【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路，特别是涉及一种fcbga封装基板及其制备方法。
技术介绍
1、倒装芯片球栅格阵列封装格式(flip chip ball grid array，fcbga)是目前图形加速显示芯片最主要的封装格式。fcbga封装基板是一类高密度、高性能的封装基板，实现了精细的设计规格，是具备高可靠性的高密度有机封装基板，能够提供更多的i/o引脚数，以满足高端倒装的要求，fcbga可以制作非常精细的线宽/间距，并采用激光加工制作的小盲孔实现了高密度走线，可用于高端的服务器、网络路由器、高性能的图像处理器等产品。
2、在fcbga封装基板的制作过程中，需要使用介电层做增层材料，但是在层压介电层的过程中，会出现溢胶现象，该现象会严重影响fcbga封装基板的的生产及良率，尤其层数越多，此现象越明显，影响越大。具体溢胶现象存在的缺点如下：
3、(1)除胶渣制程中：溢胶有可能会掉落到缸里，造成缸污染，进而导致保养频繁，除胶渣不干净；
4、(2)化学铜制程中：溢胶的部分沉积上化学铜，但因为溢胶处不平整，进而导致化学成铜沉积不平，出现板边毛刺、凸起等缺陷；
5、(3)图形转移制程中：贴干膜时，板边凹凸不平、毛刺，会造成滚轮压伤，降低板边干膜附着力，从而脱落，还有可能使板边干膜厚度不均，导致后续板边蚀刻图形出现异常；
6、(4)电镀制程中：因溢胶，板边凹凸不平，导致板边电镀出现毛刺、镀瘤的概率增大。
7、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进
8、鉴于以上，有必要提供一种fcbga封装基板及其制备方法，用于解决现有技术的fcbga封装基板在制备过程中由于介电层的溢胶而导致的各种缺陷问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种fcbga封装基板及其制备方法，用于解决现有技术的fcbga封装基板在制备过程中由于介电层的溢胶而导致的各种缺陷问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种fcbga封装基板的制备方法，所述fcbga封装基板的制备方法包括：
3、s1：提供基板，所述基板包括内层芯板；激光钻孔机台，所述激光钻孔机台包括第一激光烧蚀工具及第二激光烧蚀工具；
4、s2：于所述内层芯板表面形成介电层，获得fcbga封装基板结构，在形成所述介电层后，所述介电层会在所述fcbga封装基板结构边缘出现溢胶现象，形成溢胶区域；
5、s3：将所述fcbga封装基板结构转移至所述激光钻孔机台上进行第一次烧蚀，所述第一激光烧蚀工具在所述溢胶区域内，由靠近所述介电层向远离所述介电层的方向依次进行n圈烧蚀，每圈所述烧蚀包括沿需要烧蚀的所述溢胶区域进行整圈烧蚀，形成n个第一烧蚀孔，相邻两个所述第一烧蚀孔的中心之间具有第一间距，其中，n≥2，n≥2；
6、s4：所述第二个激光烧蚀工具在所述溢胶区域内，由所述第一次烧蚀的最终位置向远离所述介电层的方向移动预设距离进行第二次烧蚀，所述预设距离不超过所述第一烧蚀孔的半径，由靠近所述介电层向远离所述介电层的方向依次进行m圈烧蚀，至少烧蚀至所述溢胶区域边界，每圈所述烧蚀包括沿需要烧蚀的所述溢胶区域进行整圈烧蚀，形成m个第二烧蚀孔，所述第二烧蚀孔的孔径大于所述第一烧蚀孔的孔径，相邻两个所述第二烧蚀孔的中心之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距，其中，m≥2，m≥2。
7、可选地，所述fcbga封装基板的制备方法还包括s5：重复进行步骤s2至步骤s4，以制备多层内层芯板排布的fcbga封装基板。
8、可选地，所述fcbga封装基板的制备方法还包括：
9、s6：于烧蚀后的所述fcbga封装基板结构上形成激光盲孔；
10、s7：于所述fcbga封装基板结构进行除胶渣、化学沉铜的工艺，再继续进行图形转移及电镀、去膜、闪蚀的工艺，完成所述fcbga封装基板的制备。
11、可选地，在步骤s3中，进行的n圈烧蚀为2圈烧蚀，2圈烧蚀中的第一圈烧蚀形成的所述第一烧蚀孔定义为第一圈第一烧蚀孔，第二圈烧蚀形成的所述第一烧蚀孔定义为第二圈第一烧蚀孔。
12、可选地，所述第一圈第一烧蚀孔的孔径与所述第二圈第一烧蚀孔的孔径均相同。
13、可选地，所述第一圈第一烧蚀孔的孔径与所述第二圈第一烧蚀孔的孔径不相同，所述第二圈第一烧蚀孔的孔径大于所述第一圈第一烧蚀孔的孔径。
14、可选地，在步骤s4中，在进行的m圈烧蚀中，每圈烧蚀形成的所述第二烧蚀孔的孔径均相同。
15、可选地，在步骤s4中，在进行的m圈烧蚀中，每圈烧蚀形成的所述第二烧蚀孔的孔径不相同，所述孔径在所述溢胶区域内，由靠近所述介电层向远离所述介电层的方向依次增大。
16、可选地，所述第一激光烧蚀工具及所述第二激光烧蚀工具均包括co2激光钻孔机。
17、本专利技术还提供一种fcbga封装基板，所述fcbga封装基板是采用上述任意一项所述的fcbga封装基板的制备方法所制备。
18、如上所述，本专利技术的fcbga封装基板及其制备方法，具有以下有益效果：本专利技术的fcbga封装基板的制备方法通过在溢胶区域内依次向远离介电层的方向进行两次不同的烧蚀，可以有效的快速解决由于介电层流动性强而造成的介电层溢胶问题，缩短总体烧蚀时间，易于控制每次烧蚀能量，还能最大程度保护板材不受损，边界处无介电层的残留，并且介电层与fcbga封装基板的其他结构的接触面光滑平整，可以提升fcbga封装基板的良率，减少原材料的浪费，提高经济效益；本专利技术的制备方法简单易操作，便于推广。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于，所述FCBGA封装基板的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于，所述FCBGA封装基板的制备方法还包括：
3.根据权利要求1所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：所述FCBGA封装基板的制备方法还包括：
4.根据权利要求1所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：在步骤S3中，进行的n圈烧蚀为2圈烧蚀，2圈烧蚀中的第一圈烧蚀形成的所述第一烧蚀孔定义为第一圈第一烧蚀孔，第二圈烧蚀形成的所述第一烧蚀孔定义为第二圈第一烧蚀孔。
5.根据权利要求4所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：所述第一圈第一烧蚀孔的孔径与所述第二圈第一烧蚀孔的孔径均相同。
6.根据权利要求4所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：所述第一圈第一烧蚀孔的孔径与所述第二圈第一烧蚀孔的孔径不相同，所述第二圈第一烧蚀孔的孔径大于所述第一圈第一烧蚀孔的孔径。
7.根据权利要求1所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：在步
8.根据权利要求1所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：在步骤S4中，在进行的m圈烧蚀中，每圈烧蚀形成的所述第二烧蚀孔的孔径不相同，所述孔径在所述溢胶区域内，由靠近所述介电层向远离所述介电层的方向依次增大。
9.根据权利要求1所述的FCBGA封装基板的制备方法，其特征在于：所述第一激光烧蚀工具及所述第二激光烧蚀工具均包括CO2激光钻孔机。
10.一种FCBGA封装基板，其特征在于：所述FCBGA封装基板是采用权利要求1～9中任意一项所述的FCBGA封装基板的制备方法所制备。
...【技术特征摘要】
1.一种fcbga封装基板的制备方法，其特征在于，所述fcbga封装基板的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的fcbga封装基板的制备方法，其特征在于，所述fcbga封装基板的制备方法还包括：
3.根据权利要求1所述的fcbga封装基板的制备方法，其特征在于：所述fcbga封装基板的制备方法还包括：
4.根据权利要求1所述的fcbga封装基板的制备方法，其特征在于：在步骤s3中，进行的n圈烧蚀为2圈烧蚀，2圈烧蚀中的第一圈烧蚀形成的所述第一烧蚀孔定义为第一圈第一烧蚀孔，第二圈烧蚀形成的所述第一烧蚀孔定义为第二圈第一烧蚀孔。
5.根据权利要求4所述的fcbga封装基板的制备方法，其特征在于：所述第一圈第一烧蚀孔的孔径与所述第二圈第一烧蚀孔的孔径均相同。
6.根据权利要求4所述的fcbga封装基板的制备方法，其特征在于：所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘江，蒋宗秋，刘珺臣，庄爱东，
申请(专利权)人：上海美维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。