【技术实现步骤摘要】
本申请涉及但不限于数据存储，尤其涉及一种读写控制方法、非易失性存储器、控制装置。
技术介绍
1、在芯片制造出厂后，由于工艺影响，芯片的工作电压、电流、时钟等重要因素会有偏差，导致芯片上电后系统无法稳定和正常工作，引发系统功能异常，严重还会损坏芯片，所以在芯片制造完成后需要进入测试阶段，对芯片系统所需重要参数进行校准，并把数据存放于非易失存储器件中，在使用时可自动加载该校准值完成校准。当前现有技术方案会使用一整块非易失存储器件存放校准值，由于非易失性存储器件的容量有限，通常在非易失性存储器件中预留一部分地址空间，避免系统校准值的数量需求有变时，存储器件的地址分配无法灵活变更，但是这种方式会导致非易失性存储器件的地址空间利用率不高，未使用到的地址无法有效使用。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种读写控制方法、非易失性存储器、控制装置，能够有效提升非易失性存储器件的地址空间利用率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种非易失性存储器，包括：
3、第一mux，所述第一mux分别与第一总线和第二总线相连接，其中，所述第一mux基于总线选择信号导通所述第一总线或所述第二总线；
4、配置模块，所述配置模块与所述第一mux相连接；
5、存储单元，所述存储单元包括第一存储空间、第二存储空间和第三存储空间，其中，所述第一存储空间用于存储芯片校准数据，所述第二存储空间为空间容量可调节的预留空间，所述第三存储空间用于存储第一空间配置值，所述第一空间配置
6、控制器模块，所述控制器模块分别与所述存储单元和所述配置模块相连接。
7、在一些实施例中，所述控制器模块通过第二mux与所述配置模块相连接，所述第二mux还与所述第三存储空间相连接，其中，所述第二mux基于第二存储空间参数通路信号导通所述第三存储空间与所述配置模块，或者导通所述第三存储空间与控制器模块。
8、第二方面，本申请实施例提供了一种读写控制方法，所述方法应用于第一方面的非易失性存储器，所述方法包括：
9、当所述非易失性存储器上电后，所述第一mux基于所述总线选择信号导通所述第一总线，所述配置模块配置芯片校准数据和第一烧录地址，并基于所述芯片校准数据的数据量和所述存储单元的空间容量确定所述第一空间配置值，其中，所述第一烧录地址为在所述存储单元中烧录所述芯片校准数据的地址；
10、所述配置模块配置第二烧录地址，并将携带有所述第二烧录地址的第一触发信号发送至所述控制器模块，以使所述控制器模块将所述第一空间配置值烧录进所述第三存储空间，其中，所述第二烧录地址为在所述存储单元中烧录所述第一空间配置值的地址；
11、所述配置模块将携带有所述第一烧录地址的第二触发信号发送至所述控制器模块，以使所述控制器模块将所述芯片校准数据烧录进所述第一存储空间；
12、所述第一mux基于所述总线选择信号导通所述第二总线，通过所述配置模块生成第二触发信号并将所述第二触发信号发送至所述控制器模块；
13、所述控制器模块从所述第三存储空间中读取所述第一空间配置值，并将所述第一空间配置值发送至所述配置模块，并将所述第一空间配置值分别保存至所述控制器模块和所述配置模块；
14、所述控制器模块基于所述第一空间配置值轮询读取所述第一存储空间中的所述芯片校准数据，并将所述芯片校准数据发送至所述配置模块。
15、在一些实施例中，所述控制器模块通过第二mux与所述配置模块相连接，所述第二mux还与所述第三存储空间相连接，其中，所述第二mux基于第二存储空间参数通路信号导通所述第三存储空间与所述配置模块，或者导通所述第三存储空间与控制器模块，所述方法还包括：
16、当检测到所述第一空间配置值与所述芯片校准数据的数据量不匹配，所述第二mux基于所述第二存储空间参数通路信号导通所述第三存储空间与所述配置模块；
17、通过所述配置模块触发所述控制器模块读取所述第一存储空间的所述芯片校准数据和所述第三存储空间的第一空间配置值；
18、所述控制器模块将所述芯片校准数据和所述第一空间配置值发送至所述配置模块；
19、所述配置模块基于所述芯片校准数据重新确定第二空间配置值；
20、所述第一mux基于所述总线选择信号导通所述第一总线，所述配置模块重新配置第二烧录地址，并将携带有所述第二烧录地址的第一触发信号重新发送至所述控制器模块，以使所述控制器模块将所述第二空间配置值烧录进所述第三存储空间。
21、在一些实施例中，所述方法还包括：
22、所述第一mux基于所述总线选择信号导通所述第二总线，所述配置模块配置预设类型数据；
23、通过所述配置模块生成携带有所述第一空间配置值的第三触发信号，并将所述第三触发信号发送至所述控制器模块；
24、所述控制器模块基于所述第一空间配置值将所述预设类型数据烧录至所述第二存储空间。
25、在一些实施例中，所述方法还包括：
26、当检测到所述第一空间配置值对应的烧录地址超出所述第二存储空间的地址范围，停止烧录所述预设类型数据至所述第二存储空间的操作。
27、在一些实施例中，所述方法还包括：
28、所述第一mux基于所述总线选择信号导通所述第二总线，通过所述配置模块触发所述控制器模块读取所述第二存储空间的数据；
29、所述控制器模块将所述第二存储空间的数据发送至所述配置模块，并将所述第二存储空间的数据保存至所述配置模块。
30、第三方面，本申请实施例提供了一种控制装置，包括至少一个控制处理器和用于与所述至少一个控制处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个控制处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制处理器执行，以使所述至少一个控制处理器能够执行如第一方面所述的读写控制方法。
31、本申请实施例提供了一种读写控制方法、非易失性存储器、控制装置，非易失性存储器包括：第一mux，所述第一mux分别与第一总线和第二总线相连接，其中，所述第一mux基于总线选择信号导通所述第一总线或所述第二总线；配置模块，所述配置模块与所述第一mux相连接；存储单元，所述存储单元包括第一存储空间、第二存储空间和第三存储空间，其中，所述第一存储空间用于存储芯片校准数据，所述第二存储空间为空间容量可调节的预留空间，所述第三存储空间用于存储第一空间配置值，所述第一空间配置值为所述第二存储空间的空间配置值，所述第一空间配置值根据所述芯片校准数据的数据量与和所述存储单元的空间容量确定；控制器模块，所述控制器模块分别与所述存储单元和所述配置模块相连接。根据本申请实施例提供的方案，存储单元中预留空间的容量基于需要烧写的数据量大小和存储单元的容量动态确定，实现动态划分本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制器模块通过第二MUX与所述配置模块相连接，所述第二MUX还与所述第三存储空间相连接，其中，所述第二MUX基于第二存储空间参数通路信号导通所述第三存储空间与所述配置模块，或者导通所述第三存储空间与控制器模块。
3.一种读写控制方法，其特征在于，应用于权利要求1至2任意一项所述的非易失性存储器，所述方法包括：
4.根据权利要求3所述的读写控制方法，其特征在于，所述控制器模块通过第二MUX与所述配置模块相连接，所述第二MUX还与所述第三存储空间相连接，其中，所述第二MUX基于第二存储空间参数通路信号导通所述第三存储空间与所述配置模块，或者导通所述第三存储空间与控制器模块，所述方法还包括：
5.根据权利要求3所述的读写控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的读写控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求5所述的读写控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种控制
...【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制器模块通过第二mux与所述配置模块相连接，所述第二mux还与所述第三存储空间相连接，其中，所述第二mux基于第二存储空间参数通路信号导通所述第三存储空间与所述配置模块，或者导通所述第三存储空间与控制器模块。
3.一种读写控制方法，其特征在于，应用于权利要求1至2任意一项所述的非易失性存储器，所述方法包括：
4.根据权利要求3所述的读写控制方法，其特征在于，所述控制器模块通过第二mux与所述配置模块相连接，所述第二mux还与所述第三存储空间相连接，其中，所述第二mux基于第二存储空间...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄紫朱，张慧，吴文豪，罗俊，刘文冬，周春元，高伟，
申请(专利权)人：珠海微度芯创科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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