基二极管的iv测试值和cv测试值；
5、根据iv测试值和cv测试值得到模型参数；
6、根据模型参数对预先构建的iv模型和cv模型赋值，得到目标肖特基二极管的模型；其中，预先构建的iv模型中包括用于修正反向偏压下
7、在一种可能的实现方式中，预先构建的iv模型包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容和第一电感；
8、第一电阻的第一端、第二电阻的第一端、第一电容的第一端、第二电容的第一端分别与外围测试电路的正极连接；
9、第一电阻的第二端、第二电阻的第二端、第一电容的第二端、第二电容的第二端均与第三电阻的第一端连接；
10、第三电阻的第二端通过第一电感与外围测试电路的负极连接。
11、在一种可能的实现方式中，预先构建的cv模型为：
12、
13、其中，c0_cgs、为电容的容值；c为拟合常量；v为电压值；d为拟合常量；a_cgs为目标肖特基二极管的沟道面积；vm为电压幅值。
14、在一种可能的实现方式中，根据模型参数对预先构建的iv模型和cv模型赋值，得到目标肖特基二极管的模型，包括：
15、将预先构建的iv模型和cv模型代入到集成电路设计软件中的符号定义模块中，并根据模型参数进行赋值，将得到的符号定义模型作为目标肖特基二极管的模型。
16、在一种可能的实现方式中，集成电路设计软件为ads；符号定义模块为sdd模块。
17、在一种可能的实现方式中，根据iv测试值和cv测试值得到模型参数，包括：
18、将iv测试值和cv测试值输入到拟合软件中，通过拟合软件调整拟合参数的取值范围、初值以及迭代算法，得到与实测数据均方差值最小的参数；其中，拟合软件中包括预先构建的iv模型和cv模型；
19、将与实测数据均方差值最小的参数作为模型参数。
20、在一种可能的实现方式中，获取目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性iv曲线和电流电势cv曲线，包括：
21、通过测试平台，对目标肖特基二极管以及目标肖特基二极管的外围测试电路进行检测，得到目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性iv曲线和电流电势cv曲线；其中，测试平台中包括直流源分析仪。
22、测试平台还包括矢量网络分析仪；
23、将整体iv曲线和整体cv曲线分别进行去嵌入处理，得到iv测试值和cv测试值，包括：
24、调整外围测试电路的模式，对矢量网络分析仪进行校准；
25、通过校准后的矢量网络分析仪将整体iv曲线和整体cv曲线分别进行去嵌入处理，得到iv测试值和cv测试值。
26、在一种可能的实现方式中，测试平台还包括探针台；
27、探针台用于放置目标肖特基二极管及其外围测试电路；探针台的第一探针与目标肖特基二极管的正极连接；探针台的第二探针与目标肖特基二极管的负极连接；
28、第一探针通过第一端口分别与矢量网络分析仪的第一端和直流源分析仪的第一端连接；
29、第二探针通过第二端口分别与矢量网络分析仪的第二端和直流源分析仪的第二端连接。
30、第二方面，本专利技术实施例提供了一种肖特基二极管模型的构建装置，包括：
31、获取模块，用于获取目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性iv曲线和整体电流电势cv曲线；
32、测试模块，用于将整体iv曲线和整体cv曲线分别进行去嵌入处理，得到目标肖特基二极管的iv测试值和cv测试值；
33、拟合模块，用于根据iv测试值和cv测试值得到模型参数；
34、构建模块，用于根据模型参数对预先构建的iv模型和cv模型赋值，得到目标肖特基二极管的模型；其中，预先构建的iv模型中包括用于修正反向偏压下电流值的电阻；预先构建的cv模型中包括双曲线函数和指数函数。
35、第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所述方法的步骤。
36、本专利技术实施例提供一种肖特基二极管模型的构建方法、装置及电子设备，通过在预先构建的iv模型中加入用于修正反向偏压下电流值的电阻，能够优化目标肖特基二极管在零点漂移与反向偏压下的电流，提高非线性仿真下准确率；通过在预先构建的cv模型中引入双曲线函数和指数函数，能够使最终构建出的目标肖特基二极管模型更加符合实际目标肖特基二极管的测试结果，能够进一步提高准确率。同时，通过iv测试值和cv测试值得到模型参数，并根据该模型参数直接对预先构建的iv模型和cv模型赋值，能够减少电路设计过程中的迭代次数，提高效率。本专利技术实施例能够提高肖特基模型在电路非线性仿真下的准确率以及效率。
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1.一种肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，包括
2.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述预先构建的IV模型包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容和第一电感；
3.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述预先构建的CV模型为：
4.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述根据所述模型参数对预先构建的IV模型和CV模型赋值，得到所述目标肖特基二极管的模型，包括：
5.如权利要求4所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述集成电路设计软件为ADS；所述符号定义模块为SDD模块。
6.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述根据所述IV测试值和所述CV测试值得到模型参数，包括：
7.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述获取目标肖特基二极管及其外围测试电路的整体伏安特性IV曲线和电流电势CV曲线，包括：
8.如权利要求7所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于
9.一种肖特基二极管模型的构建装置，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上的权利要求1至8中任一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，包括
2.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述预先构建的iv模型包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容和第一电感；
3.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述预先构建的cv模型为：
4.如权利要求1所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述根据所述模型参数对预先构建的iv模型和cv模型赋值，得到所述目标肖特基二极管的模型，包括：
5.如权利要求4所述的肖特基二极管模型的构建方法，其特征在于，所述集成电路设计软件为ads；所述符号定义模块为sdd模块。
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁家铖，张韶华，傅琦，张宁，王开宇，蔡如恒，王胜福，郭丰强，杨亮，梁毅，汪晓龙，王小唯，尚跃港，陈南庭，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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