【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种有机发光二极管显示装置，更具体地，涉及一种包括第一叠层和第二叠层、电荷产生层和围绕第二电极的侧表面的钝化层的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、近来，随着信息化社会的到来，并且随着对用于处理和显示大量信息的信息显示器的兴趣以及对便携式信息媒体的需求的增加，显示器领域已经迅速发展。因此，各种轻且薄的平板显示装置已经得到发展和重视。
2、在各种平板显示装置当中，有机发光二极管(oled)显示装置是发光型装置，并且不包括用于非发光型装置(例如，液晶显示(lcd)装置)的背光单元。因此，oled显示装置具有轻的重量和的薄的轮廓并且在视角、对比度和功耗方面具有优势，以应用于各种领域。
3、近来已经开发了包括有机发光显示装置的头戴式显示器(hmd)。hmd是用于虚拟现实(vr)或增强现实(ar)的眼镜式监视器，其被佩戴成眼镜或头盔的形状，使得焦点形成在距用户的眼睛短距离的点上。
4、可以通过基于晶圆的半导体工艺来形成应用于hmd的具有小尺寸和高分辨率的oled显示装置。在半导体工艺中，在覆盖晶圆上的薄膜晶体管的绝缘层上形成阳极。电流可能流过阳极上的发光层，从而引起横向漏电流。
5、此外，由于阳极和绝缘层之间的阶梯差，发光层不会均匀地形成在阳极的边缘部分处，因此阳极、电荷产生层和阴极中的至少两个可能电短路。
6、在
技术介绍
部分的描述中提供的描述不应仅仅因为其在
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部分的描述中被提及或其与
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部分的描述相关联而被假设为现有技术。
技术介绍
部分的描述可
技术实现思路
1、专利技术人已经认识到上述要求和与
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相关联的其它限制。因此，本公开的目的是提供一种有机发光二极管显示装置及制造该有机发光二极管显示装置的方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个技术问题及其它。
2、本公开的一个方面提供了一种有机发光显示装置及制造该有机发光二极管显示装置的方法，在该有机发光显示装置中，由于子像素之间存在具有较大宽度的沟槽而将第一叠层和第二叠层、电荷产生层和第二电极划分成各个子像素来防止横向漏电流。
3、本公开的一个方面提供了一种有机发光二极管显示装置及制造该有机发光二极管显示装置的方法，在该有机发光二极管显示装置中，通过形成围绕被划分成各个子像素的第一叠层和第二叠层、电荷产生层和第二电极的侧表面的钝化层，防止了湿气和氧气渗透穿过封装层的阶梯对应线，并且提高了可靠性。
4、本公开的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显而易见，或者可以通过实践本公开而获知。本公开的这些和其它优点将通过在其书面描述以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
5、在本公开中，如本文所实施和广泛描述的，有机发光二极管显示装置包括：基板，其具有第一子像素和第二子像素；层间绝缘层，其位于基板上并且在第一子像素和第二子像素之间具有沟槽；第一电极，其在层间绝缘层上位于第一子像素和第二子像素中的每一个中；堤层，其覆盖第一电极的边缘部分并且暴露第一电极的中央部分；发光层和第二电极，其依次设置在堤层和通过堤层暴露的第一电极上；以及钝化层，其位于第二电极上并且包裹发光层和第二电极。
6、在一个方面中，制造有机发光二极管显示装置的方法包括：在基板上形成层间绝缘层；在层间绝缘层中的第一子像素和第二子像素之间形成沟槽；在层间绝缘层上的第一子像素和第二子像素中的每一个中形成第一电极；形成覆盖第一电极的边缘部分并且暴露第一电极的中央部分的堤层；在堤层和通过堤层暴露的第一电极上依次形成发光层和第二电极，发光层和第二电极在层间绝缘层中的沟槽上方被划分成第一子像素和第二子像素；以及在第二电极上形成钝化层，钝化层包裹发光层和第二电极。
7、应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是解释性的，并且旨在提供对本公开的进一步解释。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述钝化层延伸以覆盖所述发光层和所述第二电极的顶表面和侧表面，并且接触所述沟槽的侧壁。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述发光层包括位于所述第一电极上的第一叠层、位于所述第一叠层上的电荷产生层以及位于所述电荷产生层上的第二叠层。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，位于所述沟槽处的所述电荷产生层和所述第二电极彼此绝缘。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述电荷产生层和所述第二电极的在所述沟槽上方的接近部分处设置具有绝缘特性的氧化部分。
6.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一叠层、所述电荷产生层、所述第二叠层和所述第二电极中的每一个在所述沟槽处的厚度小于所述第一叠层、所述电荷产生层、所述第二叠层和所述第二电极中的每一个在除所述沟槽之外的其它部分处的厚度。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述沟槽的宽度等于或小于1.0μm。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置还包括：
10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述钝化层通过原子层沉积法形成。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述发光层的步骤包括以下步骤：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，位于所述沟槽处的所述电荷产生层和所述第二电极彼此绝缘。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述电荷产生层和所述第二电极的在所述沟槽上方的接近部分处形成具有绝缘特性的氧化部分。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一叠层、所述电荷产生层、所述第二叠层和所述第二电极中的每一个在所述沟槽处的厚度小于所述第一叠层、所述电荷产生层、所述第二叠层和所述第二电极中的每一个在除所述沟槽之外的其它部分处的厚度。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述沟槽的宽度等于或大于所述发光层的厚度的0.6倍。
17.根据权利要求10所述的方法，其中，所述沟槽的宽度等于或小于1.0μm。
18.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述钝化层延伸以覆盖所述发光层和所述第二电极的顶表面和侧表面，并且接触所述沟槽的侧壁。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述发光层包括位于所述第一电极上的第一叠层、位于所述第一叠层上的电荷产生层以及位于所述电荷产生层上的第二叠层。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，位于所述沟槽处的所述电荷产生层和所述第二电极彼此绝缘。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述电荷产生层和所述第二电极的在所述沟槽上方的接近部分处设置具有绝缘特性的氧化部分。
6.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一叠层、所述电荷产生层、所述第二叠层和所述第二电极中的每一个在所述沟槽处的厚度小于所述第一叠层、所述电荷产生层、所述第二叠层和所述第二电极中的每一个在除所述沟槽之外的其它部分处的厚度。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述沟槽的宽度等于或大于所述发光层的厚度的0.6倍。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述沟槽的宽...
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