【技术实现步骤摘要】
本技术涉及芯片封装，特别涉及一种芯片的封装结构以及存储器。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路的封装要求更加严格，为满足发展的需要，bga(ball grid array，球焊阵列封装)应运而生。bga是一种球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术。传统的bga产品在芯片封装底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，实现了更高的引脚密度，信号传输更快，但是这种bga产品的散热性能不佳，抗干扰能力较差。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提出一种芯片的封装结构，旨在解决现有存储芯片散热效果差、抗干扰性能弱的问题。
2、为实现上述目的，本技术提出一种芯片的封装结构，包括：
3、层叠结构的封装板，所述封装板包括均为阻焊层的底层和顶层，所述底层和顶层之间的中间层为金属芯层，所述底层与金属芯层之间、所述顶层与金属芯层之间依序设置有若干金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层交替设置；紧邻所述顶层的金属层上设置有若干第一焊盘，紧邻所述底层的金属层上设置有用于连接焊球的第二焊盘，所述底层对应所述第二焊盘设置有孔洞以露出所述第二焊盘；
4、芯片，所述芯片设置在所述顶层上，所述芯片上设置有若干焊脚，且所述焊脚通过金线连接所述第一焊盘。
5、在一些实施例中，所述封装板为十一层板，所述金属芯层为第六层，且为铜芯层，所述金属层为铜箔层。
6、在一些实施例中，紧邻所述顶层的金属层上焊接有bga焊球
7、在一些实施例中，所述阻焊层的厚度均为20微米，所述铜箔的厚度均为10微米，所述铜芯层的厚度为25微米，所述绝缘层的厚度为7.5微米。
8、在一些实施例中，所述芯片上设置有焊脚的一侧朝向所述焊盘。
9、在一些实施例中，所述绝缘层为环氧玻纤布填充材料。
10、在一些实施例中，包括外壳和前述实施例中记载的封装结构，所述外壳设置在所述封装结构上。
11、本技术将芯片设置在具有层叠结构的封装板上，其中封装板内部设置有多个金属层，信号线可以通过金属层直接连接，而不需要通过表层走线，减小了走线长度，降低了信号线的串扰，从而提高了芯片封装结构的抗干扰性，而且封装板内设置有金属芯层，其具备的高导热性大大提升了封装结构的散热性能。
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1.一种芯片的封装结构，其特征在于，包括层叠结构的封装板，所述封装板包括均为阻焊层的底层和顶层，所述底层和顶层之间的中间层为金属芯层，所述底层与金属芯层之间、所述顶层与金属芯层之间依序设置有若干金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层交替设置；紧邻所述顶层的金属层上设置有若干第一焊盘，紧邻所述底层的金属层上设置有用于连接焊球的第二焊盘，所述底层对应所述第二焊盘设置有孔洞以露出所述第二焊盘；
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装板为十一层板，所述金属芯层为第六层，且为铜芯层，所述金属层为铜箔层。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，紧邻所述顶层的金属层上焊接有BGA焊球阵列。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述阻焊层的厚度均为20微米，所述铜箔层的厚度均为10微米，所述铜芯层的厚度为25微米，所述绝缘层的厚度为7.5微米。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片设置有焊脚的一侧朝向所述第一焊盘。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层为环氧玻纤布填
7.一种存储器，其特征在于，包括外壳和如权利要求1-6任一项所述的封装结构，所述外壳设置在所述封装结构上。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装结构，其特征在于，包括层叠结构的封装板，所述封装板包括均为阻焊层的底层和顶层，所述底层和顶层之间的中间层为金属芯层，所述底层与金属芯层之间、所述顶层与金属芯层之间依序设置有若干金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层交替设置；紧邻所述顶层的金属层上设置有若干第一焊盘，紧邻所述底层的金属层上设置有用于连接焊球的第二焊盘，所述底层对应所述第二焊盘设置有孔洞以露出所述第二焊盘；
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装板为十一层板，所述金属芯层为第六层，且为铜芯层，所述金属层为铜箔层。
3.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘焱，
申请(专利权)人：联和存储科技江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：
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