一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法技术

本发明专利技术提供了一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法，用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点。现有技术在进行氧化物的抛光终点检测时并未对所检测到波峰的扭矩进行检测而判定其为抛光终点，易在抛光速度过慢时出现抛光终点的误检测现象。本发明专利技术不仅在进行一预设时段的抛光后再进行抛光终点检测，还判断所检测到波峰对应的扭矩是否在正常终止扭矩范围，且在是时才判定所检测到波峰为抛光终点。采用本发明专利技术可避免在抛光速度过慢时出现的抛光终点误检测事件发生，如此可大大提高抛光终点检测的精准度和可靠性，进而大大提高氧化物化学机械抛光工艺的抛光质量。

Polishing endpoint detection method capable of improving detection accuracy

The invention provides a polishing endpoint detection method which can improve the detection accuracy, and is used for detecting the polishing end of the chemical mechanical polishing process of oxides. When the polishing end point of the oxide is detected by the prior art, the torque detected by the wave crest is not detected, and the end point is judged to be a polishing endpoint, and the phenomenon of false detection of the polishing endpoint is easy to occur when the polishing speed is too slow. The invention not only in a predetermined time after polishing polishing end point detection, but also determine the detected peak torque is in the corresponding normal termination torque range, and it is only when judging the detected peaks for polishing end point. The invention can be used for polishing end point in polishing speed is too slow when the incident happened to avoid false detection, so can greatly improve the polishing end point detection accuracy and reliability, thereby greatly improving the polishing quality of oxide chemical mechanical polishing process.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光工艺，尤其涉及。
技术介绍
当半导体器件进入0.13微米的时代后，化学机械抛光(CMP)工艺因可实现晶圓表面的全局平坦化而成为半导体制造的必要工序。CMP工艺通过研磨头将晶圆压在具有研磨液的研磨垫上且带动晶圓旋转，研磨垫则以相反的方向旋转，在机械研磨的同时发生了化学腐蚀，故CMP工艺兼具了机械研磨和化学研磨的优点。在进行CMP工艺中，精准地检测到抛光终点是确保抛光质量的重要因素，为确保抛光终点检测的精准度，现通常会在CMP工艺进行一预设时段(通常为30秒)后才开始进行抛光终点检测，此后所检测到抛光曲线上的波峰即为抛光终点，但在有些异常状况时，化学机械抛光的抛光速度非常慢，此时就会出现检测到波峰并非其实际的抛光终点的状况，如此就会影响氧化物的化学机械抛光的质量例如会出现抛光去除不足的现象。因此，如何提供一种可提高检测精准度的抛光终点4全测方法以精准地检测到抛光终点，进而提高氧化物的化学机械抛光工艺的抛光质量，已成为业界亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，通过所述终点检测方法可提高抛光终点检测的精准度，进而大大提高氧化物化学机械抛光的抛光质量。本专利技术的目的是这样实现的 ，用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点，该方法包括以下步骤a、对3氧化物进行一预设时段的化学机械抛光工艺；b、判斷化学机械抛光工艺的抛光曲线是否出现波峰，若是则继续步骤c，若否，则继续步骤b; c、判断该波峰所对应的扭矩是否在一正常终止扭矩范围，若是则判定该波峰为抛光终点，若否则返回步骤b。在上述的可提高检测精准度的抛光终点检测方法中，该预设时段为30秒。在上述的可提高检测精准度的抛光终点检测方法中，该正常终止扭矩范围为大于51牛.米。与现有技术中仅通过在进行一预设时段的抛光后再进行抛光终点检测，易在对抛光速度过慢的抛光工艺进行终点检测时出现误检测相比，本专利技术的可提高检测精准度的抛光终点检测方法不仅通过在进行一预设时段的抛光后再进行抛光终点检测，还判断所检测到波峰对应的扭矩是否在正常终止扭矩范围，且在是时才判定所检测到波峰为抛光终点，避免在抛光速度过慢时出现的抛光终点误检测事件发生，如此可大大提高抛光终点检测的精准度和可靠性，进而大大提高氧化物化学机械抛光工艺的抛光质量。附图说明本专利技术的可提高检测精准度的抛光终点检测方法由以下的实施例及附图给出。图1为本专利技术的可提高检测精准度的抛光终点检测方法的流程图。具体实施例方式以下将对本专利技术的可提高检测精准度的抛光终点检测方法作进一步的详细描述。本专利技术的可提高检测精准度的抛光终点检测方法用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点，参见图1,所述方法首先进行步骤SIO,对氧化物进行一预设时段的化学机械抛光工艺。在本实施例中，所述预设时段为30秒。接着继续步骤Sll,判断化学机械抛光工艺的抛光曲线是否出现波峰，若是则继续步骤S12，若否，则继续步骤Sll。在步骤S12中，判断所述波峰所对应的扭矩是否在一正常终止扭矩范围，若是则判定所述波峰为抛光终点(步骤S13)，若否则返回步骤Sll。在本实施例中，所述正常终止扭矩范围为大于51牛.米。综上所述，本专利技术的可提高检测精准度的抛光终点检测方法不仅通过在进行一预设时段的抛光后再进行抛光终点检测，还判断所检测到抛光终点对应的扭矩是否在正常终止扭矩范围，且在是时才判定所检测到波峰为抛光终点，避免在抛光速度过慢时出现的抛光终点误检测事件发生，如此可大大提高抛光终点检测的精准度和可靠性，进而大大提高氧化物化学机械抛光工艺的抛光质量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法，用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点，该方法包括以下步骤：ａ、对氧化物进行一预设时段的化学机械抛光工艺；其特征在于，该方法还包括以下步骤：ｂ、判断化学机械抛光工艺的抛光曲线是否出现波峰，若是则继续步骤ｃ，若否，则继续步骤ｂ；ｃ、判断该波峰所对应的扭矩是否在一正常终止扭矩范围，若是则判定该波峰为抛光终点，若否则返回步骤ｂ。

【技术特征摘要】
1、一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法，用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点，该方法包括以下步骤a、对氧化物进行一预设时段的化学机械抛光工艺；其特征在于，该方法还包括以下步骤b、判断化学机械抛光工艺的抛光曲线是否出现波峰，若是则继续步骤c，若否，则继续步骤b；c、判断该波峰所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]