【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种驱动基板。
技术介绍
1、在三栅极(tri-gate)驱动架构的液晶显示面板中，栅驱动电路(goa)区域的纵向空间小，单颗薄膜晶体管(tft)高度受限，薄膜晶体管数量较多，排列密度大，使得源漏金属层密度过高。而显示区中源漏金属层的密度相对较低，那么在堆叠的蚀刻源漏金属层和有源层时，需要显影去除的光阻面积较大，导致对显示区的显影能力要求较高，以显示区中有源层的厚度为目标规格，为了达到同一目标规格，在goa区中，tft之间的间距小，且u型沟道呈连续密集排布，导致u型沟道的拐弯处容易堆积显影液，导致沟道区域的光阻过刻，进而导致在刻蚀源极金属层和有源层时，造成u型沟道的拐弯处过刻，从而影响tft的性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板，可以降低goa区u型沟道的拐弯处过刻的风险。
2、本申请实施例提供一种阵列基板，包括栅驱动区，其包括设置在所述栅驱动区的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：
3、有源层，所述有源层包括依次相连的第一接触部、沟道和第二接触部；
4、第一电极，所述第一电极连接设置在所述第一接触部上，所述第一电极包括依次相连的第一线段、弯曲段和第二线段，所述第一线段和所述第二线段相对设置，所述弯曲段的延伸方向分别与所述第一线段和所述第二线段的延伸方向相交；
5、第二电极，所述第二电极连接设置在所述第二接触部上，所述第二电极与所述第一电极间隔设置，所述第二电极设置在所述第一线段和所述第二
6、其中，在所述阵列基板的正投影图案中，所述第一电极的轮廓线和所述第二电极的轮廓线界定形成所述沟道的区域，所述沟道包括依次相连的第一部、拐弯部和第二部，所述第一部设置在所述第一线段和所述第二电极的一侧之间，所述第二部设置在所述第二线段和所述第二电极的另一侧之间，所述拐弯部设置在所述弯曲段和所述第二电极的端部之间；
7、所述拐弯部的宽度小于所述第一部的宽度。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一部和所述第二部的宽度相等。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一线段、所述第二线段和所述第二电极的延伸方向相互平行设置。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述拐弯部的宽度小于或等于3.7微米。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述栅驱动区的一侧的显示区，所述阵列基板包括设置在所述显示区的第二薄膜晶体管，所述拐弯部的宽度大于或等于所述第二薄膜晶体管的沟道宽度。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述弯曲段呈圆弧状，所述拐弯部也呈圆弧状。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管的数量具有多个，多个所述第一薄膜晶体管沿着垂直于所述第二电极的延伸方向的方向排列呈排，相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的所述第一电极相连，相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的所述第二电极电性连接。
14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括信号输入线和信号输出线，同一排的所述第一薄膜晶体管中的一个所述第一薄膜晶体管的第一电极连接于所述信号输入线，同一排的所有所述第一薄膜晶体管的第二电极连接于所述信号输出线，所述信号输出线的延伸方向垂直于所述第二电极的延伸方向。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括基板、栅金属层、栅极绝缘层、源漏金属层和钝化层，所述栅金属层包括栅极，所述第一电极和所述第二电极形成于所述源漏金属层；
16、所述栅金属层设置在所述基板上，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅金属层远离所述基板的一侧，所述有源层设置在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述栅极与所述沟道重叠设置，所述第一电极和所述第二电极均设置在所述有源层远离所述基板的一侧，所述钝化层覆盖在所述源漏金属层远离所述基板的一侧。
17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅驱动区的所述源漏金属层的密度大于所述显示区的所述源漏金属层的密度，所述栅驱动区的所述源漏金属层的密度与所述显示区的所述源漏金属层的密度之差大于或等于65％。
18、相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括如上述任意一项实施例所述的阵列基板。
19、本申请实施例的阵列基板采用在栅驱动区的第一薄膜晶体管中，设置沟道的拐弯部的宽度小于沟道的第一部的宽度，也即通过缩小拐弯部的宽度，使得在图案化有源层的光刻显影时，拐弯部区域的显影液减少，从而降低了该区域被显影液过刻导致拐弯部过刻的风险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括栅驱动区，其特征在于，包括设置在所述栅驱动区的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部和所述第二部的宽度相等。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一线段、所述第二线段和所述第二电极的延伸方向相互平行设置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述拐弯部的宽度小于或等于3.7微米。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述栅驱动区的一侧的显示区，所述阵列基板包括设置在所述显示区的第二薄膜晶体管，所述拐弯部的宽度大于或等于所述第二薄膜晶体管的沟道宽度。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述弯曲段呈圆弧状，所述拐弯部也呈圆弧状。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的数量具有多个，多个所述第一薄膜晶体管沿着垂直于所述第二电极的延伸方向的方向排列呈排，相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的所述第一电极相连，相邻两个所述第一薄膜晶体
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括信号输入线和信号输出线，同一排的所述第一薄膜晶体管中的一个所述第一薄膜晶体管的第一电极连接于所述信号输入线，同一排的所有所述第一薄膜晶体管的第二电极连接于所述信号输出线，所述信号输出线的延伸方向垂直于所述第二电极的延伸方向。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板、栅金属层、栅极绝缘层、源漏金属层和钝化层，所述栅金属层包括栅极，所述第一电极和所述第二电极形成于所述源漏金属层；
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述栅驱动区的所述源漏金属层的密度大于所述阵列基板的显示区的所述源漏金属层的密度，所述栅驱动区的所述源漏金属层的密度与所述显示区的所述源漏金属层的密度之差大于或等于65％。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括栅驱动区，其特征在于，包括设置在所述栅驱动区的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部和所述第二部的宽度相等。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一线段、所述第二线段和所述第二电极的延伸方向相互平行设置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述拐弯部的宽度小于或等于3.7微米。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述栅驱动区的一侧的显示区，所述阵列基板包括设置在所述显示区的第二薄膜晶体管，所述拐弯部的宽度大于或等于所述第二薄膜晶体管的沟道宽度。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述弯曲段呈圆弧状，所述拐弯部也呈圆弧状。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的数量具有多个，多个所述第一薄膜晶体管沿着垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨柳，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。