【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种封装元件及其制造方法，特别关于一种半导体aip封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、使用毫米波（mmwave）的第五代移动通信（5g）已经开始进入消费市场。作为无线通信系统中的重要组成部分，天线在与晶片形成的收发系统中，近来以封装天线(antenna-in-package，aip)最为受到重视。
2、请参阅图1所示，其显示第一种现有技术的封装天线10。封装天线10包括一载板11、一第一天线结构12、一第二天线结构13以及一晶片14。该载板11具有相对的一第一表面111及一第二表面112，并于第一表面111及第二表面112之间具有多个介电层113及多个线路层114。第一天线结构12设置于载板11的第一表面111，并具有一介电层121、一导电盲孔122以及一第一天线金属层123。导电盲孔122、第一天线金属层123与暴露于第一表面111的部分线路层114电性连接。
3、第二天线结构13设置于第一天线结构12上，并具有一介电层131及设置于该介电层131的一表面1311的一第二天线金属层132。晶片14覆晶（flip chip）接合于载板11的第二表面112，而与暴露于第二表面112的部分线路层114电性连接。另外，多个焊球15也设置于载板11的第二表面112，而与暴露于第二表面112的另一部分线路层114电性连接。
4、封装天线10的该载板11及该天线结构构成一整体的覆晶封装载板结构，在核心层的两侧一厚度及导电线路层厚度不对称的结构，尤其是天线结构的介电层厚度远厚于载板端的任一线
5、另外，封装天线10的晶片14覆晶接合于载板11的第二表面112，换言之，晶片14是外露的。并且外露的晶片也导致焊球必须要有足够的高度以撑起晶片的容置空间，使得封装的高度不易薄型化。
6、请再参阅图2，其显示第二种现有技术的封装天线90。封装天线90包括一载板91、一晶片92、一支撑柱93以及一上载板94。晶片92以及支撑柱93分别设置于载板91上。上载板94设置于支撑柱93上，而在上载板94与载板91之间形成气隙95。另外，于载板91的上表面还形成有一天线层911，并且电性连接至晶片92。并且，上载板94的上表面还形成有一频率选择表面结构941，其设置于天线层911上方。
7、现有技术的第二种封装天线90虽然将天线的介质以气隙95取代，而可降低介电常数进而提高天线效能，然而晶片92因为设置于气隙95中，因此晶片92在运作时将会衍生信号干扰的问题，而又影响了天线效能。
8、综上所述，在第五代移动通信以及未来的通信技术中，整合天线与晶片的封装，以期解决上述问题并使其具有较佳的天线效能或具有较小的封装体积（例如降低厚度），实属当前重要课题之一。
技术实现思路
1、有鉴于上述，本专利技术的一目的在于提供一种半导体aip封装结构及其制造方法，其可以改善现有技术天线封装的不对称板翘的电性问题，使半导体aip封装结构在相同体积下具有较佳的天线辐射效能。
2、本专利技术的另一目的在于提供一种半导体aip封装结构及其制造方法，其可使半导体aip封装结构在相同天线辐射效能下具有较小的封装体积。
3、为达上述目的，本专利技术提供一种半导体aip封装结构，其包括一第一载板、一晶片以及一第二载板。第一载板具有至少两层堆叠设置的第一重分布层，并且各第一重分布层具有一第一介电层、一第一图案化金属层和/或一第一导电柱层。晶片内嵌于第一载板中，并且与该些第一重分布层耦连。第二载板与第一载板相对设置，并具有一第二重分布层、一第二导电柱层及一空气介质层，其中第二导电柱层凸设于第二重分布层。第二载板以第二导电柱层连接于第一载板，而空气介质层位于第二重分布层、第二导电柱层及第一载板之间，且该晶片的作用面朝向远离该第二载板的方向。
4、于一实施例中，其中第一载板的第一重分布层具有一金属晶座，其接触于晶片并位于晶片与第二载板之间。
5、于一实施例中，其中部分的第一重分布层、部分的第二重分布层及部分的第二导电柱层构成一发射天线，另一部分的第一重分布层、另一部分的第二重分布层及另一部分的第二导电柱层构成一接收天线。
6、于一实施例中，其中部分的第一导电柱层及部分的第二导电柱层为天线辐射场型调整的作用，视应用的频宽而调整适当的高度，如同形成一天线腔体。
7、于一实施例中，其中第二导电柱层为栅栏型态或为连续壁式型态，且该第二导电柱层可框围出一个或多个空气介质层空间。
8、另外，为达上述目的，本专利技术提供一种半导体aip封装结构的制造方法，其包括形成一第一载板、形成一第二载板，以及结合第一载板与第二载板。形成第一载板的步骤包括依序形成至少两层堆叠的第一重分布层，并且在形成至少两层堆叠的第一重分布层的过程中将一晶片嵌埋于至少两层堆叠的第一重分布层之中，其中，该晶片的作用面朝向远离该第二载板的方向，且该晶片的作用面与其中一该第一重分布层耦连。形成第二载板的步骤包括形成一第二重分布层及形成凸设于第二重分布层的一第二导电柱层。第一载板与第二载板的结合，其中第二导电柱层用以连接第一载板与第二载板，并且于第二重分布层、第二导电柱层及第一载板的间形成一空气介质层。
9、于一实施例中，其中形成第一载板的至少两层堆叠的第一重分布层的步骤，还包括形成一第二晶种层；形成一具有至少一第二通孔的光阻层于第二晶种层上；电镀形成一第一图案化金属层和/或一第一导电柱层于第二通孔中；将一晶片接置于一该第一图案化金属层，且该晶片的作用面与另一该第一重分布层耦连；移除光阻层及第二晶种层；以及形成一第一介电层包覆第一图案化金属层和/或第一导电柱层及该晶片。
10、于一实施例中，其中形成第一介电层之前，还包括将晶片接置于第一图案化金属层，而该晶片的作用面朝向远离该第二载板的方向，并且第一介电层还包覆晶片。
11、于一实施例中，其中第二载板的该第二导电柱层通过焊球、导电凸块或导电黏着胶而连接于该第一载板的该第一图案化金属层或该第一导电柱层。
12、并且，为达上述目的，本专利技术还提供另一种半导体aip封装结构的制造方法，其包括形成一第一载板以及于第一载板上形成一第二载板。形成第一载板的步骤包括依序形成至少两层堆叠的第一重分布层，并且在形成至少两层堆叠的第一重分布层的过程中将一晶片嵌埋于至少两层堆叠的第一重分布层的中，其中，该晶片的作用面朝向远离该第二载板的方向，且该晶片的作用面与其中一该第一重分布层耦连。形成第二载板的步骤包括形成一第一晶种层于第一载板上；形成一具有至少一第一通孔的图案化光阻层于第一晶种层上；电镀形成一第二导电柱层于第一通孔中；形成一第二重分布层连接于第二导电柱层；及移除图案化光阻层，以于第二重分布层、第二导电柱层及第一载板之间形成一空气介质层。
13、综上所述，本专利技术公开的一种半导体aip封装结构及其制造方法利用空气介质层作为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体AIP封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体AIP封装结构，其特征在于，该第一载板的该些第一重分布层具有一金属晶座，其接触于该晶片并位于该晶片与该第二载板之间。
3.如权利要求1所述的半导体AIP封装结构，其特征在于，部分的该第一重分布层、部分的该第二重分布层及部分的该第二导电柱层构成一发射天线，另一部分的该第一重分布层、另一部分的该第二重分布层及另一部分的该第二导电柱层构成一接收天线。
4.如权利要求3所述的半导体AIP封装结构，其特征在于，部分的该第一导电柱层及部分的该第二导电柱层为天线辐射场型调整的作用。
5.如权利要求1至4任一项所述的半导体AIP封装结构，其特征在于，该第二导电柱层为栅栏型态或为连续壁式型态，且该第二导电柱层可框围出一个或多个空气介质层空间。
6.一种半导体AIP封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体AIP封装结构的制造方法，其特征在于，该第二载板的该第二导电柱层通过焊球、导电凸块或导电黏着胶而连接于该第一载板的该第一重
8.如权利要求6所述的半导体AIP封装结构的制造方法，其特征在于，形成该第一载板的该至少二第一重分布层的步骤，包括：
9.一种半导体AIP封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体AIP封装结构的制造方法，其特征在于，形成该第一载板的该至少二第一重分布层的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体aip封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体aip封装结构，其特征在于，该第一载板的该些第一重分布层具有一金属晶座，其接触于该晶片并位于该晶片与该第二载板之间。
3.如权利要求1所述的半导体aip封装结构，其特征在于，部分的该第一重分布层、部分的该第二重分布层及部分的该第二导电柱层构成一发射天线，另一部分的该第一重分布层、另一部分的该第二重分布层及另一部分的该第二导电柱层构成一接收天线。
4.如权利要求3所述的半导体aip封装结构，其特征在于，部分的该第一导电柱层及部分的该第二导电柱层为天线辐射场型调整的作用。
5.如权利要求1至4任一项所述的半导体aip封装结构，其特征在于，该...
【专利技术属性】
技术研发人员：许哲玮，许诗滨，
申请(专利权)人：恒劲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。