【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于垂直式半导体功率器件及其制造方法，更具体而言，是关于栅极电极被沟槽内介电层包覆的垂直式半导体功率器件。
技术介绍
1、垂直式功率半导体器件包括在衬底(半导体芯片)顶面上形成的沟槽阵列，其中每个沟槽可填充屏蔽电极。沟槽阵列定义对应的平台(mesa)阵列，掺杂区、源极区、源极接触件、栅极电极等组件可设置在平台的顶部。现有技术中，由于光刻技术的最小线宽限制，沟槽和源极接触件之间占用很大的面积，成为装置微型化的技术瓶颈。
技术实现思路
1、本公开的实施例涉及一种垂直式功率半导体器件。所述垂直式功率半导体器件包括：衬底，其具有彼此相对的第一侧以及第二侧，且所述衬底具有邻近于所述第二侧的掺杂区以及从所述第二侧延伸到所述第一侧的第一沟槽；第一沟槽内介电层，其沿着所述第一沟槽的内侧表面而设置；第一屏蔽电极，其设置于所述第一沟槽中且被所述第一沟槽内介电层包围；第一栅极电极，其设置于所述第一沟槽内介电层中并且围绕所述第一屏蔽电极，其中所述第一栅极电极被所述第一沟槽内介电层包覆，使所述第一栅极电极不直接邻接所述第一屏蔽电极及所述衬底。
2、本公开的实施例涉及一种垂直式功率半导体器件之制造方法。所述方法包括：在衬底中形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第一沟槽内介电层；在所述第一沟槽中形成第一屏蔽电极，其中所述第一屏蔽电极被所述第一沟槽内介电层包围；局部地移除所述第一沟槽内介电层；在所述第一沟槽中形成第一栅极电极围绕所述第一屏蔽电极，其中所述第一栅极电极被所述第一沟槽内介电层包覆
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1.一种垂直式半导体功率器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的垂直式半导体功率器件，其中所述第一栅极电极连接件包括垂直连接件与水平连接件，且其中所述水平连接件延伸于所述第一栅极电极与所述垂直连接件之间。
6.根据权利要求3所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
7.根据权利要求6所述的垂直式半导体功率器件，其中当从顶视图观看时，所述第一栅极电极围绕所述第一屏蔽电极垂直连接件。
8.根据权利要求1所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
10.根据权利要求8所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
11.根据权利要求10所述的垂直式半导体功率器件，其中所述源极区垂直连接件从所述源极金属层向下穿过所述源
12.一种垂直式半导体功率器件之制造方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中局部地移除所述第一沟槽内介电层进一步包括：
14.根据权利要求13所述的制造方法，其进一步包括：
15.根据权利要求12所述的制造方法，其进一步包括：
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述第一栅极电极、所述第二栅极电极及所述第二栅极电极水平连接件在同一步骤中一起形成。
17.根据权利要求12所述的制造方法，其中所述衬底具有彼此相对的第一侧以及第二侧且所述制造方法进一步包括：
18.根据权利要求17所述的制造方法，其进一步包括：
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中局部地移除所述层间介电层进一步包括：
20.根据权利要求19所述的制造方法，其进一步包括：
21.根据权利要求20所述的制造方法，其进一步包括：
22.根据权利要求17所述的制造方法，其进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种垂直式半导体功率器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的垂直式半导体功率器件，其中所述第一栅极电极连接件包括垂直连接件与水平连接件，且其中所述水平连接件延伸于所述第一栅极电极与所述垂直连接件之间。
6.根据权利要求3所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
7.根据权利要求6所述的垂直式半导体功率器件，其中当从顶视图观看时，所述第一栅极电极围绕所述第一屏蔽电极垂直连接件。
8.根据权利要求1所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
9.根据权利要求8所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
10.根据权利要求8所述的垂直式半导体功率器件，其进一步包括：
11.根据权利要求10所述的垂直式半导体功率器件，其中所述源极区垂直连接件从所述源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭大川，庄乔舜，
申请(专利权)人：达尔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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