System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示基板、显示面板及制备显示基板的方法技术_技高网

显示基板、显示面板及制备显示基板的方法技术

技术编号:41687078 阅读:7 留言:0更新日期:2024-06-14 15:37
本公开提供一种显示基板、显示面板及制备显示基板的方法,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板中出光量低的问题。本公开的显示基板包括:衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层;所述像素单元包括发光器件,所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧;其中,所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的微结构,且所述微结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。本发明专利技术可以提高显示基板中发光器件的光耦合效率从而提高器件出光量。

【技术实现步骤摘要】

本公开属于显示,具体涉及一种显示基板、显示面板及制备显示基板的方法


技术介绍

1、有机发光二极管(英文:organic light-emitting diode,缩写:oled)又称有机电激发光显示器(英文:organic electroluminescence display,缩写:oeld)、有机发光半导体,与薄膜晶体管液晶显示器为不同类型的产品。其中,oled具有自发光性、广视角、高对比、低耗电、厚度薄、高反应速率、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、全彩化及构造以及制程较简单等优异特性,一致被公认为是下一代显示的主流技术,得到了各大显示器厂家的青睐。

2、但由于oled的外量子效率与内量子效率存在巨大差异,极大地制约了oled的发展。常规的oled器件的出光效率约为20%,因此,如何提高oled器件的光取出效率成为研究的热点。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种提高oled出光量的显示基板、显示面板及制备显示基板的方法。

2、第一方面,解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,其包括:衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层;所述像素单元包括发光器件,所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧;其中,

3、所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的凹凸结构,且所述凹凸结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;

4、在所述凹凸结构的凹部背离所述衬底基板的方向和凸部背离所述衬底基板的方向均具有微结构。

5、在一些实施例中,其还包括像素限定层,所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部;

6、所述发光器件的第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧,所述发光器件的有机发光层至少位于所述容纳部,且设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,所述发光器件的第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧;其中,

7、所述凹凸结构在所述衬底基板的正投影位于所述容纳部在所述衬底基板的正投影内。

8、在一些实施例中,所述凹凸结构包括至少一个透镜结构,所述透镜结构在所述衬底基板所在平面方向上的最大宽度与在垂直所述衬底基板所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2~1.5。

9、在一些实施例中,所述透镜结构在所述衬底基板的正投影的形貌为富勒烯形貌。

10、第二方面,本公开实施例提供一种显示面板,其中,包括如上述第一方面任一项所述的显示基板。

11、第三方面,本公开实施例还提供一种制备显示基板的方法,其包括:

12、提供一衬底基板;

13、在所述衬底基板上形成像素单元和平坦化层,其中,所述像素单元包括发光器件,所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧;所述像素单元还包括形成在所述平坦化层上的凹凸结构,且所述凹凸结构与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;

14、在所述凹凸结构的凹部背离所述衬底基板的方向和凸部背离所述衬底基板的方向均具有微结构。

15、在一些实施例中,所述方法还包括:

16、形成像素限定层,所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部;所述发光器件的第一电极位于所述像素限定层靠近所述衬底基板的一侧,所述发光器件的有机发光层至少位于所述容纳部,且设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,所述发光器件的第二电极位于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧;其中,

17、所述凹凸结构在所述衬底基板的正投影位于所述容纳部在所述衬底基板的正投影内。

18、在一些实施例中,在所述平坦化层上形成凹凸结构具体包括:

19、在所述衬底基板上形成平坦化层;

20、通过曝光或者热回流工艺在所述平坦化层形成所述凹凸结构。在一些实施例中,在所述凹凸结构上形成所述微结构具体包括:在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构。

21、在一些实施例中,所述在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构,具体包括:在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成富勒烯形状的微透镜阵列形貌,得到所述微结构。

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【技术保护点】

1.一种显示基板,其包括:衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层;所述像素单元包括发光器件,所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧;其中,

2.根据权利要求1所述的显示基板,其还包括像素限定层,所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部;

3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述凹凸结构包括至少一个透镜结构,所述透镜结构在所述衬底基板所在平面方向上的最大宽度与在垂直所述衬底基板所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2~1.5。

4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述透镜结构在所述衬底基板的正投影的形貌为富勒烯形貌。

5.一种显示面板,其中,包括如权利要求1-4任一项所述的显示基板。

6.一种制备显示基板的方法,其包括:

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述方法还包括:

8.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述平坦化层上形成凹凸结构具体包括:

9.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述凹凸结构上形成所述微结构具体包括:

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成所述微结构,具体包括:在所述平坦化层的凹凸结构上通过二次曝光或刻蚀工艺形成富勒烯形状的微透镜阵列形貌,得到所述微结构。

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【技术特征摘要】

1.一种显示基板,其包括:衬底基板、设置在所述衬底基板上的像素单元和平坦化层;所述像素单元包括发光器件,所述平坦化层位于所述发光器件的第一电极靠近衬底基板的一侧;其中,

2.根据权利要求1所述的显示基板,其还包括像素限定层,所述像素限定层包括像素挡墙和由所述像素挡墙限定出的容纳部;

3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述凹凸结构包括至少一个透镜结构,所述透镜结构在所述衬底基板所在平面方向上的最大宽度与在垂直所述衬底基板所在平面的方向上的最大高度与的比值为1.2~1.5。

4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述透镜结构在所述衬底基板的正投影的形貌为富勒烯...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔玉宝谢学武艾雨孙诗刘浩殷卫东
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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