【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种三维半导体结构中的横向刻蚀方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体器件逐步走向更高集成度，三维半导体器件的应用也越来越广泛。
2、在三维半导体器件的生产过程中，存在大量的横向湿法刻蚀。传统的横向刻蚀采用的湿法刻蚀工艺，是将晶圆浸泡在刻蚀液中，通过控制刻蚀液的浓度和温度及晶圆的浸泡时间，达到刻蚀的目的。
3、然而，由于刻蚀结构的微小性，容易导致各层之间刻蚀长度的差异，影响器件的性能。
技术实现思路
1、为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本公开提供一种三维半导体结构中的横向刻蚀方法，可提高各层之间的刻蚀均匀性，提升器件的性能。
2、本公开提供一种三维半导体结构中的横向刻蚀方法，包括：
3、形成多个待刻蚀的第一层和多个第二层交叠的堆叠层；
4、在堆叠层中形成间隔设置的至少两个填充层，在沿平行于堆叠层表面的横向刻蚀路径上，待刻蚀的第一层的体积在相邻两个填充层之间的位置受到缩窄；
5、在堆叠层的横向侧上施加湿法刻蚀环境，沿横向刻蚀路径横向刻蚀待刻蚀的第一层；其中，在湿法刻蚀环境中，待刻蚀的第一层的刻蚀速率大于填充层的刻蚀速率。
6、在一种可能的实施方式中，在堆叠层中形成间隔设置的至少两个填充层，包括：
7、沿第一方向选择性刻蚀堆叠层，形成至少两个沿第二方向间隔设置的竖向沟槽，竖向沟槽贯穿堆叠层；其中，第一方向为垂直于堆叠层的表面的方向，第二方向为平行
8、分别在各竖向沟槽内回填填充材料，形成各填充层；其中，各填充层分别沿第一方向沿伸，并在第二方向上间隔设置。
9、在一种可能的实施方式中，在堆叠层中形成间隔设置的至少两个填充层，包括：
10、沿第一方向选择性刻蚀堆叠层，形成四个沿第二方向间隔设置的竖向沟槽，并在四个竖向沟槽内分别形成四个填充层。
11、在一种可能的实施方式中，在相邻两个填充层之间的待刻蚀的第一层的体积逐渐缩窄。
12、在一种可能的实施方式中，在堆叠层中形成间隔设置的至少两个填充层，包括：
13、沿横向刻蚀的刻蚀方向选择性刻蚀堆叠层，形成至少两个沿第一方向间隔设置的横向沟槽，横向沟槽的底壁暴露第二层，横向沟槽的侧壁暴露待刻蚀的第一层；其中，第一方向为垂直于堆叠层表面的方向；
14、分别在各横向沟槽内回填填充材料，形成各填充层，各填充层在第一方向上间隔设置。
15、在一种可能的实施方式中，在相邻两个填充层之间的待刻蚀的第一层的截面积，占待刻蚀的第一层的截面积的1/10-1/2。
16、在一种可能的实施方式中，在湿法刻蚀环境中，填充层的刻蚀速率大于或等于第二层的刻蚀速率。
17、在一种可能的实施方式中，填充层和第二层的材料相同。
18、在一种可能的实施方式中，待刻蚀的第一层为含氮材料层，第二层为含氧材料层。
19、在一种可能的实施方式中，待刻蚀的第一层为单晶硅层，第二层为锗硅层。
20、本公开提供的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，在形成多个待刻蚀的第一层和多个第二层交叠的堆叠层之后，通过在堆叠层中形成间隔设置的至少两个填充层，待刻蚀的第一层在平行于堆叠层表面的横向刻蚀路径上的体积，在相邻两个填充层之间的位置受到缩窄。之后，在堆叠层的横向侧上施加湿法刻蚀环境，沿横向刻蚀路径横向刻蚀待刻蚀的第一层。其中，通过使待刻蚀的第一层的刻蚀速率大于填充层的刻蚀速率，可减少甚至避免填充层被刻蚀。同时，通过填充层缩窄待刻蚀的第一层在对应部位的体积，可限制刻蚀成分的扩散通量，降低不同层之间的刻蚀量的差异，提高各层之间的刻蚀均匀性，提升最终产品的性能。
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1.一种三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述堆叠层中形成间隔设置的所述至少两个填充层，包括：
3.根据权利要求2所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述堆叠层中形成间隔设置的所述至少两个填充层，包括：
4.根据权利要求1所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在相邻两个所述填充层之间的所述待刻蚀的第一层的体积逐渐缩窄。
5.根据权利要求4所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述堆叠层中形成间隔设置的所述至少两个填充层，包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在相邻两个所述填充层之间的所述待刻蚀的第一层的截面积，占所述待刻蚀的第一层的截面积的1/10-1/2。
7.根据权利要求1-5任一项所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀环境中，所述填充层的刻蚀速率大于或等于所述第二层的刻蚀速率。
8.根据权利
9.根据权利要求1-5任一项所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀的第一层为含氮材料层，所述第二层为含氧材料层。
10.根据权利要求1-5任一项所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀的第一层为单晶硅层，所述第二层为锗硅层。
...【技术特征摘要】
1.一种三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述堆叠层中形成间隔设置的所述至少两个填充层，包括：
3.根据权利要求2所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述堆叠层中形成间隔设置的所述至少两个填充层，包括：
4.根据权利要求1所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在相邻两个所述填充层之间的所述待刻蚀的第一层的体积逐渐缩窄。
5.根据权利要求4所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，其特征在于，在所述堆叠层中形成间隔设置的所述至少两个填充层，包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的三维半导体结构中的横向刻蚀方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞明，吴楠，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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